- طلب عرض الأسعار
- بوم
- اتصل بنا
هاتف: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- تركي
- ايطالي
- دانماركي
- روماني
- الاندونيسية
- التشيكية
- الأفريكانية
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- الكاتالونية
- الاسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- الأمهرية
- الأرمينية
- أذربيجاني
- البيلاروسية
- البنغالية
- البوسنية
- البلغارية
- السيبيونو
- تشيشيوا
- كورسيكية
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- الفريزية
- الجاليكية
- الجورجية
- الغوجاراتية
- هايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجرية
- الأيسلندية
- الإيغبو
- الجاوية
- الكانادا
- الكازاخستانية
- الخمير
- كردي
- قيرغيزستان
- اللاتينية
- لاتفيا
- الليتوانية
- لوكسمبو..
- المقدونية
- مدغشقر
- لغة الملايو
- المالايالامية
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولية
- البورمية
- النيبالية
- النرويجية
- الباشتو
- الفارسية
- البنجابية
- الصربية
- سيسوتو
- السنهالية
- السلوفاكية
- السلوفينية
- الصومالية
- ساموا
- الغيلية الاسكتلندية
- شونا
- السندية
- السودانية
- السواحلية
- الطاجيكية
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- الأوزبكية
- الفيتنامية
- الويلزية
- خوسا
- اليديشية
- اليوروبا
- الزولو
- الكينيارواندية
- التتار
- أوريا
- التركمان
- الأويغور
الذاكرة(250)
| صورة | رقم المنتج | التسعير (بالدولار الأمريكي) | كمية | إكاد | المتاحة | الوزن (كجم) | MFR | مسلسل | طَرد | حالة المنتج | درجة حرارة التشغيل | نوع التركيب | الحزمة / القضية | رقم المنتج الأساسي | تكنولوجيا | الجهد - العرض | حزمة جهاز المورد | ورقة بيانات البيانات | حالة بنفايات | مستوى الرطوبة (MSL) | الوصول إلى الحالة | أسماء أخرى | ECCN | هتسسوس | الحزمة القياسية | تردد الساعة | نوع الذاكرة | حجم الذاكرة | تنسيق الذاكرة | منظمة الذاكرة | واجهة الذاكرة | كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GS832136AGD-250I | 46.9467 |  | 5162 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS832136 | SRAM - متزامن، قياسي | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS832136AGD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | سرام | 1 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS8662QT19BGD-333I | 122.9187 | | 1247 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8662Q | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8662QT19BGD-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 72 ميجابت | سرام | 4 م × 18 | أبعادي | - | |
 | GS81302D20AGD-633I | 301.4400 | | 107 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS81302D20 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن، QDR II+ | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (13x15) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81302D20AGD-633I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 633 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 8 م × 18 | أبعادي | - | |
 | GS8640Z18GT-167IV | 142.3006 | | 1518 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 100-LQFP | GS8640Z | SRAM - متزامن، ZBT | 1.7 فولت ~ 2 فولت، 2.3 فولت ~ 2.7 فولت | 100-TQFP (20x14) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8640Z18GT-167IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 167 ميجا هرتز | متقلب | 72 ميجابت | سرام | 4 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS8128236GD-333I | 277.5900 | | 10 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8128236 | SRAM - متزامن، قياسي | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 165-FPBGA (13x15) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8128236GD-333I | إير99 | 8542.32.0041 | 10 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
 | GS82582TT19GE-450I | 465.0000 | | 2804 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS82582TT19 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS82582TT19GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450 ميجا هرتز | متقلب | 288 ميجابت | سرام | 16 م × 18 | أبعادي | - | |
 | GS81282Z36GB-200IV | 212.4680 | | 3352 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 119-بغا | GS81282Z36 | SRAM - متزامن، ZBT | 1.7 فولت ~ 2 فولت، 2.3 فولت ~ 2.7 فولت | 119-FPBGA (22x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81282Z36GB-200IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 200 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS82582TT37GE-450I | 465.0000 | | 7455 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS82582TT37 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS82582TT37GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450 ميجا هرتز | متقلب | 288 ميجابت | سرام | 8 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS81282Z36GD-250I | 212.4680 | | 5789 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS81282Z36 | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81282Z36GD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS816236DGD-250I | 22.3772 | | 6028 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS816236 | SRAM - متزامن، قياسي | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS816236DGD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | سرام | 512 كيلو × 36 | أبعادي | - | |
| GS81302D37AGD-450I | 279.5000 | | 39 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS81302D37 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن، QDR II+ | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (13x15) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81302D37AGD-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS81302QT37GE-300I | 220.9200 | | 1841 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS81302QT37 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81302QT37GE-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 300 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS832236AGD-333I | 74.8700 | | 18 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS832236 | SRAM - متزامن، قياسي | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 165-FPBGA (13x15) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS832236AGD-333I | إير99 | 8542.32.0041 | 18 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | سرام | 1 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS82582Q18GE-333I | 423.0000 | | 1702 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS82582Q18 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS82582Q18GE-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 288 ميجابت | سرام | 16 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS8342D18BGD-400I | 69.8600 | | 18 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8342D | SRAM - منفذ رباعي، متزامن، QDR II | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (13x15) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8342D18BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400 ميجا هرتز | متقلب | 36 ميجابت | سرام | 2 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS880Z36CGT-333I | 36.5900 | | 36 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 100-LQFP | GS880Z | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 100-TQFP (20x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS880Z36CGT-333I | إير99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 9 ميجابت | سرام | 256 كيلو × 36 | أبعادي | - | |
