- طلب عرض الأسعار
- بوم
- اتصل بنا
هاتف: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- تركي
- ايطالي
- دانماركي
- روماني
- الاندونيسية
- التشيكية
- الأفريكانية
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- الكاتالونية
- الاسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- الأمهرية
- الأرمينية
- أذربيجاني
- البيلاروسية
- البنغالية
- البوسنية
- البلغارية
- السيبيونو
- تشيشيوا
- كورسيكية
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- الفريزية
- الجاليكية
- الجورجية
- الغوجاراتية
- هايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجرية
- الأيسلندية
- الإيغبو
- الجاوية
- الكانادا
- الكازاخستانية
- الخمير
- كردي
- قيرغيزستان
- اللاتينية
- لاتفيا
- الليتوانية
- لوكسمبو..
- المقدونية
- مدغشقر
- لغة الملايو
- المالايالامية
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولية
- البورمية
- النيبالية
- النرويجية
- الباشتو
- الفارسية
- البنجابية
- الصربية
- سيسوتو
- السنهالية
- السلوفاكية
- السلوفينية
- الصومالية
- ساموا
- الغيلية الاسكتلندية
- شونا
- السندية
- السودانية
- السواحلية
- الطاجيكية
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- الأوزبكية
- الفيتنامية
- الويلزية
- خوسا
- اليديشية
- اليوروبا
- الزولو
- الكينيارواندية
- التتار
- أوريا
- التركمان
- الأويغور
الدائرة المتكاملة (ICs)(5782)
| صورة | رقم المنتج | التسعير (بالدولار الأمريكي) | كمية | إكاد | المتاحة | الوزن (كجم) | MFR | مسلسل | طَرد | حالة المنتج | درجة حرارة التشغيل | نوع التركيب | الحزمة / القضية | رقم المنتج الأساسي | تكنولوجيا | الجهد - العرض | حزمة جهاز المورد | ورقة بيانات البيانات | حالة بنفايات | مستوى الرطوبة (MSL) | الوصول إلى الحالة | أسماء أخرى | ECCN | هتسسوس | الحزمة القياسية | تردد الساعة | نوع الذاكرة | حجم الذاكرة | وقت الوصول | تنسيق الذاكرة | منظمة الذاكرة | واجهة الذاكرة | كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS62WV5128BLL-55TLI-TR | 3.3915 |  | 7513 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 32-TFSOP (0.724 بوصة، عرض 18.40 ملم) | IS62WV5128 | SRAM - غير متزامن | 2.5 فولت ~ 3.6 فولت | 32-TSOP I | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1500 | متقلب | 4 ميجابت | 55 نانو ثانية | سرام | 512 كيلو × 8 | أبعادي | 55 نانو | |||
 | IS25WP512M-RHLA3 | 8.1825 | | 9902 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | حجم كبير | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 24-TBGA | فلاش - ولا (SLC) | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 24-TFBGA (6x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS25WP512M-RHLA3 | 480 | 112 ميجا هرتز | غير متطايرة | 512 ميجابت | 7.5 نانو ثانية | فلاش | 64 م × 8 | SPI - مدخل/مخرج رباعي، QPI، DTR | 50 ثانية، 1 مللي ثانية | |||||
 | IS42S32400E-7BL | - | | 2551 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS42S32400 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 128 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 4 م × 32 | أبعادي | - | ||
| IS25WP064D-JBLE | 1.3626 | | 2143 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | حجم كبير | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-سويك (0.209 بوصة، عرض 5.30 ملم) | فلاش - ولا (SLC) | 1.65 فولت ~ 1.95 فولت | 8-سويك | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS25WP064D-JBLE | 90 | 166 ميجا هرتز | غير متطايرة | 64 ميجابت | فلاش | 8 م × 8 | SPI - مدخل/مخرج رباعي، QPI، DTR | 40 ثانية، 800 ثانية | ||||||
| IS42RM32160E-75BLI | 10.7025 | | 4408 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | IS42RM32160 | سدرام - موبايل | 2.3 فولت ~ 3 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 6 نانو ثانية | دير | 16 م × 32 | أبعادي | - | ||
 | IS49RL18320-125EBLI | - | | 9900 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 168-إل بي جي ايه | IS49RL18320 | دير | 1.28 فولت ~ 1.42 فولت | 168-إف بي جي إيه (13.5 × 13.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0032 | 119 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 576 ميجابت | 10 نانو ثانية | دير | 32 م × 18 | أبعادي | - | ||
 | IS42S16160D-75EBL-TR | - | | 2800 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-تبجا | IS42S16160 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-TW-BGA (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 2500 | 133 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 16 م × 16 | أبعادي | - | ||
 | IS61NLF51236B-7.5TQLI-TR | - | | 7656 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 100-LQFP | IS61NLF51236 | SRAM - متزامن، إزالة الحقوق الخاصة | 3.135 فولت ~ 3.465 فولت | 100-LQFP (14x20) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | 7.5 نانو ثانية | سرام | 512 كيلو × 36 | أبعادي | - | ||
| IS61NLP25618A-200TQLI-TR | 7.5837 | | 7460 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 100-LQFP | IS61NLP25618 | SRAM - متزامن، إزالة الحقوق الخاصة | 3.135 فولت ~ 3.465 فولت | 100-LQFP (14x20) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 ميجا هرتز | متقلب | 4.5 ميجابت | 3.1 نانو ثانية | سرام | 256 كيلو × 18 | أبعادي | - | ||
 | IS43DR16160A-3DBI | - | | 1226 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 84-تبجا | IS43DR16160 | سدرام - DDR2 | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 84-TWBGA (8x12.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 209 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 450 ريال | دير | 16 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
 | IS62WV2568BLL-55HLI-TR | 1.8198 | | 8394 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 32-TFSOP (0.465 بوصة، عرض 11.80 ملم) | IS62WV2568 | SRAM - غير متزامن | 2.5 فولت ~ 3.6 فولت | 32-sTSOP I | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 | متقلب | 2 ميغا | 55 نانو ثانية | سرام | 256 كيلو × 8 | أبعادي | 55 نانو | |||
 | IS42S32200L-7TL | 3.4900 | | 13 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 86-TFSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S32200 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 86-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-1271 | إير99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 64 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 2 م × 32 | أبعادي | - | |
 | IS43R16160D-6TLI-TR | 3.5735 | | 2990 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | ليس للتصاميم الجديدة | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 66-TSSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت | 66-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 1500 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 700 ريال | دير | 16 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
 | IS66WVO16M8DALL-200BLI | 5.3800 | | 90 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 24-TBGA | IS66WVO16M8 | PSRAM (SRAM الزائفة) | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 24-TFBGA (6x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-IS66WVO16M8DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 ميجا هرتز | متقلب | 128 ميجابت | بسرام | 16 م × 8 | SPI-أوكتال الإدخال/الإخراج | 40ns | ||
 | IS42S16400J-7TL | 1.8300 | | 7 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S16400 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 64 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 4 م × 16 | أبعادي | - | ||
 | IS61LF102418A-6.5B3I | - | | 8681 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 165-TBGA | IS61LF102418 | SRAM - متزامن، إزالة الحقوق الخاصة | 3.135 فولت ~ 3.465 فولت | 165-TFBGA (13x15) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | 6.5 نانو ثانية | سرام | 1 م × 18 | أبعادي | - | ||
| IS45S32400B-7TLA1 | - | | 5176 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 86-TFSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS45S32400 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 86-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 128 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 4 م × 32 | أبعادي | - | ||
 | IS42SM16160K-75BLI-TR | 5.0239 | | 2185 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-تبجا | IS42SM16160 | سدرام - موبايل | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | 54-تبجا (8x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 2500 | 133 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 6 نانو ثانية | دير | 16 م × 16 | أبعادي | - | ||
| IS46TR16512BL-107MBLA1-TR | 22.7164 | | 3531 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 96-TWBGA (10x14) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS46TR16512BL-107MBLA1-TR | 2000 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 512 م × 16 | أبعادي | 15ns | |||||
 | IS46TR85120A-125KBLA2-TR | - | | 1516 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | IS46TR85120 | سدرام - DDR3 | 1.425 فولت ~ 1.575 فولت | 78-TWBGA (9x10.5) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 706-IS46TR85120A-125KBLA2-TR | إير99 | 8542.32.0036 | 2000 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 512 م × 8 | أبعادي | 15ns | |
| IS42S16160D-7TLI-TR | - | | 3533 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS42S16160 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 1500 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 16 م × 16 | أبعادي | - | ||
| IS45S16800F-7BLA2-TR | 5.7000 | | 7288 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-تبجا | IS45S16800 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-تبجا (8x8) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0002 | 2500 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 128 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 8 م × 16 | أبعادي | - | ||
 | IS62WV51216EBLL-45TLI | 6.1500 | | 610 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 44-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS62WV51216 | SRAM - غير متزامن | 2.2 فولت ~ 3.6 فولت | 44-TSOP الثاني | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | متقلب | 8 ميغا | 45 نانو ثانية | سرام | 512 كيلو × 16 | أبعادي | 45ns | |||
| IS45S32800J-7TLA1-TR | 7.0792 | | 5130 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 86-TFSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS45S32800 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 86-TSOP II | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1500 | 143 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.4 نانو ثانية | دير | 32 م × 8 | أبعادي | - | ||
| IS46TR16128DL-107MBLA2 | 7.1594 | | 6330 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | السيارة، AEC-Q100 | حجم كبير | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 96-TWBGA (9x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS46TR16128DL-107MBLA2 | 190 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 2 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 128 م × 16 | أبعادي | 15ns | |||||
 | IS42VM16160D-8BLI-TR | - | | 3587 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | توقف في SIC | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-تبجا | IS42VM16160 | سدرام - موبايل | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 54-تبجا (8×13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 2500 | 125 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 6 نانو ثانية | دير | 16 م × 16 | أبعادي | - | ||
| IS64WV12816DBLL-12CTLA3 | 6.7223 | | 4615 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 44-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | IS64WV12816 | SRAM - غير متزامن | 2.4 فولت ~ 3.6 فولت | 44-TSOP الثاني | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | متقلب | 2 ميغا | 12 نانو ثانية | سرام | 128 كيلو × 16 | أبعادي | 12ns | |||
| IS43LR32800H-6BL | 5.0865 | | 9645 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | حجم كبير | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-تبجا | SDRAM - LPDDR المحمول | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 90-تفبغا (8x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 706-IS43LR32800H-6BL | 240 | 166 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 8 م × 32 | LVCMOS | 15ns | |||||
 | IS42S32160B-75BL-TR | - | | 6147 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 90-LFBGA | IS42S32160 | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 90-LFBGA (13x11) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0024 | 2500 | 133 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 5.5 نانو ثانية | دير | 16 م × 32 | أبعادي | - | ||
 | IS25LQ010A-JNLE-TR | - | | 8768 | 0.00000000 | ISSI، شركة حلول السيليكون المتكاملة | - | الشريط والبكرة (TR) | توقف في SIC | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | IS25LQ010 | فلاش - ولا | 2.3 فولت ~ 3.6 فولت | 8-سويك | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.32.0071 | 3000 | 80 ميجا هرتز | غير متطايرة | 1 ميجابت | فلاش | 128 كيلو × 8 | SPI-مدخل/مخرج رباعي | 400 ثانية |
2000+
المتوسط اليومي لحجم طلب عرض الأسعار
30,000,000
وحدة المنتج القياسية
2800+
الشركات المصنعة في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الرغبات (0 عناصر)