- طلب عرض الأسعار
- بوم
- اتصل بنا
هاتف: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- تركي
- ايطالي
- دانماركي
- روماني
- الاندونيسية
- التشيكية
- الأفريكانية
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- الكاتالونية
- الاسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- الأمهرية
- الأرمينية
- أذربيجاني
- البيلاروسية
- البنغالية
- البوسنية
- البلغارية
- السيبيونو
- تشيشيوا
- كورسيكية
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- الفريزية
- الجاليكية
- الجورجية
- الغوجاراتية
- هايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجرية
- الأيسلندية
- الإيغبو
- الجاوية
- الكانادا
- الكازاخستانية
- الخمير
- كردي
- قيرغيزستان
- اللاتينية
- لاتفيا
- الليتوانية
- لوكسمبو..
- المقدونية
- مدغشقر
- لغة الملايو
- المالايالامية
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولية
- البورمية
- النيبالية
- النرويجية
- الباشتو
- الفارسية
- البنجابية
- الصربية
- سيسوتو
- السنهالية
- السلوفاكية
- السلوفينية
- الصومالية
- ساموا
- الغيلية الاسكتلندية
- شونا
- السندية
- السودانية
- السواحلية
- الطاجيكية
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- الأوزبكية
- الفيتنامية
- الويلزية
- خوسا
- اليديشية
- اليوروبا
- الزولو
- الكينيارواندية
- التتار
- أوريا
- التركمان
- الأويغور
الدائرة المتكاملة (ICs)(5782)
| صورة | رقم المنتج | التسعير (بالدولار الأمريكي) | كمية | إكاد | المتاحة | الوزن (كجم) | MFR | مسلسل | طَرد | حالة المنتج | درجة حرارة التشغيل | نوع التركيب | الحزمة / القضية | رقم المنتج الأساسي | تكنولوجيا | الجهد - العرض | حزمة جهاز المورد | ورقة بيانات البيانات | حالة بنفايات | مستوى الرطوبة (MSL) | الوصول إلى الحالة | أسماء أخرى | ECCN | هتسسوس | الحزمة القياسية | تردد الساعة | نوع الذاكرة | حجم الذاكرة | وقت الوصول | تنسيق الذاكرة | منظمة الذاكرة | واجهة الذاكرة | كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS62WV1288FBLL-45QLI-TR | 1.8501 |  | 4376 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 32-سويك (0.445 بوصة، عرض 11.30 ملم) | IS62WV1288 | SRAM - غير متزامن | 2.2 فولت ~ 3.6 فولت | 32-SOP | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1000 | متقلب | 1 ميجابت | 45 نانو ثانية | سرام | 128 كيلو × 8 | أبعادي | 45ns | |||
 | IS43LR16200D-6BLI | 2.8191 | | 4365 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 60-تبجا | IS43LR16200 | SDRAM - LPDDR المحمول | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 60-تفبغا (8×10) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 32 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 2 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
 | IS46DR16640B-25DBLA2 | 11.2134 | | 2681 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | ليس للتصاميم الجديدة | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 84-تبجا | IS46DR16640 | سدرام - DDR2 | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 84-TWBGA (8x12.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 ميجا هرتز | متقلب | 1 جيجابت | 400 لار | دير | 64 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
 | IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR | 2.4388 | | 2861 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 44-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS61WV12816 | SRAM - غير متزامن | 2.4 فولت ~ 3.6 فولت | 44-TSOP الثاني | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | متقلب | 2 ميغا | 10 نانو ثانية | سرام | 128 كيلو × 16 | أبعادي | 10ns | |||
 | IS42S16100E-7B-TR | - | | 2474 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 60-تبجا | IS42S16100 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 60-تبجا (6.4x10.1) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 2500 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 16 ميغا | 5.5 نانو ثانية | دير | 1 م × 16 | أبعادي | - | ||
 | IS25WQ040-JKLE | - | | 2951 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | أنبوب | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-WDFN لوحة مائية | IS25WQ040 | فلاش - ولا | 1.65 فولت ~ 1.95 فولت | 8-دبليوسون (6×5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 ميجا هرتز | غير متطايرة | 4 ميجابت | فلاش | 512 كيلو × 8 | SPI | 1 مللي ثانية | |||
 | IS29GL256-70FLEB | 8.1900 | | 3351 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 64-إل بي جي ايه | IS29GL256 | فلاش - ولا | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 64-LFBGA (11x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-IS29GL256-70FLEB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | غير متطايرة | 256 ميجابت | 70 نانو ثانية | فلاش | 32 م × 8 | أبعادي | 200 ثانية | ||
