- طلب عرض الأسعار
- بوم
- اتصل بنا
هاتف: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- تركي
- ايطالي
- دانماركي
- روماني
- الاندونيسية
- التشيكية
- الأفريكانية
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- الكاتالونية
- الاسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- الأمهرية
- الأرمينية
- أذربيجاني
- البيلاروسية
- البنغالية
- البوسنية
- البلغارية
- السيبيونو
- تشيتشيوا
- كورسيكية
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- الفريزية
- الجاليكية
- الجورجية
- الغوجاراتية
- هايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجرية
- الأيسلندية
- الإيغبو
- الجاوية
- الكانادا
- الكازاخستانية
- الخمير
- كردي
- قيرغيزستان
- اللاتينية
- لاتفيا
- الليتوانية
- لوكسمبو..
- المقدونية
- مدغشقر
- لغة الملايو
- المالايالامية
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولية
- البورمية
- النيبالية
- النرويجية
- الباشتو
- الفارسية
- البنجابية
- الصربية
- سيسوتو
- السنهالية
- السلوفاكية
- السلوفينية
- الصومالية
- ساموا
- الغيلية الاسكتلندية
- شونا
- السندية
- السودانية
- السواحلية
- الطاجيكية
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- الأوزبكية
- الفيتنامية
- الويلزية
- خوسا
- اليديشية
- اليوروبا
- الزولو
- الكينيارواندية
- التتار
- أوريا
- التركمان
- الأويغور
الدائرة المتكاملة (ICs)(5782)
| صورة | رقم المنتج | التسعير (بالدولار الأمريكي) | كمية | إكاد | المتاحة | الوزن (كجم) | MFR | مسلسل | طَرد | حالة المنتج | درجة حرارة التشغيل | نوع التركيب | الحزمة / القضية | رقم المنتج الأساسي | تكنولوجيا | الجهد - العرض | حزمة جهاز المورد | ورقة بيانات البيانات | حالة بنفايات | مستوى الرطوبة (MSL) | الوصول إلى الحالة | أسماء أخرى | ECCN | هتسسوس | الحزمة القياسية | تردد الساعة | نوع الذاكرة | حجم الذاكرة | وقت الوصول | تنسيق الذاكرة | منظمة الذاكرة | واجهة الذاكرة | كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42VM32800K-6BLI-TR | 5.5200 |  | 9806 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS42VM32800 | سدرام - موبايل | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 8 م × 32 | أبعادي | - | ||
 | IS42S32400F-7B-TR | - | | 4408 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS42S32400 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 2500 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 128 ميجابت | دير | 4 م × 32 | أبعادي | - | |||
 | IS42S16400F-6BL-TR | - | | 2441 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-تبجا | IS42S16400 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-تبجا (8x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 2500 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 64 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 4 م × 16 | أبعادي | - | ||
 | IS43TR85120AL-107MBLI-TR | - | | 9608 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | IS43TR85120 | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 78-TWBGA (9x10.5) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-IS43TR85120AL-107MBLI-TR | إير99 | 8542.32.0036 | 1500 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 512 م × 8 | أبعادي | 15ns | |
| IS46TR81024BL-107MBLA1 | 26.9088 | | 2822 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | حجم كبير | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 78-TWBGA (10x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS46TR81024BL-107MBLA1 | 136 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 1 جرام × 8 | أبعادي | 15ns | |||||
| IS42RM32800K-6BLI-TR | 5.6400 | | 6530 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS42RM32800 | سدرام - موبايل | 2.3 فولت ~ 3 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 8 م × 32 | أبعادي | - | ||
| IS43LD16640C-25BL | - | | 2349 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | IS43LD16640 | SDRAM - LPDDR2-S4 المحمول | 1.14 فولت ~ 1.95 فولت | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0028 | 171 | 400 ميجا هرتز | متقلب | 1 جيجابت | دير | 64 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||||||
 | IS42S32800D-6TLI-TR | - | | 6492 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 86-TFSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S32800 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 86-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 1500 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 8 م × 32 | أبعادي | - | ||
 | IS42S16100C1-6TL | - | | 4567 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 50-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S16100 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 50-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 16 ميغا | 5.5 نانو ثانية | دير | 1 م × 16 | أبعادي | - | ||
 | IS43TR16640C-125JBL-TR | 2.7298 | | 7705 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | IS43TR16640 | سدرام - DDR3 | 1.425 فولت ~ 1.575 فولت | 96-TWBGA (9x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-IS43TR16640C-125JBL-TR | إير99 | 8542.32.0032 | 1500 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 1 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 64 م × 16 | أبعادي | 15ns | |
 | IS45S16800F-7TLA2 | 4.8194 | | 2654 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS45S16800 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 128 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 8 م × 16 | أبعادي | - | ||
 | IS49RL18320-125BLI | - | | 6680 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 168-إل بي جي ايه | IS49RL18320 | دير | 1.28 فولت ~ 1.42 فولت | 168-إف بي جي إيه (13.5 × 13.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0032 | 119 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 576 ميجابت | 12 نانو ثانية | دير | 32 م × 18 | أبعادي | - | ||
 | IS66WV51216DBLL-55BLI-TR | - | | 9320 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | توقف في SIC | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 48-تبجا | IS66WV51216 | PSRAM (SRAM الزائفة) | 2.5 فولت ~ 3.6 فولت | 48-TFBGA (6x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0041 | 2500 | متقلب | 8 ميغا | 55 نانو ثانية | بسرام | 512 كيلو × 16 | أبعادي | 55 نانو | |||
 | IS42S16800D-75EBL-TR | - | | 9882 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-ففبجا | IS42S16800 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-ميني بغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 2500 | 133 ميجا هرتز | متقلب | 128 ميجابت | 6.5 نانو ثانية | دير | 8 م × 16 | أبعادي | - | ||
 | IS43DR16640B-3DBLI | 8.9400 | | 209 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | ليس للتصاميم الجديدة | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 84-تبجا | IS43DR16640 | سدرام - DDR2 | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 84-TWBGA (8x12.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-1277 | إير99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 1 جيجابت | 450 ريال | دير | 64 م × 16 | أبعادي | 15ns | |
| IS25LP256E-RMLE | - | | 1856 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 16-سويك (0.295 بوصة، عرض 7.50 ملم) | فلاش - ولا | 2.3 فولت ~ 3.6 فولت | 16-سويك | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-IS25LP256E-RMLE | عفا عليه الزمن | 1 | 166 ميجا هرتز | غير متطايرة | 256 ميجابت | فلاش | 32 م × 8 | SPI - مدخل/مخرج رباعي، QPI، DTR | 50 ثانية، 1 مللي ثانية | ||||
| IS42SM16160K-75BLI | 5.6950 | | 8297 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-تبجا | IS42SM16160 | سدرام - موبايل | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 54-تبجا (8x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 348 | 133 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 6 نانو ثانية | دير | 16 م × 16 | أبعادي | - | ||
| IS42S83200G-6TLI | 7.1841 | | 8338 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | ليس للتصاميم الجديدة | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S83200 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 32 م × 8 | أبعادي | - | ||
 | IS43LD16128C-18BLI-TR | 9.8250 | | 4995 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 134-تبجا | SDRAM - LPDDR2-S4 المحمول | 1.14 فولت ~ 1.3 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 134-تبجا (10x11.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-IS43LD16128C-18BLI-TR | 2000 | 533 ميجا هرتز | متقلب | 2 جيجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 128 م × 16 | HSUL_12 | 15ns | ||||
| IS61WV20488BLL-10MLI | 22.9500 | | 812 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 48-تبجا | IS61WV20488 | SRAM - غير متزامن | 2.4 فولت ~ 3.6 فولت | 48 ميني بغا (9x11) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | متقلب | 16 ميغا | 10 نانو ثانية | سرام | 2 م × 8 | أبعادي | 10ns | |||
 | IS49NLC36160-33BL | - | | 8886 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 144-تبجا | IS49NLC36160 | رلدرام 2 | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 144-FCBGA (11x18.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 ميجا هرتز | متقلب | 576 ميجابت | 20 نانو ثانية | دير | 16 م × 36 | أبعادي | - | ||
 | IS61NLP51236-200TQLI | - | | 6503 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 100-LQFP | IS61NLP51236 | SRAM - متزامن، إزالة الحقوق الخاصة | 3.135 فولت ~ 3.465 فولت | 100-LQFP (14x20) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | 3.1 نانو ثانية | سرام | 512 كيلو × 36 | أبعادي | - | ||
| IS42VM32400G-6BL | - | | 7811 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | توقف في SIC | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS42VM32400 | سدرام - موبايل | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 128 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 4 م × 32 | أبعادي | - | ||
 | IS25LQ016-JNLE | - | | 6488 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | حجم كبير | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | IS25LQ016 | فلاش - ولا | 2.3 فولت ~ 3.6 فولت | 8-سويك | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 ميجا هرتز | غير متطايرة | 16 ميغا | فلاش | 2 م × 8 | SPI-مدخل/مخرج رباعي | 2 مللي ثانية | |||
 | IS61LV25616AL-10LQI-TR | - | | 6057 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 44-LQFP | IS61LV25616 | SRAM - غير متزامن | 3.135 فولت ~ 3.6 فولت | 44-LQFP (10x10) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1500 | متقلب | 4 ميجابت | 10 نانو ثانية | سرام | 256 كيلو × 16 | أبعادي | 10ns | |||
| IS46TR16256BL-125KBLA1 | 8.5453 | | 5407 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | IS46TR16256 | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 96-TWBGA (9x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-IS46TR16256BL-125KBLA1 | إير99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 256 م × 16 | أبعادي | 15ns | |
| IS42S16800F-6BI | - | | 1524 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-تبجا | IS42S16800 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-تبجا (8x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 128 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 8 م × 16 | أبعادي | - | ||
| IS43TR82560DL-107MBL | 4.7419 | | 7226 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | حجم كبير | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 78-TWBGA (8x10.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS43TR82560DL-107MBL | 242 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 2 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 256 م × 8 | أبعادي | 15ns | |||||
 | IS25LQ010B-جول | - | | 2503 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-وسادة رياضية UFDFN | IS25LQ010 | فلاش - ولا | 2.3 فولت ~ 3.6 فولت | 8-USON (2x3) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-IS25LQ010B-جوليتر | إير99 | 8542.32.0071 | 5000 | 104 ميجا هرتز | غير متطايرة | 1 ميجابت | 8 نانو ثانية | فلاش | 128 كيلو × 8 | SPI-مدخل/مخرج رباعي | 800 ثانية | |
| IS25WP512M-RMLE-TR | 6.9993 | | 8481 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 16-سويك (0.295 بوصة، عرض 7.50 ملم) | فلاش - ولا (SLC) | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 16-سويك | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS25WP512M-RMLE-TR | 1000 | 112 ميجا هرتز | غير متطايرة | 512 ميجابت | فلاش | 64 م × 8 | SPI - مدخل/مخرج رباعي، QPI، DTR | 50 ثانية، 1 مللي ثانية |
2000+
المتوسط اليومي لحجم طلب عرض الأسعار
30,000,000
وحدة المنتج القياسية
2800+
الشركات المصنعة في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الرغبات (0 عناصر)