SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة ECCN Htsus العلم عازد سرو نوو فين شنزا الله الهادر (VDSS) altyaar - althemrarar chalصerف (maudroف) @ 25 Derجة mئoyة ج hed alقiadة (أقصى RDS على ، min rds on) rds ulى (max) @ id ، vgs VGS (TH) (MAX) @ ID شحnة tylboabة (qg) (alحd alأقصى) @ vgs VGS (alحd alأقصى) suzة alإdخal (ciss) (max) @ vds يمي في الجن Tbadiad السال Tكoyn tlصmam alثnaئy alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) العالي - mtostط tصحyح (io) (لولي د) alجhed - إlى alأmam ( altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و الهادي - انهايار باكى (كحd أقصى) Current - Collector (IC) (Max) alجhad - anneyaar (V (BR) GSS) hlTiAar - altصraveف (idss) @ vds (vgs = 0) alجhad - قطu (vgs Off) @ id Current - Collector Cutoff (Max) نو عرفانستور tشbau vce (max) @ ib ، ic ربى آر العازم (HFE) (دقيقة) @ IC ، الرفرفد - الانتهال الموم - قaudة (R1) الموم - قaudة با (R2) altnزaف hlحaily (mauster) - كحd أقصى
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE ، LXHF (CT 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 RN1904 100 myiجaoat ES6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 50V 100mA 500NA 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 مميا هيرتز 47Kohms 47Kohms
TK090A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK090A65Z ، S4X 4.7900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosvi أnabob نوز 150 درض موجي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TK090A65 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220SIS تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 650 v 30A (TA) 10 فolt 90mohm @ 15a ، 10 فolt 4v @ 1.27ma 47 NC @ 10 V ± 30V 2780 PF @ 300 V - 45W (TC)
2SC2383-O,T6ALPF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O ، T6ALPF (م -
RFQ
ECAD 6758 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2383 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 160 v 1 أ 1µA (ICBO) NPN 1.5v @ 50ma ، 500ma 60 @ 200MA ، 5V 100 myiجa hertز
2SA1020-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O ، F (J. -
RFQ
ECAD 1486 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SA1020 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 50 2 أ 1µA (ICBO) PNP 500MV @ 50MA ، 1A 70 @ 500MA ، 2V 100 myiجa hertز
2SC4116-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-GR ، LF 0.1800
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 2SC4116 100 myiجaoat SC-70 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50 150 مللي 100na (ICBO) NPN 250mv @ 10ma ، 100ma 70 @ 2MA ، 6V 80MHz
RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2903 ، LF -
RFQ
ECAD 1909 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN2903 200 myiجaoat US6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 500NA 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 70 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 22kohms 22kohms
RN2961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961 (TE85L ، F) 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN2961 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 30 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 4.7kohms 4.7kohms
TPC8033-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8033-H (TE12LQM) -
RFQ
ECAD 5341 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-Voice (0.173 "، ، ، 4.40 ملم) TPC8033 مسيت (عقيد الماعدة) 8-sop (5.5x6.0) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 30 فOlt 17A (TA) 5.3mohm @ 8.5a ، 10 فolt 2.5V @ 1MA 42 NC @ 10 V 3713 PF @ 10 V - -
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R ، LXHF 0.4000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 ، u-mosvi الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي SOT-23-3 يؤدي شقة مسيت (عقيد الماعدة) SOT-23F تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة P. 20 v 4A (TA) 1.5 ف Wolt ، 4.5 فolt 55mohm @ 3a ، 4.5 فolt 1V @ 1MA 10.4 NC @ 4.5 V +6V ، -8v 630 PF @ 10 V - 1W (TA)
2SA1837,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 ، wnlf (أي -
RFQ
ECAD 5431 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة 2SA1837 2 ث TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 أ 1µA (ICBO) PNP 1.5v @ 50ma ، 500ma 100 @ 100ma ، 5V 70MHz
2SA1020-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6TOJ ، FM -
RFQ
ECAD 9874 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SA1020 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 50 2 أ 1µA (ICBO) PNP 500MV @ 50MA ، 1A 70 @ 500MA ، 2V 100 myiجa hertز
HN4K03JUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4K03JUTE85LF -
RFQ
ECAD 2107 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 5-TSSOP ، SC-70-5 ، SOT-353 HN4K03 مسيت (عقيد الماعدة) 5-SSOP تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة ن 20 v 100ma (TA) 2.5 12ohm @ 10ma ، 2.5 فolt - 10 فolt 8.5 pf @ 3 v - 200 myiجaoat (TA)
TW027Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027Z65C ، S1F 20.2700
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز 175 درض مويوي منلال أب TO-247-4 كذA (Tranزstoor tقaطud كrebiad المسلول) TO-247-4L (X) - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 30 قnaة ن 650 v 58A (TC) 18V 38mohm @ 29a ، 18V 5V @ 3MA 65 NC @ 18 V +25V ، -10V 2288 PF @ 400 V - 156W (TC)
1SS388(TL3,F,D) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS388 (TL3 ، F ، D) -
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SC-79 ، SOD-523 1SS388 شotكy فرو تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 4000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 45 v 600 mV @ 50 Ma 5 µA @ 10 V -40 دكر مويوي ~ 100 دكر ماجيوي 100mA 18pf @ 0v ، 1mhz
SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j332r ، lf 0.4500
RFQ
ECAD 181 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-mosvi الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي SOT-23-3 يؤدي شقة SSM3J332 مسيت (عقيد الماعدة) SOT-23F تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8541.29.0095 3000 قnaة P. 30 فOlt 6A (TA) 1.8v ، 10 فolt 42mohm @ 5a ، 10 فolt 1.2V @ 1MA 8.2 NC @ 4.5 V ± 12V 560 PF @ 15 V - 1W (TA)
RN2407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407 ، LXHF 0.3400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN2407 200 myiجaoat S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50 100 مللي 500NA PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiغaiheartز 10 kohms 47 kohms
RN2906FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE (TE85L ، F) 0.3400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 RN2906 100 myiجaoat ES6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 4.7kohms 47Kohms
RN1909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE (TE85L ، F) 0.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 RN1909 100 myiجaoat ES6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 70 @ 10MA ، 5V 250 مميا هيرتز 47Kohms 22kohms
RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 ، LF (CT 0.2800
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN4909 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50V 100mA 500NA 1 NPN ، 1 PNP - mtحyز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 70 @ 10MA ، 5V 200 myiجa hrtز ، 250 myiجa hertز 47Kohms 22kohms
TK9J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E ، S1E 2.7900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 3P-3 ، SC-65-3 TK9J90 مسيت (عقيد الماعدة) إlى 3p (N) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 25 قnaة ن 900 v 9A (TA) 10 فolt 1.3ohm @ 4.5a ، 10 فolt 4V @ 900µA 46 NC @ 10 V ± 30V 2000 PF @ 25 V - 250W (TC)
TPC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8065-H ، LQ (S -
RFQ
ECAD 6115 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosvii-h الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-soic (0.154 "، ، ، 3.90 ملم) TPC8065 مسيت (عقيد الماعدة) 8 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2500 قnaة ن 30 فOlt 13A (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 11.6mohm @ 6.5a ، 10 فolt 2.3V @ 200µA 20 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 1350 PF @ 10 V - 1W (TA)
2SC3328-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-Y ، Hof (M. -
RFQ
ECAD 3114 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC3328 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 80 v 2 أ 1µA (ICBO) NPN 500MV @ 50MA ، 1A 70 @ 500MA ، 2V 100 myiجa hertز
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-GR (TE85L ، F) 0.4700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 2SK209 150 مميتاوت SC-59 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة ن 13pf @ 10v 50 14 مللي أmebire @ 10 ف وتلت 1.5 V @ 100 Na 14 م
2SA1020-Y(T6TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6TR ، A ، F -
RFQ
ECAD 1681 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SA1020 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 50 2 أ 1µA (ICBO) PNP 500MV @ 50MA ، 1A 70 @ 500MA ، 2V 100 myiجa hertز
TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R712MD ، L1Q 1.4900
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-mosvi الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-powervdfn TPH1R712 مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 5000 قnaة P. 20 v 60A (TC) 2.5v ، 4.5 فolt 1.7mohm @ 30a ، 4.5 فolt 1.2V @ 1MA 182 NC @ 5 V ± 12V 10900 PF @ 10 V - 78W (TC)
RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 (T5L ، F ، T) -
RFQ
ECAD 3024 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN4909 200 myiجaoat US6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 NPN ، 1 PNP - mtحyز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 70 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 47Kohms 22kohms
2SC2235-O(FA1,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O (FA1 ، F ، M) -
RFQ
ECAD 9631 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2235 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 مللي 100na (ICBO) NPN 1V @ 50MA ، 500MA 80 @ 100ma ، 5 فolt 120 مميا هيرتز
TK650A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK650A60F ، S4X 1.3400
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-MOSIX أnabob نوز 150 درض موجي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TK650A60 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220SIS تومويل Rohs3 mtoaفق لا ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 600 v 11A (TA) 10 فolt 650mohm @ 5.5a ، 10 فolt 4v @ 1.16ma 34 NC @ 10 V ± 30V 1320 PF @ 300 V - 45W (TC)
TBAW56,LM Toshiba Semiconductor and Storage tbaw56 ، lm 0.2100
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-23-3 يؤدي شقة tbaw56 عزيز SOT-23-3 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 1 ، 80 v 215MA -
SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L807R ، LF 0.5200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 6-SMD ، خyoط شقة SSM6L807 مسيت (عقيد الماعدة) 1.4W (TA) 6-TSOP-F تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 N و P-channel 30V 4A (TA) 39.1mohm @ 2a ، 4.5 فolt 1V @ 1MA 3.2nc @ 4.5v ، 6.74nc @ 4.5v 310PF @ 15V ، 480PF @ 10V عزيز
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون