SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام الهادي - Tصniف درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات طارار Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم عازد سرو نوو فين الإغنيوي (أmebier) العلم - الها مثل شنزا الله الهادر (VDSS) altyaar - althemrarar chalصerف (maudroف) @ 25 Derجة mئoyة ج hed alقiadة (أقصى RDS على ، min rds on) rds ulى (max) @ id ، vgs VGS (TH) (MAX) @ ID شحnة tylboabة (qg) (alحd alأقصى) @ vgs VGS (alحd alأقصى) suzة alإdخal (ciss) (max) @ vds يمي في الجن Tbadiad السال رحمم الجوهز alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) alجhed - إlى alأmam ( altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و الهادي - انهايار باكى (كحd أقصى) Current - Collector (IC) (Max) hltiarear - altصrayف (idss) @ vds (vgs = 0) alجhad - قطu (vgs Off) @ id Current - Collector Cutoff (Max) alجhad - زyner (NOM) (VZ) Mقaomة (كحd أقصى) (ZZT) نو عرفانستور tشbau vce (max) @ ib ، ic ربى آر العازم (HFE) (دقيقة) @ IC ، الرفرفد - الانتهال الموم - قaudة (R1) الموم - قaudة با (R2)
2SD2206(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 (T6CNO ، A ، F) -
RFQ
ECAD 7218 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SD2206 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 100 فolt 2 أ 10µA (ICBO) NPN 1.5V @ 1MA ، 1A 2000 @ 1A ، 2V 100 myiجa hertز
HN1C01FYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FYTE85LF 0.3300
RFQ
ECAD 3827 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-74 ، SOT-457 HN1C01 300 myiجaoat SM6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 150MA 100na (ICBO) 2 NPN (mزdoج) 250mv @ 10ma ، 100ma 120 @ 2MA ، 6V 80MHz
RN4910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4910 (T5L ، F ، T) -
RFQ
ECAD 1644 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN4910 200 myiجaoat US6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 NPN ، 1 PNP - mtحyز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 200 myiجa errtز 4.7kohms -
2SC2655-O(ND1,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O (ND1 ، AF) -
RFQ
ECAD 1084 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2655 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 50 2 أ 1µA (ICBO) NPN 500MV @ 50MA ، 1A 70 @ 500MA ، 2V 100 myiجa hertز
SSM6N57NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n57nu ، lf 0.4900
RFQ
ECAD 106 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 6-wdfn lloحة mكشoفة SSM6N57 مسيت (عقيد الماعدة) 1W 6 مميرين (2x2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 2 N-channel (mزdoج) 30V 4A 46mohm @ 2a ، 4.5 فolt 1V @ 1MA 4nc @ 4.5v 310pf @ 10v -
2SC5359-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5359-O (S) 3.4000
RFQ
ECAD 74 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 3pl 2SC5359 180 و إlى 3p (ل) تومويل Rohs3 mtoaفق لا ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 أ 5µA (ICBO) NPN 3V @ 800MA ، 8A 80 @ 1A ، 5V 30 مميا هيرتز
2SC3074-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-Y (S) -
RFQ
ECAD 5361 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي to-251-3 خyoط قصyerة ، ipak ، to-251aa 2SC3074 1 ث PW-Mold تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0075 200 50 5 أ 1µA (ICBO) NPN 400MV @ 150MA ، 3A 120 @ 1A ، 1V 120 مميا هيرتز
2SA1586-Y(T5LND,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y (T5LND ، F) -
RFQ
ECAD 5318 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 100 myiجaoat SC-70 تومويل 1 (غyer mحdod) 264-2sa1586-y (T5lndf) tr ear99 8541.21.0095 3000 50 150 مللي 100na (ICBO) PNP 300mv @ 10ma ، 100ma 120 @ 2MA ، 6V 80MHz
HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1c01fe-y ، lf 0.3000
RFQ
ECAD 9838 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 HN1C01 100 myiجaoat ES6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 50V 150MA 100na (ICBO) 2 NPN (mزdoج) 250mv @ 10ma ، 100ma 120 @ 2MA ، 6V 80MHz
SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N954L ، EFF 1.3600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 10-SMD ، لما مسيت (عقيد الماعدة) TCSPAC-153001 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 10000 قnaة ن 12 فولت 13.5A (TA) 2.5v ، 4.5 فolt 2.75mohm @ 6a ، 4.5 فolt 1.4v @ 1.11ma 25 NC @ 4 V ± 8v - 800 myiجaoat (TA)
RN2904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 (T5L ، F ، T) -
RFQ
ECAD 4954 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN2904 200 myiجaoat US6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 47Kohms 47Kohms
2SK2916(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2916 (و) -
RFQ
ECAD 6044 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 3P-3 ، SC-65-3 2SK2916 مسيت (عقيد الماعدة) إlى 3p (n) ho تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 500 v 14A (TA) 10 فolt 400mohm @ 7a ، 10 فolt 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ± 30V 2600 PF @ 10 V - 80W (TC)
2SJ681(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ681 (س) -
RFQ
ECAD 9057 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب to-251-3 Leals lals ، ipak 2SJ681 مسيت (عقيد الماعدة) PW-MOLD2 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 200 قnaة P. 60 5A (TA) 4V ، 10V 170mohm @ 2.5a ، 10 فolt 2V @ 1MA 15 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 700 PF @ 10 V - 20W (TA)
SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J215FE (TE85L ، ص 0.4600
RFQ
ECAD 87 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-mosvi الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 SSM6J215 مسيت (عقيد الماعدة) ES6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 قnaة P. 20 v 3.4A (TA) 1.5 ف Wolt ، 4.5 فolt 59mohm @ 3a ، 4.5 فolt 1V @ 1MA 10.4 NC @ 4.5 V ± 8v 630 PF @ 10 V - 500 myiجaoat (TA)
SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU ، LF 0.5000
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-mosvii الهاريه والال نوز -55 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) أبل السفلي 6-wdfn lloحة mكشoفة SSM6J511 مسيت (عقيد الماعدة) 6-ODFNB (2x2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) الإلهال ear99 8541.29.0095 3000 قnaة P. 12 فولت 14A (TA) 9.1mohm @ 4a ، 8v 1V @ 1MA 47 NC @ 4.5 V 3350 PF @ 6 V -
TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2900ENH ، L1Q 2.5800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosviii-h الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-powervdfn TPH2900 مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 5000 قnaة ن 200 من 33A (TA) 10 فolt 29mohm @ 16.5a ، 10 فolt 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 2200 PF @ 100 V - 78W (TC)
2SD1407A-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1407A-Y (F) -
RFQ
ECAD 9090 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة 2SD1407 30 و TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 100 فolt 5 أ 100µA (ICBO) NPN 2V @ 400MA ، 4A 120 @ 1A ، 5V 12 ميا هيرتز
RN49A2,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN49A2 ، LF (CT 0.2700
RFQ
ECAD 64 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN49A2 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100µA (ICBO) 1 NPN ، 1 PNP - mtحyز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 Myiجa Hertز ، 200 Myiجa Hertز 47Kohms 47Kohms
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1c01fu-gr ، lf 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 HN1C01 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 150MA 100na (ICBO) 2 NPN (mزdoج) 250mv @ 10ma ، 100ma 200 @ 2MA ، 6V 80MHz
2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-Y (TE85L ، F) 0.6800
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 2SK2145 300 myiجaoat SMV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 2 N-channel (mزdoج) 13pf @ 10v 1.2 Ma @ 10 V 200 mV @ 100 na
CRZ43(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ43 (TE85L ، Q ، M) -
RFQ
ECAD 6678 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله ± 10 ٪ -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) أبل السفلي SOD-123F CRZ43 700 myiجaoat S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs mtoaفق CRZ43 (TE85LQM) ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 34.4 V 43 ضd 40 أom
1SS401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS401 (TE85L ، F) 0.2700
RFQ
ECAD 635 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 1SS401 شotكy SC-70 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 20 v 450 mV @ 300 Ma 50 µA @ 20 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 300MA 46PF @ 0V ، 1MHz
RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102 ، LXHF (CT 0.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-75 ، SOT-416 RN2102 100 myiجaoat SSM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50 100 مللي 500NA PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 50 @ 10MA ، 5V 200 myiغaiheartز 10 kohms 10 kohms
2SC2655-Y(T6STL,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6Stl ، FM -
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2655 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 50 2 أ 1µA (ICBO) NPN 500MV @ 50MA ، 1A 70 @ 500MA ، 2V 100 myiجa hertز
2SA2060(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060 (TE12L ، F) 0.6100
RFQ
ECAD 827 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-243AA 2SA2060 1 ث PW-MINI تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 1000 50 2 أ 100na (ICBO) PNP 200mv @ 33ma ، 1A 200 @ 300MA ، 2V -
RN1108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 5255 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SC-101 ، SOT-883 RN1108 50 مميتاوت CST3 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 10000 20 v 50 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 150mv @ 250µA ، 5MA 120 @ 10MA ، 5V 22 kohms 47 kohms
RN1314,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1314 ، LF 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 RN1314 100 myiجaoat USM تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 50 @ 10MA ، 5V 250 myiغaiheartز 1 kohms 10 kohms
RN2902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902 ، LF (CT 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN2902 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 500NA 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 50 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 10kohms 10kohms
2SK2854(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2854 (TE12L ، F) -
RFQ
ECAD 5398 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 10 v TO-243AA 2SK2854 849 Myiجa Hertز مسيت PW-MINI تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 1000 قnaة ن 500MA 23dbmw - -
2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1971 (TE12L ، F) 0.6500
RFQ
ECAD 900 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-243AA 500 myiجaoat PW-MINI تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 1000 400 v 500 مللي 10µA (ICBO) PNP 1v @ 10ma ، 100ma 140 @ 100MA ، 5V 35 مميا هيرتز
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون