- طلب عرض الأسعار
- بوم
- اتصل بنا
هاتف: +86-0755-83501315
بريد إلكتروني:sales@sic-components.com
- الصينية
- إنجليزي
- فرنسي
- الألمانية
- البرتغالية
- الأسبانية
- الروسية
- اليابانية
- كوري
- عربي
- الأيرلندية
- اليونانية
- تركي
- ايطالي
- دانماركي
- روماني
- الاندونيسية
- التشيكية
- الأفريكانية
- السويدية
- بولندي
- الباسك
- الكاتالونية
- الاسبرانتو
- الهندية
- لاو
- الألبانية
- الأمهرية
- الأرمينية
- أذربيجاني
- البيلاروسية
- البنغالية
- البوسنية
- البلغارية
- السيبيونو
- تشيشيوا
- الكورسيكية
- الكرواتية
- هولندي
- الإستونية
- فلبينية
- الفنلندية
- الفريزية
- الجاليكية
- الجورجية
- الغوجاراتية
- هايتي
- الهوسا
- هاواي
- العبرية
- همونغ
- المجرية
- الأيسلندية
- الإيغبو
- الجاوية
- الكانادا
- الكازاخستانية
- الخمير
- كردي
- قيرغيزستان
- اللاتينية
- لاتفيا
- الليتوانية
- لوكسمبو..
- المقدونية
- مدغشقر
- لغة الملايو
- المالايالامية
- المالطية
- الماوري
- المهاراتية
- المنغولية
- البورمية
- النيبالية
- النرويجية
- الباشتو
- الفارسية
- البنجابية
- الصربية
- سيسوتو
- السنهالية
- السلوفاكية
- السلوفينية
- الصومالية
- ساموا
- الغيلية الاسكتلندية
- شونا
- السندية
- السودانية
- السواحلية
- الطاجيكية
- التاميل
- التيلجو
- التايلاندية
- الأوكرانية
- الأردية
- الأوزبكية
- الفيتنامية
- الويلزية
- خوسا
- اليديشية
- اليوروبا
- الزولو
- الكينيارواندية
- التتار
- أوريا
- التركمان
- الأويغور
الذاكرة(364)
| صورة | رقم المنتج | التسعير (بالدولار الأمريكي) | كمية | إكاد | المتاحة | الوزن (كجم) | MFR | مسلسل | طَرد | حالة المنتج | درجة حرارة التشغيل | نوع التركيب | الحزمة / القضية | رقم المنتج الأساسي | تكنولوجيا | الجهد - العرض | حزمة جهاز المورد | ورقة بيانات البيانات | حالة بنفايات | مستوى الرطوبة (MSL) | الوصول إلى الحالة | أسماء أخرى | ECCN | هتسسوس | الحزمة القياسية | تردد الساعة | نوع الذاكرة | حجم الذاكرة | وقت الوصول | تنسيق الذاكرة | منظمة الذاكرة | واجهة الذاكرة | كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NDS36PT5-16AT تي آر | 3.2532 |  | 5673 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | * | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NDS36PT5-16ATTR | 1000 | |||||||||||||||||||
| NDL28PFR-8KIT | - | | 6555 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-ففبجا | NDL28 | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 78-إف بي جي إيه (7.5x10.5) | - | الوصول إلى غير متأثر | 1982-NDL28PFR-8KIT | إير99 | 8542.32.0036 | 210 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 2 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 256 م × 8 | أبعادي | 15ns | |||
| NDD36PT6-2AET تر | 2.3914 | | 1830 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | إن دي دي | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 66-TSSOP (0.400"، عرض 10.16 مم) | SDRAM - DDR | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت | 66-TSOP الثاني | - | 1982-NDD36PT6-2AETTR | 1000 | 200 ميجا هرتز | متقلب | 256 ميجابت | دير | 16 م × 16 | SSTL_2 | - | ||||||||
| NLQ26PFS-8NET تي آر | 10.3100 | | 2405 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 200-إف باي جي إيه (10x14.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 2000 | 1.2 جيجا هرتز | متقلب | 2 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 128 م × 16 | LVSTL | 18 نانو | ||||||
| NLQ83PFS-8NET | 17.8885 | | 5861 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | سايا | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 200-إف باي جي إيه (10x14.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NLQ83PFS-8NET | 136 | 1.2 جيجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 256 م × 32 | LVSTL | 18 نانو | |||||
| NSEC00K008-ITJ | 23.2750 | | 1015 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | NSEC | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية | جبل السطح | 100-إل بي جي ايه | فلاش - ناند (pSLC) | 3.3 فولت | 100 بيغا (14x18) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NSEC00K008-ITJ | 98 | 200 ميجا هرتز | غير متطايرة | 64 جيجابت | فلاش | 8 جيجا × 8 | eMMC_5 | - | ||||||
