SIC
close

Mntجat أشbahh chlmoصlat

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم سرو نوو فين مثل شنزا الله الله (VDSS) altyaar - althemrarar chalصerف (maudroف) @ 25 Derجة mئoyة ج hed alقiadة (أقصى RDS على ، min rds on) rds ulى (max) @ id ، vgs VGS (TH) (MAX) @ ID شحnة tylboabة (qg) (alحd alأقصى) @ vgs VGS (alحd alأقصى) suzة alإdخal (ciss) (max) @ vds يمي في الجن Tbadiad السال alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) alجhed - إlى alأmam ( altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و الهادي - انهايار باكى (كحd أقصى) Current - Collector (IC) (Max) نو عداد الله alجhed - alذerroة alaveyة (كحd أقصى) hltiarear - altصrayف (idss) @ vds (vgs = 0) alجhad - قطu (vgs Off) @ id Current - Collector Cutoff (Max) alجhad - زyner (NOM) (VZ) Mقaomة (كحd أقصى) (ZZT) نو عرفانستور tشbau vce (max) @ ib ، ic ربى آر العازم (HFE) (دقيقة) @ IC ، الرفرفد - الانتهال الموم - قaudة (R1) الموم - قaudة با (R2) رحمم الظهر (db typ @ f) نسوب السعع حahalة nesbة السفكر S @ VR ، و
RN49A2,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN49A2 ، LF (CT 0.2700
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN49A2 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100µA (ICBO) 1 NPN ، 1 PNP - mtحyز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 Myiجa Hertز ، 200 Myiجa Hertز 47Kohms 47Kohms
TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBC857B ، LM 0.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 TBC857 320 مميتاوت SOT-23-3 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50 150 مللي 30NA (ICBO) PNP 650mv @ 100ma ، 5MA 210 @ 2MA ، 5V 80MHz
2SC2655-Y(T6STL,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6Stl ، FM -
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2655 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 50 2 أ 1µA (ICBO) NPN 500MV @ 50MA ، 1A 70 @ 500MA ، 2V 100 myiجa hertز
RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102 ، LXHF (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-75 ، SOT-416 RN2102 100 myiجaoat SSM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50 100 مللي 500NA PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 50 @ 10MA ، 5V 200 myiغaiheartز 10 kohms 10 kohms
CRZ43(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ43 (TE85L ، Q ، M) -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله ± 10 ٪ -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) أبل السفلي SOD-123F CRZ43 700 myiجaoat S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs mtoaفق CRZ43 (TE85LQM) ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 34.4 V 43 ضd 40 أom
HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF 0.5600
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز - أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 HN3C10 200 myiجaoat US6 - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 11.5dB 12 فولت 80mA 2 NPN (mزdoج) 80 @ 20ma ، 10 فolt 7 جyجa hertز 1.1db @ 1ghz
SSM3J14TTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J14TTE85LF -
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosii الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 SSM3J14 مسيت (عقيد الماعدة) TSM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة P. 30 فOlt 2.7A (TA) 4V ، 10V 85mohm @ 1.35a ، 10 فolt - ± 20 ف وتلت 413 PF @ 15 V - 700MW (TA)
RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 ، LF -
RFQ
 ECAD 6480 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN2904 200 myiجaoat US6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 500NA 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 47Kohms 47Kohms
TK12A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A53D (STA4 ، Q ، M) 2.5900
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. موسفي أnabob نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TK12A53 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220SIS تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 525 v 12A (TA) 10 فolt 580mohm @ 6a ، 10 فolt 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 30V 1350 PF @ 25 V - 45W (TC)
1SV228TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV228TPH3F 0.4400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 1SV228 S-Mini تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 13.7pf @ 8v ، 1MHz 1 زoج alكazod 15 2.6 C3/C8 -
RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1608 (TE85L ، F) 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-74 ، SOT-457 RN1608 300 myiجaoat SM6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 مميا هيرتز 22kohms 47Kohms
RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711JE (TE85L ، F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-553 RN2711 100 myiجaoat ESV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) (bauث mقtrn) 300MV @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 200 myiجa errtز 10kohms -
RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1111ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-101 ، SOT-883 RN1111 100 myiجaoat CST3 - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 10000 50 80 مللي 100na (ICBO) NPN - mtحiز mysbقًa 150mv @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 10 kohms
2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-Y (TE85L ، F) 0.6800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 2SK2145 300 myiجaoat SMV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 2 N-channel (mزdoج) 13pf @ 10v 1.2 Ma @ 10 V 200 mV @ 100 na