 | GS81314LQ37GK-933I | 622.5000 | | 5 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 260-بغا | GS81314LQ37 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن، QDR IVe | 1.25 فولت ~ 1.35 فولت | 260-بيغا (22x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81314LQ37GK-933I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS81282Z18GB-250I | 212.4680 | | 3871 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 119-بغا | GS81282Z18 | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 119-FPBGA (22x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81282Z18GB-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 8 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS81302T18GE-350I | 220.9200 | | 4549 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS81302T18 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن، DDR II | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81302T18GE-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 350 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 8 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS8640Z18GT-300I | 190.6200 | | 15 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 100-LQFP | GS8640Z | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 100-TQFP (20x14) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8640Z18GT-300I | إير99 | 8542.32.0041 | 18 | 300 ميجا هرتز | متقلب | 72 ميجابت | سرام | 4 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS816036DGT-333I | 38.9400 | | 36 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 100-LQFP | GS816036 | SRAM - متزامن، قياسي | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 100-TQFP (20x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS816036DGT-333I | إير99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | سرام | 512 كيلو × 36 | أبعادي | - | |
| GS81280Z36GT-250I | 212.4687 | | 6714 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 100-LQFP | GS81280Z36 | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 100-TQFP (20x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81280Z36GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS81313LD18GK-714I | 453.0000 | | 5 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 260-بغا | GS81313LD18 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن، QDR IIIe | 1.2 فولت ~ 1.35 فولت | 260-بيغا (22x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 4 (72 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81313LD18GK-714I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 714 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 8 م × 18 | أبعادي | - | |
| GS81302D36GE-350I | 220.9200 | | 5988 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS81302D36 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS81302D36GE-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 350 ميجا هرتز | متقلب | 144 ميجابت | سرام | 4 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS8182T19BGD-400I | 38.2644 | | 8553 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8182T19 | سرام - متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8182T19BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 400 ميجا هرتز | متقلب | 18 ميغا | سرام | 1 م × 18 | أبعادي | - | |
 | GS8642Z72GC-250I | 118.8214 | | 1022 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 209-LBGA | GS8642Z | SRAM - متزامن، ZBT | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت، 3 فولت ~ 3.6 فولت | 209-بغا (14x22) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8642Z72GC-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 14 | 250 ميجا هرتز | متقلب | 72 ميجابت | سرام | 1 م × 72 | أبعادي | - | |
| GS82582DT38GE-500I | 448.5000 | | 7343 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS82582DT38 | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x17) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS82582DT38GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500 ميجا هرتز | متقلب | 288 ميجابت | سرام | 8 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS864036GT-167IV | 142.3006 | | 9664 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 100-LQFP | GS864036 | SRAM - متزامن، قياسي | 1.7 فولت ~ 2 فولت، 2.3 فولت ~ 2.7 فولت | 100-TQFP (20x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS864036GT-167IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 167 ميجا هرتز | متقلب | 72 ميجابت | سرام | 2 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS8673ED36BGK-675I | 328.1075 | | 5230 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 260-بغا | GS8673ED | SRAM - منفذ رباعي، متزامن | 1.3 فولت ~ 1.4 فولت | 260-بيغا (22x14) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8673ED36BGK-675I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 8 | 675 ميجا هرتز | متقلب | 72 ميجابت | سرام | 2 م × 36 | أبعادي | - | |
| GS8662T36BGD-350I | 146.0353 | | 7186 | 0.00000000 | شركة جي اس اي تكنولوجي | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (تي جي) | جبل السطح | 165-إل بي جي ايه | GS8662T | SRAM - منفذ رباعي، متزامن، DDR II | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 165-FPBGA (15x13) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | الوصول إلى غير متأثر | 2364-GS8662T36BGD-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 350 ميجا هرتز | متقلب | 72 ميجابت | سرام | 4 م × 18 | أبعادي | - |
2000+
المتوسط اليومي لحجم طلب عرض الأسعار
30,000,000
وحدة المنتج القياسية
2800+
الشركات المصنعة في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الرغبات (0 العناصر)