| NLQ83PFS-6NET | 17.8885 | | 9122 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | سايا | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 200-إف باي جي إيه (10x14.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NLQ83PFS-6NET | 136 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 256 م × 32 | LVSTL | 18 نانو | |||||
| NDS66PT5-20ET | 1.6354 | | 4279 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | سايا | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) | جبل السطح | 54-TSOP (0.400"، عرض 10.16 ملم) | سدرام | 3 فولت ~ 3.6 فولت | 54-TSOP II | - | 1982-NDS66PT5-20ET | 1000 | 200 ميجا هرتز | متقلب | 64 ميجابت | دير | 4 م × 16 | فتل | - | ||||||||
 | NDL88PFO-8KIT TR | 19.7505 | | 8094 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | NDL88P | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 78-إف بي جي إيه (9x10.6) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NDL88PFO-8KITTR | 2000 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 1 جرام × 8 | أبعادي | 15ns | |||||
| NDQ46PFI-6NIT TR | 9.0000 | | 4572 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | سدرام - DDR4 | 1.14 فولت ~ 1.26 فولت | 96-إف باي جي إيه (7.5x13) | - | 1982-NDQ46PFI-6NITTR | 1500 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 18 نانو ثانية | دير | 256 م × 16 | جراب | 15ns | |||||||
 | NDQ48PFQ-8NIT | 7.9800 | | 5104 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | NDQ48P | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-تبجا | سدرام - DDR4 | 1.14 فولت ~ 1.26 فولت | 78-إف باي جي إيه (7.5x10.6) | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NDQ48PFQ-8NIT | 242 | 1.2 جيجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 18 نانو ثانية | دير | 512 م × 8 | جراب | 15ns | |||||
| NDL28PFH-9MIT TR | - | | 7570 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-ففبجا | NDL28 | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 78-إف باي جي إيه (8x10.5) | - | 1982-NDL28PFH-9MITTR | عفا عليه الزمن | 2000 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 2 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 256 م × 8 | أبعادي | 15ns | |||||
| NDS38PT5-20ET تي آر | 2.4786 | | 9428 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | * | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NDS38PT5-20ETTR | 1000 | |||||||||||||||||||
| NDL56PFJ-8KET TR | 2.7602 | | 6729 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-ففبجا | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 96-إف بي جي إيه (8 × 13) | - | 1982-NDL56PFJ-8KETTR | 2500 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | دير | 32 م × 16 | أبعادي | - | ||||||||
| NDS63PT9-16ET تي آر | 3.0982 | | 2482 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | * | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NDS63PT9-16ETTR | 1000 | |||||||||||||||||||
| NDL18PFH-8KIT TR | 3.9750 | | 4838 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-ففبجا | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 78-إف باي جي إيه (8x10.5) | - | 1982-NDL18PFH-8KITTR | 2500 | 800 ميجا هرتز | متقلب | 1 جيجابت | دير | 128 م × 8 | أبعادي | - | ||||||||
| NLQ43PFS-8NAT TR | 18.3000 | | 9245 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | السيارة، AEC-Q100 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 200-إف باي جي إيه (10x14.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 2000 | 1.2 جيجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 128 م × 32 | LVSTL | 18 نانو | ||||||
| NDL28PFR-9MIT | 6.7500 | | 8385 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 78-ففبجا | NDL28 | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 78-إف بي جي إيه (7.5x10.5) | - | متوافق مع ROHS3 | الوصول إلى غير متأثر | 1982-NDL28PFR-9MIT | إير99 | 8542.32.0036 | 210 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 2 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 256 م × 8 | أبعادي | 15ns | ||
| NDS66PBA-20IT تي آر | 2.6821 | | 8931 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | * | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NDS66PBA-20ITTR | 2500 | |||||||||||||||||||
