- طلب عرض الأسعار
- بوم
- اتصل بنا
هاتف: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- تركي
- ايطالي
- دانماركي
- روماني
- الاندونيسية
- التشيكية
- الأفريكانية
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- الكاتالونية
- الاسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- الأمهرية
- الأرمينية
- أذربيجاني
- البيلاروسية
- البنغالية
- البوسنية
- البلغارية
- السيبيونو
- تشيشيوا
- كورسيكية
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- الفريزية
- الجاليكية
- الجورجية
- الغوجاراتية
- هايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجرية
- الأيسلندية
- الإيغبو
- الجاوية
- الكانادا
- الكازاخستانية
- الخمير
- كردي
- قيرغيزستان
- اللاتينية
- لاتفيا
- الليتوانية
- لوكسمبو..
- المقدونية
- مدغشقر
- لغة الملايو
- المالايالامية
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولية
- البورمية
- النيبالية
- النرويجية
- الباشتو
- الفارسية
- البنجابية
- الصربية
- سيسوتو
- السنهالية
- السلوفاكية
- السلوفينية
- الصومالية
- ساموا
- الغيلية الاسكتلندية
- شونا
- السندية
- السودانية
- السواحلية
- الطاجيكية
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- الأوزبكية
- الفيتنامية
- الويلزية
- خوسا
- اليديشية
- اليوروبا
- الزولو
- الكينيارواندية
- التتار
- أوريا
- التركمان
- الأويغور
الذاكرة(250)
| صورة | رقم المنتج | التسعير (بالدولار الأمريكي) | كمية | إكاد | المتاحة | الوزن (كجم) | MFR | مسلسل | طَرد | حالة المنتج | درجة حرارة التشغيل | نوع التركيب | الحزمة / القضية | رقم المنتج الأساسي | تكنولوجيا | الجهد - العرض | حزمة جهاز المورد | ورقة بيانات البيانات | حالة بنفايات | مستوى الرطوبة (MSL) | الوصول إلى الحالة | أسماء أخرى | ECCN | هتسسوس | الحزمة القياسية | تردد الساعة | نوع الذاكرة | حجم الذاكرة | تنسيق الذاكرة | منظمة الذاكرة | واجهة الذاكرة | كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GS8161Z18DGD-333I | 38.9500 |  | 18 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8161Z18 | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 165-FPBGA (13x15) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8161Z18DGD-333I | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 36 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | سرام | 1 م × 18 | أبعادي | - | |
 | GS81302TT37GE-450I | 243.5230 | | 5983 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS81302TT37 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81302TT37GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS82582DT19GE-450I | 465.0000 | | 4686 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS82582DT19 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS82582DT19GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450 ميجا هرتز | متقلب | 288 ميجابت | سرام | 16 م × 18 | أبعادي | - | |
 | GS8662D18BGD-350I | 146.0353 | | 2961 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8662D | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8662D18BGD-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 350 ميجا هرتز | متقلب | 72 ميجابت | سرام | 4 م × 18 | أبعادي | - | |
 | GS81314LD36GK-133I | 664.5000 | | 6006 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 260-بغا | GS81314LD36 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.2 فولت ~ 1.35 فولت | 260-بيغا (22x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81314LD36GK-133I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 1.333 جيجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS816218DGD-250I | 22.3772 | | 1842 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS816218 | SRAM - متزامن، قياسي | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS816218DGD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | سرام | 1 م × 18 | أبعادي | - | |
 | GS840Z36CGT-250I | 10.4100 | | 24 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 100-LQFP | GS840Z | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 100-TQFP (20x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS840Z36CGT-250I | إير99 | 8542.32.0041 | 72 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 4 ميجابت | سرام | 128 كيلو × 36 | أبعادي | - | |
| GS8342DT38BGD-500I | 67.2980 | | 6124 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8342D | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8342DT38BGD-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 500 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | سرام | 1 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS8342Q36BGD-357I | 70.7400 | | 18 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8342Q | SRAM - منفذ رباعي، متزامن، QDR II | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (13x15) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8342Q36BGD-357I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 357 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | سرام | 1 م × 36 | أبعادي | - | |
 | GS8322Z36AGB-333I | 74.8700 | | 18 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 119-بغا | GS8322Z | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 119-FPBGA (22x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8322Z36AGB-333I | إير99 | 8542.32.0041 | 14 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | سرام | 1 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS8182T37BGD-400I | 38.2644 | | 1195 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8182T37 | سرام - متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8182T37BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 400 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | سرام | 512 كيلو × 36 | أبعادي | - | |
