- طلب عرض الأسعار
- بوم
- اتصل بنا
هاتف: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- تركي
- ايطالي
- دانماركي
- روماني
- الاندونيسية
- التشيكية
- الأفريكانية
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- الكاتالونية
- الاسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- الأمهرية
- الأرمينية
- أذربيجاني
- البيلاروسية
- البنغالية
- البوسنية
- البلغارية
- السيبيونو
- تشيشيوا
- الكورسيكية
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- الفريزية
- الجاليكية
- الجورجية
- الغوجاراتية
- هايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجرية
- الأيسلندية
- الإيغبو
- الجاوية
- الكانادا
- الكازاخستانية
- الخمير
- كردي
- قيرغيزستان
- اللاتينية
- لاتفيا
- الليتوانية
- لوكسمبو..
- المقدونية
- مدغشقر
- لغة الملايو
- المالايالامية
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولية
- البورمية
- النيبالية
- النرويجية
- الباشتو
- الفارسية
- البنجابية
- الصربية
- سيسوتو
- السنهالية
- السلوفاكية
- السلوفينية
- الصومالية
- ساموا
- الغيلية الاسكتلندية
- شونا
- السندية
- السودانية
- السواحلية
- الطاجيكية
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- الأوزبكية
- الفيتنامية
- الويلزية
- خوسا
- اليديشية
- اليوروبا
- الزولو
- الكينيارواندية
- التتار
- أوريا
- التركمان
- الأويغور
إدارة الطاقة (PMIC)(311)
| صورة | رقم المنتج | التسعير (بالدولار الأمريكي) | كمية | إكاد | المتاحة | الوزن (كجم) | MFR | مسلسل | طَرد | حالة المنتج | درجة حرارة التشغيل | التطبيقات | نوع التركيب | الحزمة / القضية | سمات | رقم المنتج الأساسي | نوع الإدخال | الجهد - الإدخال | نوع المنتج | سيك للبرمجة | النسبة - الإدخال: المنتج | الجهد - العرض | حزمة جهاز المورد | ورقة بيانات البيانات | حالة بنفايات | مستوى الرطوبة (MSL) | الوصول إلى الحالة | أسماء أخرى | ECCN | هتسسوس | الحزمة القياسية | وظيفة | الجهد الكهربي - العرض (Vcc/Vdd) | واجهة | عدد النواتج | نوع القناة | الحماية لسبب | الموافقة المسبقة عن علم | طريقة الاستشعار | غير محدود | الحالي - المنتج | طرق على (الطباعه) | الجهد - الحمل | ومدفوع | عدد السائقين | نوع البوابة | الجهد مرة أخرى - VIL، VIH | تغير - الخرج (المصدر، المغسلة) | وقت/الخسارةالسقوط (الطباعة) | الجهد العالي العلوي - الحد الأقصى (Bootstrap) | الجهد - المنتج | نوع التبديل | المنتج الحالي (الحد الأقصى) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXCY40M35A | - |  | 9359 | 0.00000000 | IXYS | التاسع ج | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية | جبل السطح | TO-252-3، DPak (2 خيوط + علامة تعرق)، SC-63 | IXCY40 | - | TO-252AA | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 50 | المنظم الحالي | - | - | 40 مللي أمبير | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDN504SIA | - | | 1957 | 0.00000000 | IXYS | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | IXDN504 | غير مقلوب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 30 فولت | 8-سويك | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 94 | غير ذلك | انخفاض | 2 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 3 فولت | 4 أ، 4 أ | 9 نانو، 8 نانو ثانية | |||||||||||||||||||||||
 | IXDE509D1 | - | | 8413 | 0.00000000 | IXYS | - | صندوق | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 6-لوحة VDFN الاشتراكية | IXDE509 | قلب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 30 فولت | 6-DFN (4x5) | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 56 | أعزب | انخفاض | 1 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 2.4 فولت | 9 أ، 9 أ | 25 نانو، 23 نانو ثانية | |||||||||||||||||||||||
| IXDN504D1T/ر | - | | 4161 | 0.00000000 | IXYS | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 6-لوحة VDFN الاشتراكية | IXDN504 | غير مقلوب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 30 فولت | 6-DFN (4x5) | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 2500 | غير ذلك | انخفاض | 2 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 3 فولت | 4 أ، 4 أ | 9 نانو، 8 نانو ثانية | |||||||||||||||||||||||
 | IXDI404PI | - | | 2250 | 0.00000000 | IXYS | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | من خلال هول | 8-DIP (0.300 بوصة، 7.62 ملم) | IXDI404 | قلب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 35 فولت | 8-منغصات | تحميل | غير محتمل | الوصول إلى غير متأثر | IXDI404PI-NDR | إير99 | 8542.39.0001 | 50 | غير ذلك | انخفاض | 2 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 2.5 فولت | 4 أ، 4 أ | 16 ن، 13 ن | ||||||||||||||||||||||
 | IXCP50M35 | - | | 9041 | 0.00000000 | IXYS | التاسع ج | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية | من خلال هول | TO-220-3 | IXCP50 | - | TO-220-3 | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 50 | المنظم الحالي | - | - | 50 مللي أمبير | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MX879RTR | - | | 6632 | 0.00000000 | IXYS | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 28- VFQFN وسادة المكشوفة | - | MX879 | - | - | 1:1 | 28-QFN (5x5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 2000 | 2.7 فولت ~ 5.5 فولت | SPI، الموازي | 8 | - | - | 7 أوم | 6 فولت ~ 60 فولت | الحصاد العام | 150 مللي أمبير | |||||||||||||||||||