| NDS36PBA-20IT تر | 3.4484 | | 2903 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | * | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NDS36PBA-20ITTR | 2500 | |||||||||||||||||||
| NSEC00K016-AT | 25.5360 | | 4250 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | NSEC | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية | جبل السطح | 100-إل بي جي ايه | فلاش - ناند (MLC) | 3.3 فولت | 100 بيغا (14x18) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NSEC00K016-AT | 98 | 200 ميجا هرتز | غير متطايرة | 128 جيجابت | فلاش | 16 جرام × 8 | eMMC_5 | - | ||||||
| NDS73PT9-16AT | 3.9768 | | 7331 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | * | سايا | نشيط | - | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NDS73PT9-16AT | 108 | |||||||||||||||||||
| NDB56PFC-4DIT TR | 2.4448 | | 5373 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | NDB5 | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 84-تبجا | سدرام - DDR2 | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت | 84-إف باي جي إيه (8x12.5) | - | 1982-NDB56PFC-4DITTR | 2500 | 400 ميجا هرتز | متقلب | 512 ميجابت | 400 لار | دير | 32 م × 16 | SSTL_18 | 15ns | |||||||
| NDL26PFI-9MET تر | 6.6986 | | 4501 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-ففبجا | NDL26 | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | 96-إف باي جي إيه (7.5x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | الوصول إلى غير متأثر | 1982-NDL26PFI-9METTR | إير99 | 8542.32.0036 | 1500 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 2 جيجابت | 20 نانو ثانية | دير | 128 م × 16 | أبعادي | 15ns | ||
| NLQ43PFS-6NIT TR | 15.2500 | | 9530 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 200-إف باي جي إيه (10x14.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 2000 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 128 م × 32 | LVSTL | 18 نانو | ||||||
| NDQ46PFP-8NIT تي آر | - | | 3459 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | الشريط والبكرة (TR) | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | - | - | سدرام - DDR4 | 1.14 فولت ~ 1.26 فولت | - | - | 1982-NDQ46PFP-8NITTR | عفا عليه الزمن | 2500 | 1.2 جيجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 18 نانو ثانية | دير | 256 م × 16 | جراب | 15ns | ||||||
 | NDQ86PFI-7NIT TR | 11.9700 | | 3291 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | NDQ86P | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 96-تبجا | سدرام - DDR4 | 1.14 فولت ~ 1.26 فولت | 96-إف باي جي إيه (7.5x13) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NDQ86PFI-7NITTR | 1500 | 1.333 جيجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | 18 نانو ثانية | دير | 512 م × 16 | جراب | 15ns | |||||
| NDL86PFE-9MIT | - | | 5306 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | سايا | عفا عليه الزمن | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (تك) | - | - | سدرام - DDR3L | 1.283 فولت ~ 1.45 فولت | - | - | 1982-NDL86PFE-9MIT | عفا عليه الزمن | 2000 | 933 ميجا هرتز | متقلب | 8 جيجابت | دير | 512 م × 16 | أبعادي | - | |||||||
| NLQ26PFS-6NAT | 8.6106 | | 4435 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | السيارة، AEC-Q100 | سايا | نشيط | -40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 200-إف باي جي إيه (10x14.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 1982-NLQ26PFS-6NAT | 136 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 2 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 128 م × 16 | LVSTL | 18 نانو | |||||
| NLQ43PFS-6NET تي آر | 14.7500 | | 4564 | 0.00000000 | شركة إنسينيس الواعدة | - | الشريط والبكرة (TR) | نشيط | 0 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تك) | جبل السطح | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR4 المحمول | 1.06 فولت ~ 1.17 فولت، 1.7 فولت ~ 1.95 فولت | 200-إف باي جي إيه (10x14.5) | تحميل | متوافق مع ROHS3 | 3 (168 ساعة) | 2000 | 1.6 جيجا هرتز | متقلب | 4 جيجابت | 3.5 نانو ثانية | دير | 128 م × 32 | LVSTL | 18 نانو |
2000+
المتوسط اليومي لحجم طلب عرض الأسعار
30,000,000
وحدة المنتج القياسية
2800+
الشركات المصنعة في جميع أنحاء العالم
15000 م2
مستودع في المخزون
قائمة الرغبات (0 عناصر)