 | IS61NVP102418-250B3-TR | - | | 9777 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 165-TBGA | IS61NVP102418 | SRAM - متزامن، إزالة الحقوق الخاصة | 2.375 فولت ~ 2.625 فولت | 165-TFBGA (13x15) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | 2.6 نانو ثانية | سرام | 1 م × 18 | أبعادي | - | ||
| IS46LQ32256A-062BLA2-TR | 23.4080 | | 3604 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-تبجا | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 200-TFBGA (10x14.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS46LQ32256A-062BLA2-TR | 2500 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 256 م × 32 | LVSTL | 18 نانو | |||||
 | IS42S83200G-7TL-TR | 4.8134 | | 5604 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | ليس للتصاميم الجديدة | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S83200 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 1500 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 32 م × 8 | أبعادي | - | ||
 | IS62WV25616DALL-55BI | - | | 8633 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | توقف في SIC | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 48-تبجا | IS62WV25616 | SRAM - غير متزامن | 1.65 فولت ~ 2.2 فولت | 48-TFBGA (6x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | متقلب | 4 ميجابت | 55 نانو ثانية | سرام | 256 كيلو × 16 | أبعادي | 55 نانو | |||
 | IS25LQ512B-JNLE | - | | 6270 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | IS25LQ512 | فلاش - ولا | 2.3 فولت ~ 3.6 فولت | 8-سويك | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-1325 | إير99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 ميجا هرتز | غير متطايرة | 512 كيلوبت | فلاش | 64 كيلو × 8 | SPI-مدخل/مخرج رباعي | 800 ثانية | ||
 | IS25LP256D-JLLE-TR | 3.4650 | | 4590 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-WDFN لوحة مائية | IS25LP256 | فلاش - ولا | 2.3 فولت ~ 3.6 فولت | 8-دبليوسون (8×6) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4000 | 133 ميجا هرتز | غير متطايرة | 256 ميجابت | فلاش | 32 م × 8 | SPI - مدخل/مخرج رباعي، QPI، DTR | 800 ثانية | |||
 | IS43R16160F-5BLI-TR | 3.8973 | | 5158 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 60-تبجا | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت | 60-تفبغا (8×13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 2500 | 200 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 700 ريال | دير | 16 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
| IS25LP020E-JYLA3-TR | 0.4703 | | 5182 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-وسادة رياضية UFDFN | فلاش - ولا (SLC) | 2.3 فولت ~ 3.6 فولت | 8-USON (2x3) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS25LP020E-JYLA3-TR | 5000 | 104 ميجا هرتز | غير متطايرة | 2 ميغا | 8 نانو ثانية | فلاش | 256 كيلو × 8 | SPI - مدخل/مخرج رباعي، QPI | 40 ثانية، 1.2 مللي ثانية | |||||
 | IS43TR81280BL-107MBLI-TR | 5.3868 | | 5047 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | ليس للتصاميم الجديدة | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | IS43TR81280 | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 78-TWBGA (8x10.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0032 | 2000 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 1 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 128 م × 8 | أبعادي | 15ns | ||
 | IS61LPS102418A-200TQ-TR | - | | 1937 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 100-LQFP | IS61LPS102418 | SRAM - متزامن، إزالة الحقوق الخاصة | 3.135 فولت ~ 3.465 فولت | 100-LQFP (14x20) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | 3.1 نانو ثانية | سرام | 1 م × 18 | أبعادي | - | ||
| IS61LPS102418A-250B3 | - | | 6195 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 165-TBGA | IS61LPS102418 | SRAM - متزامن، إزالة الحقوق الخاصة | 3.135 فولت ~ 3.465 فولت | 165-TFBGA (13x15) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | 2.6 نانو ثانية | سرام | 1 م × 18 | أبعادي | - | ||
| IS46LQ32256A-062BLA2 | 24.8268 | | 5507 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | حجم كبير | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-تبجا | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 200-TFBGA (10x14.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS46LQ32256A-062BLA2 | 136 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 256 م × 32 | LVSTL | 18 نانو | |||||
 | IS43TR16128B-15HBLI-TR | - | | 9278 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | IS43TR16128 | سدرام - DDR3 | 1.425 فولت ~ 1.575 فولت | 96-TWBGA (9x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0036 | 1500 | 667 ميجا هرتز | متقلب | 2 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 128 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
 | IS45VM16800H-75BLA1 | - | | 9311 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-تبجا | IS45VM16800 | سدرام - موبايل | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 54-تبجا (8x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 ميجا هرتز | متقلب | 128 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 8 م × 16 | أبعادي | - | ||
| IS46TR16128C-125KBLA25 | 7.0633 | | 4324 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | حجم كبير | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 115 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | سدرام - DDR3 | 1.425 فولت ~ 1.575 فولت | 96-TWBGA (9x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS46TR16128C-125KBLA25 | 190 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 2 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 128 م × 16 | أبعادي | 15ns | |||||
| IS64C25616AL-12CTLA3-TR | 9.4500 | | 1234 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 44-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS64C25616 | SRAM - غير متزامن | 4.5 فولت ~ 5.5 فولت | 44-TSOP الثاني | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | متقلب | 4 ميجابت | 12 نانو ثانية | سرام | 256 كيلو × 16 | أبعادي | 12ns | |||
| IS43TR16640A-15GBL | - | | 3643 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | توقف في SIC | 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | IS43TR16640 | سدرام - DDR3 | 1.425 فولت ~ 1.575 فولت | 96-TWBGA (9x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 ميجا هرتز | متقلب | 1 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 64 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
 | IS61VPD102418A-200B3-TR | - | | 3860 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 165-TBGA | IS61VPD102418 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 2.375 فولت ~ 2.625 فولت | 165-PBGA (13x15) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 | 200 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | 3.1 نانو ثانية | سرام | 1 م × 18 | أبعادي | - | ||
 | IS43R86400F-5TLI | 7.6300 | | 2 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 66-TSSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2.5 فولت ~ 2.7 فولت | 66-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-1553 | إير99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 700 ريال | دير | 64 م × 8 | أبعادي | 15ns | |
| IS42S16160J-6TI | - | | 8023 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | أنبوب | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S16160 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 16 م × 16 | أبعادي | - | ||
| IS43TR16640A-15GBL-TR | - | | 9608 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | توقف في SIC | 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | IS43TR16640 | سدرام - DDR3 | 1.425 فولت ~ 1.575 فولت | 96-TWBGA (9x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0032 | 1500 | 667 ميجا هرتز | متقلب | 1 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 64 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
| IS61WV51216EEBLL-10TLI | 7.7827 | | 4720 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 44-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS61WV51216 | SRAM - غير متزامن | 2.4 فولت ~ 3.6 فولت | 44-TSOP الثاني | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | متقلب | 8 ميغا | 10 نانو ثانية | سرام | 512 كيلو × 16 | أبعادي | 10ns | |||
| IS43LR16160G-6BL-TR | 5.0544 | | 5657 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 60-تبجا | IS43LR16160 | SDRAM - LPDDR المحمول | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 60-تفبغا (8×10) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 2000 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 16 م × 16 | أبعادي | 15ns |
2000+
المتوسط اليومي لحجم طلب عرض الأسعار
30,000,000
وحدة المنتج القياسية
2800+
الشركات المصنعة في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الرغبات (0 عناصر)