| GS816018DGT-333I | 38.9400 | | 36 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 100-LQFP | GS816018 | SRAM - متزامن، قياسي | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 100-TQFP (20x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS816018DGT-333I | إير99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | سرام | 1 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS8320Z18AGT-333I | 72.1400 | | 34 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 100-LQFP | GS8320Z | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 100-TQFP (20x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8320Z18AGT-333I | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 18 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | سرام | 2 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS82583EQ36GK-500I | 753.0000 | | 10 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 260-بغا | GS82583EQ36 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.25 فولت ~ 1.35 فولت | 260-بيغا (22x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS82583EQ36GK-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500 ميجا هرتز | متقلب | 288 ميجابت | سرام | 8 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS8640Z18GT-250I | 105.7100 | | 8749 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 100-LQFP | GS8640Z | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 100-TQFP (20x14) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8640Z18GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 72 ميجابت | سرام | 4 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS81284Z18GB-250I | 265.6800 | | 6603 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 119-بغا | GS81284Z18 | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 119-FPBGA (22x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81284Z18GB-250I | إير99 | 8542.32.0041 | 10 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 8 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS82564Z18GD-250I | 448.5000 | | 3894 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS82564Z18 | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS82564Z18GD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 288 ميجابت | سرام | 16 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS8128418GB-250I | 269.6500 | | 10 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 119-بغا | GS8128418 | SRAM - متزامن، قياسي | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 119-FPBGA (22x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8128418GB-250I | إير99 | 8542.32.0041 | 10 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 8 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS8342QT37BGD-333I | 67.2980 | | 6357 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8342Q | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8342QT37BGD-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | سرام | 1 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS81302DT38GE-500I | 243.6300 | | 9248 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS81302DT38 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81302DT38GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS8342TT20BGD-500I | 67.2980 | | 9959 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8342TT | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8342TT20BGD-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 500 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | سرام | 2 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS81302DT20GE-500I | 243.6300 | | 2764 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS81302DT20 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81302DT20GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 8 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS8160Z18DGT-250I | 22.0481 | | 5821 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 100-LQFP | GS8160Z18 | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 100-TQFP (20x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8160Z18DGT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | سرام | 1 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS81302Q37AGD-450I | 279.5000 | | 10 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS81302Q37 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن، QDR II+ | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (13x15) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81302Q37AGD-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS8256436GD-250I | 448.5000 | | 8648 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8256436 | SRAM - متزامن، قياسي | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8256436GD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 288 ميجابت | سرام | 8 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS81314LQ19GK-933I | 622.5000 | | 5 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 260-بغا | GS81314LQ19 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن، QDR IVe | 1.25 فولت ~ 1.35 فولت | 260-بيغا (22x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 4 (72 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81314LQ19GK-933I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 8 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS81282Z18GD-250I | 212.4680 | | 8306 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS81282Z18 | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81282Z18GD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 8 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS8342QT19BGD-333I | 67.2980 | | 8296 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8342Q | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8342QT19BGD-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | سرام | 2 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS8662T18BGD-350I | 146.0353 | | 9268 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8662T | SRAM - منفذ رباعي، متزامن، DDR II | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8662T18BGD-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 350 ميجا هرتز | متقلب | 72 ميجابت | سرام | 2 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS82582QT38GE-450I | 423.0000 | | 3604 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS82582QT38 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS82582QT38GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450 ميجا هرتز | متقلب | 288 ميجابت | سرام | 8 م × 36 | أبعادي | - |
2000+
المتوسط اليومي لحجم طلب عرض الأسعار
30,000,000
وحدة المنتج القياسية
2800+
الشركات المصنعة في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الرغبات (0 العناصر)