| IXDI409SIA | - | | 4846 | 0.00000000 | IXYS | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | IXDI409 | قلب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 35 فولت | 8-سويك | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 94 | أعزب | انخفاض | 1 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 3.5 فولت | 9 أ، 9 أ | 10 نانو، 10 نانو ثانية | |||||||||||||||||||||||
| IXCY40M45A | - | | 2349 | 0.00000000 | IXYS | التاسع ج | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية | جبل السطح | TO-252-3، DPak (2 خيوط + علامة تعرق)، SC-63 | IXCY40 | - | TO-252AA | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 50 | المنظم الحالي | - | - | 40 مللي أمبير | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXDR502D1B | - | | 5357 | 0.00000000 | IXYS | - | صندوق | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 6-لوحة VDFN الاشتراكية | - | IXDR502 | قلب | - | 1:1 | 6-DFN (4x5) | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 121 | غير مطلوب | / إيقاف | 1 | - | انخفاض | 3 أوم | 4.5 فولت ~ 25 فولت | الحصاد العام | 500 مللي أمبير | ||||||||||||||||||||
 | IXDD509D1 | - | | 3537 | 0.00000000 | IXYS | - | حجم كبير | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 6-لوحة VDFN الاشتراكية | IXDD509 | غير مقلوب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 30 فولت | 6-DFN (4x5) | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 56 | أعزب | انخفاض | 1 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 2.4 فولت | 9 أ، 9 أ | 25 نانو، 23 نانو ثانية | |||||||||||||||||||||||
| IXDN502SIAT/ر | - | | 5962 | 0.00000000 | IXYS | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | IXDN502 | غير مقلوب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 30 فولت | 8-سويك | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 2500 | غير ذلك | انخفاض | 2 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 3 فولت | 2 أ، 2 أ | 7.5 نانو، 6.5 نانو ثانية | |||||||||||||||||||||||
| IXDI402PI | - | | 4886 | 0.00000000 | IXYS | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | من خلال هول | 8-DIP (0.300 بوصة، 7.62 ملم) | IXDI402 | قلب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 35 فولت | 8-منغصات | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 50 | غير ذلك | انخفاض | 2 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 3 فولت | 2 أ، 2 أ | 8 نانوثانية، 8 نانوثانية | |||||||||||||||||||||||
| IXCP02M35 | - | | 7073 | 0.00000000 | IXYS | التاسع ج | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية | من خلال هول | TO-220-3 | IXCP02 | - | TO-220-3 | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 50 | المنظم الحالي | - | - | 2 مللي أمبير | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXDF402PI | - | | 2990 | 0.00000000 | IXYS | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | من خلال هول | 8-DIP (0.300 بوصة، 7.62 ملم) | IXDF402 | عكس، غير قلب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 35 فولت | 8-منغصات | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 50 | غير ذلك | انخفاض | 2 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 3 فولت | 2 أ، 2 أ | 8 نانوثانية، 8 نانوثانية | |||||||||||||||||||||||
| IXDE514D1T/ر | - | | 8047 | 0.00000000 | IXYS | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 6-لوحة VDFN الاشتراكية | IXDE514 | قلب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 30 فولت | 6-DFN (4x5) | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 1000 | أعزب | انخفاض | 1 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 1 فولت، 2.5 فولت | 14 أ، 14 أ | 25 نانو، 22 نانو ثانية | |||||||||||||||||||||||
| IXS839S1 | - | | 6678 | 0.00000000 | IXYS | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | IXS839 | غير مقلوب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 5.5 فولت | 8-سويك | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 98 | متزامن | نصف الباب | 2 | N-قناة MOSFET | 0.8 فولت، 2 فولت | 2 أ، 4 أ | 20 نانو، 15 نانو ثانية | 24 حارسا | ||||||||||||||||||||||
| IXA611M6 | - | | 2045 | 0.00000000 | IXYS | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 16-VDFN لوحة اشتراكية | IXA611 | غير مقلوب | لم يتم التحقق منها | 10 فولت ~ 35 فولت | 16-MLP (7x6) | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 3000 | غير ذلك | نصف الباب | 2 | IGBT، قناة N MOSFET | 6 فولت، 7 فولت | 600 مللي أمبير، 600 مللي أمبير | 23 ن، 22 ن | 650 فولت | ||||||||||||||||||||||
 | IX2B11S7T/ر | - | | 6433 | 0.00000000 | IXYS | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | - | جبل السطح | 14-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | التاسع2ب11 | - | لم يتم التحقق منها | - | 14-سويك | - | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 2500 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| IXCP50M45 | - | | 2471 | 0.00000000 | IXYS | التاسع ج | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية | من خلال هول | TO-220-3 | IXCP50 | - | TO-220-3 | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 50 | المنظم الحالي | - | - | 50 مللي أمبير | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXDD408CI | - | | 3719 | 0.00000000 | IXYS | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | من خلال هول | TO-220-5 | IXDD408 | غير مقلوب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 25 فولت | TO-220-5 | تحميل | غير محتمل | الوصول إلى غير متأثر | IXDD408CI-NDR | إير99 | 8542.39.0001 | 50 | أعزب | انخفاض | 1 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 3.5 فولت | 8 أ، 8 أ | 14 نانو، 15 نانو ثانية | ||||||||||||||||||||||
| IXI859S1 | - | | 4603 | 0.00000000 | IXYS | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -25 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية | محول، تطبيق خارج الخط يعتمد على وحدة التحكم الدقيقة | جبل السطح | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | IXI859 | 8.2 فولت ~ 17 فولت | 8-سويك | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 100 | 1 | 3.3 فولت | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXCY30M45 | - | | 1909 | 0.00000000 | IXYS | التاسع ج | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية | جبل السطح | TO-252-3، DPak (2 خيوط + علامة تعرق)، SC-63 | IXCY30 | - | TO-252AA | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 50 | المنظم الحالي | - | - | 30 مللي أمبير | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXI848AS1T/R | - | | 9036 | 0.00000000 | IXYS | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية | جبل السطح | 8-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | IXI848 | 2.7 فولت ~ 60 فولت | 8-سويك | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 2500 | عداد الحالي | عالية الجانب | ±0.7% | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| التاسع4R11P7 | - | | 6154 | 0.00000000 | IXYS | - | صندوق | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | من خلال هول | 14-DIP (0.300 بوصة، 7.62 ملم) | التاسع4R11 | غير مقلوب | لم يتم التحقق منها | 10 فولت ~ 35 فولت | 14-بي دي آي بي | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 225 | غير ذلك | نصف الباب | 2 | IGBT، قناة N MOSFET | 6 فولت، 7 فولت | 4 أ، 4 أ | 23 ن، 22 ن | 650 فولت | ||||||||||||||||||||||
| التاسع2B11P7 | - | | 2720 | 0.00000000 | IXYS | - | صندوق | عفا عليه الزمن | - | من خلال هول | 14-DIP (0.300 بوصة، 7.62 ملم) | التاسع2ب11 | - | لم يتم التحقق منها | - | 14-بي دي آي بي | - | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 275 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| IX2R11P7 | - | | 9784 | 0.00000000 | IXYS | - | صندوق | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | من خلال هول | 14-DIP (0.300 بوصة، 7.62 ملم) | التاسع2R11 | غير مقلوب | لم يتم التحقق منها | 10 فولت ~ 35 فولت | 14-بي دي آي بي | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 275 | غير ذلك | نصف الباب | 2 | IGBT، قناة N MOSFET | 6 فولت، 9.6 فولت | 2 أ، 2 أ | 8 نانو، 7 نانو ثانية | 500 فولت | ||||||||||||||||||||||
| IXDN504D1 | - | | 6441 | 0.00000000 | IXYS | - | صندوق | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 6-لوحة VDFN الاشتراكية | IXDN504 | غير مقلوب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 30 فولت | 6-DFN (4x5) | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 56 | غير ذلك | انخفاض | 2 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 3 فولت | 4 أ، 4 أ | 9 نانو، 8 نانو ثانية | |||||||||||||||||||||||
| IX2D11S7T/ر | - | | 5077 | 0.00000000 | IXYS | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | - | جبل السطح | 14-سويك (0.154 بوصة، عرض 3.90 ملم) | التاسع2د11 | - | لم يتم التحقق منها | - | 14-سويك | - | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | إير99 | 8542.39.0001 | 2500 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
 | IXDF404SI-16 | - | | 1736 | 0.00000000 | IXYS | - | أنبوب | عفا عليه الزمن | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 16-سويك (0.295 بوصة، عرض 7.50 ملم) | IXDF404 | عكس، غير قلب | لم يتم التحقق منها | 4.5 فولت ~ 35 فولت | 16-سويك | تحميل | 1 (غير محدود) | الوصول إلى غير متأثر | IXDF404SI-16-NDR | إير99 | 8542.39.0001 | 47 | غير ذلك | انخفاض | 2 | IGBT، قناة N، قناة P MOSFET | 0.8 فولت، 2.5 فولت | 4 أ، 4 أ | 16 ن، 13 ن |
2000+
المتوسط اليومي لحجم طلب عرض الأسعار
30,000,000
وحدة المنتج القياسية
2800+
الشركات المصنعة في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الرغبات (0 العناصر)