RN1906,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 ، LXHF (CT 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN1906 200 myiجaoat US6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 500NA 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 مميا هيرتز 4.7kohms 47Kohms
RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404S ، LF -
RFQ
 ECAD 8748 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN1404 200 myiجaoat S-Mini تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 myiغaiheartز 47 kohms 47 kohms
CRS09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09 (TE85L ، Q ، M) 0.5000
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRS09 شotكy S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 460 mV @ 1.5 a 50 µA @ 30 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 1.5A 90PF @ 10V ، 1MHz
SSM6K513NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K513NU ، LF 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-Mosix-H الهاريه والال نوز 150 درض موجي (تا) أبل السفلي 6-wdfn lloحة mكشoفة SSM6K513 مسيت (عقيد الماعدة) 6-ODFNB (2x2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 30 فOlt 15A (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 8.9mohm @ 4a ، 10 فolt 2.1V @ 100µA 7.5 NC @ 4.5 V ± 20 ف وتلت 1130 PF @ 15 V - 1.25W (TA)
TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1P08QM ، RQ 1.4600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-MOSX-H الهاريه والال نوز 175 درض مويوي أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 مسيت (عقيد الماعدة) DPAK تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2500 قnaة ن 80 v 84a (TC) 6V ، 10V 5.1mohm @ 42a ، 10 فolt 3.5V @ 700µA 56 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 3980 PF @ 40 V - 104W (TC)
TW045N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW045N120C ، S1F 23.7100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز 175 درض مويوي منلال أب TO-247-3 sicfet (كRebiad thileyكon) TO-247 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 30 قnaة ن 1200 v 40A (TC) 18V 59mohm @ 20a ، 18V 5v @ 6.7ma 57 NC @ 18 V +25V ، -10V 1969 PF @ 800 V - 182W (TC)
CTS520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS520 ، L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 758 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-882 CTS520 شotكy CST2 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 10000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 600 mV @ 200 Ma 5 µA @ 30 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 200MA 16pf @ 0v ، 1mhz
CMS06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS06 (TE12L ، Q ، M) 0.5400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-128 CMS06 شotكy M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 370 mV @ 2 a 3 Ma @ 30 V -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة 2A 130pf @ 10v ، 1mhz
RN2969(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2969 (TE85L ، F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN2969 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 70 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 47Kohms 22kohms
XPN9R614MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN9R614MC ، L1XHQ 1.4000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 ، u-mosvi الهاريه والال نوز 175 درض مويوي أبل السفلي 8-powervdfn XPN9R614 مسيت (عقيد الماعدة) 8-TSON ADVANT-WF (3.1x3.1) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 5000 قnaة P. 40 40A (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 9.6mohm @ 20a ، 10 فolt 2.1V @ 500µA 64 NC @ 10 V +10V ، -20V 3000 PF @ 10 V - 840 myiجaoat (ta) ، 100w (TC)
CUS08F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS08F30 ، H3F 0.3300
RFQ
 ECAD 362 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 CUS08F30 شotكy USC تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 220 mV @ 10 Ma 50 µA @ 30 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 800MA 170pf @ 0v ، 1mhz
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV ، L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-723 RN2110 150 مميتاوت Vesm تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 8000 50 100 مللي 100na (ICBO) PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 4.7 Kohms
CRS12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS12 (TE85L ، Q ، M) 0.4900
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRS12 شotكy S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 60 580 mV @ 1 a 100 µA @ 60 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 1A -
2SK2231(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2231 (TE16R1 ، NQ) -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 2SK2231 مسيت (عقيد الماعدة) PW-Mold تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2000 قnaة ن 60 5A (TA) 4V ، 10V 160mohm @ 2.5a ، 10 فolt 2V @ 1MA 12 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 370 PF @ 10 V - 20W (TC)
2SA1930,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 ، onkq (أي -
RFQ
 ECAD 7793 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة 2SA1930 2 ث TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 أ 5µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA ، 1A 100 @ 100ma ، 5V 200 myiجa errtز
2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-GR ، LF 0.2300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 2SA1587 100 myiجaoat SC-70 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 120 v 100 مللي 100na (ICBO) PNP 300MV @ 1MA ، 10MA 200 @ 2MA ، 6V 100 myiجa hertز
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق