SIC
close

Mntجat أشbahh chlmoصlat

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم عازد سرو نوو فين مثل شنزا الله الهادر (VDSS) altyaar - althemrarar chalصerف (maudroف) @ 25 Derجة mئoyة ج hed alقiadة (أقصى RDS على ، min rds on) rds ulى (max) @ id ، vgs VGS (TH) (MAX) @ ID شحnة tylboabة (qg) (alحd alأقصى) @ vgs VGS (alحd alأقصى) suzة alإdخal (ciss) (max) @ vds يمي في الجن Tbadiad السال Tكoyn tlصmam alثnaئy alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) العالي - mtostط tصحyح (io) (لولي د) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و الهادي - انهايار باكى (كحd أقصى) Current - Collector (IC) (Max) نو عداد الله alجhed - alذerroة alaveyة (كحd أقصى) Current - Collector Cutoff (Max) alجhad - زyner (NOM) (VZ) Mقaomة (كحd أقصى) (ZZT) نو عرفانستور tشbau vce (max) @ ib ، ic ربى آر العازم (HFE) (دقيقة) @ IC ، الرفرفد - الانتهال الموم - قaudة (R1) الموم - قaudة با (R2) رحمم الظهر (db typ @ f) نسوب السعع حahalة nesbة السفكر S @ VR ، و
CMZ15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ15 (TE12L ، Q ، M) 0.5400
RFQ
 ECAD 4730 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز ± 10 ٪ -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) أبل السفلي SOD-128 CMZ15 2 ث M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0050 3000 1.2 V @ 200 Ma 10 µA @ 10 V 15 30 أom
RN1407,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1407 ، LF 0.1900
RFQ
 ECAD 904 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN1407 200 myiجaoat S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 myiغaiheartز 10 kohms 47 kohms
RN2104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SC-101 ، SOT-883 RN2104 100 myiجaoat CST3 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 10000 50 80 مللي 500NA PNP - mtحyز mysbقًa 150mv @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 47 kohms 47 kohms
RN2311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311 ، LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 RN2311 100 myiجaoat SC-70 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 100na (ICBO) PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 200 myiغaiheartز 10 kohms
RN4909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909FE ، LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 RN4909 100 myiجaoat ES6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 50V 100mA 500NA 1 NPN ، 1 PNP - mtحyز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 70 @ 10MA ، 5V 200 myiجa hrtز ، 250 myiجa hertز 47Kohms 22kohms
CLH01(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH01 (TE16L ، S) -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله أبل السفلي L-Flat ™ CLH01 عزيز L-Flat ™ (4x5.5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 1 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 200 من 980 mV @ 3 a 35 NS 10 µA @ 200 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 3A -
1SV305,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV305 ، L3F 0.4400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-79 ، SOD-523 1SV305 فرو تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 8000 6.6pf @ 4v ، 1mhz عجب 10 v 3 C1/C4 -
2SA1020A,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020A ، T6CSF (يا -
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SA1020 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 50 2 أ 1µA (ICBO) PNP 500MV @ 50MA ، 1A 70 @ 500MA ، 2V 100 myiجa hertز
1SV304TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV304TPH3F 0.4200
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 1SV304 USC تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 6.6pf @ 4v ، 1mhz عجب 10 v 3 C1/C4 -
TPCA8007-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8007-H (TE12L ، ف -
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. * شrive قطup (CT) عى الله TPCA8007 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000
SSM14N956L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM14N956L ، EFF 1.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 14-SMD ، لما SSM14 مسيت (عقيد الماعدة) 1.33W (TA) TCSPED-302701 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 10000 2 ق alقnaة 12 فولت 20A (TA) 1.35mohm @ 10a ، 4.5 فolt 1.4v @ 1.57ma 76nc @ 4v - -
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L (T6L1 ، NQ) 1.2600
RFQ
 ECAD 9068 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-mosvi الهاريه والال نوز 175 درض موجي (TJ) أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 TJ8S06 مسيت (عقيد الماعدة) DPAK+ تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2000 قnaة P. 60 8A (TA) 6V ، 10V 104mohm @ 4a ، 10 فolt 3V @ 1MA 19 NC @ 10 V +10V ، -20V 890 PF @ 10 V - 27W (TC)
HN1D01FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FE (TE85L ، F) 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 HN1D01 عزيز ES6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 4000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 2 ، 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150 درض موجي (كحd أقصى)
CMF02A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMF02A ، LQ (م -
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - صnadoق نوز أبل السفلي SOD-128 عزيز M-flat (2.4x3.8) تومويل ear99 8541.10.0080 1 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 600 v 2 V @ 1 أ 100 ns 50 µA @ 600 V 150 درض موجي 1A -
TK4P60D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60D ، RQ 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 مسيت (عقيد الماعدة) DPAK تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2000 قnaة ن 600 v 4A (TA) 10 فolt 1.7ohm @ 2a ، 10 فolt 4.4v @ 1ma 12 NC @ 10 V ± 30V 600 PF @ 25 V - 100W (TC)
RN1106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106 ، LF (CT 0.2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-75 ، SOT-416 RN1106 100 myiجaoat SSM تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 myiغaiheartز 4.7 Kohms 47 kohms
TPCA8025(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8025 (TE12L ، Q ، M. -
RFQ
 ECAD 1087 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-Mosiv الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-powervdfn TPCA8025 مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 30 فOlt 40A (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 3.5mohm @ 20a ، 10 فolt 2.5V @ 1MA 49 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 2200 PF @ 10 V - 1.6W (TA) ، 45W (TC)
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417 ، LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN2417 200 myiجaoat S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50 100 مللي 500NA PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 30 @ 10MA ، 5V 200 myiغaiheartز 10 kohms 4.7 Kohms
RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1711JE (TE85L ، F) 0.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-553 RN1711 100 myiجaoat ESV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 4000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 250 مميا هيرتز 10kohms -
2SC5549,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5549 ، T6F (J. -
RFQ
 ECAD 5131 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC5549 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 1 400 v 1 أ 100µA (ICBO) NPN 1v @ 25ma ، 200ma 20 @ 40MA ، 5V -
SSM3K17SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17SU ، LF -
RFQ
 ECAD 4802 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله - أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 SSM3K17 مسيت (عقيد الماعدة) USM - 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة ن 50 100ma (TA) 20ohm @ 10ma ، 4V 1.5v @ 1µA 7 PF @ 3 V - 150 myiجaoat (ta)
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P (TE12L ، F) -
RFQ
 ECAD 2879 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-243AA MT3S20 1.8W PW-MINI - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 1000 16.5dB 12 فولت 80mA NPN 100 @ 50MA ، 5V 7 جyجa hertز 1.45db @ 1ghz
TK190U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U65Z ، RQ 2.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosvi الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 8-powersfn مسيت (عقيد الماعدة) روسوم تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2000 قnaة ن 650 v 15A (TA) 10 فolt 190mohm @ 7.5a ، 10 فolt 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ± 30V 1370 PF @ 300 V - 130W (TC)
CMG02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG02 (TE12L ، Q ، M) -
RFQ
 ECAD 8363 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SOD-128 CMG02 عزيز M-flat (2.4x3.8) - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) CMG02 (TE12LQM) ear99 8541.10.0080 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 400 v 1.1 V @ 2 a 10 µA @ 400 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 2A -
2SK3132(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3132 (س) -
RFQ
 ECAD 6621 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 3pl 2SK3132 مسيت (عقيد الماعدة) إlى 3p (ل) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 25 قnaة ن 500 v 50a (TA) 10 فolt 95mohm @ 25a ، 10 فolt 3.4V @ 1MA 280 NC @ 10 V ± 30V 11000 PF @ 10 V - 250W (TC)
2SC2655-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y ، T6F (J. -
RFQ
 ECAD 7873 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2655 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 50 2 أ 1µA (ICBO) NPN 500MV @ 50MA ، 1A 70 @ 500MA ، 2V 100 myiجa hertز
RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2968FE (TE85L ، F) -
RFQ
 ECAD 8211 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 RN2968 100 myiجaoat ES6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 22kohms 47Kohms
HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01JE (TE85L ، F) 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-553 HN2D01 عزيز ESV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 4000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 2 ماستل 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150 درض موجي (كحd أقصى)
SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K517NU ، LF 0.4100
RFQ
 ECAD 829 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 6-wdfn lloحة mكشoفة SSM6K517 مسيت (عقيد الماعدة) 6-ODFNB (2x2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 30 فOlt 6A (TA) 1.8v ، 4.5 فolt 39.1mohm @ 2a ، 4.5 فolt 1V @ 1MA 3.2 NC @ 4.5 V +12V ، -8v 310 PF @ 15 V - 1.25W (TA)
TK3R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R9E10PL ، S1X 2.3700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز 175 درض مويوي منلال أب TO-220-3 TK3R9E10 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 100 فolt 100A (TC) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 3.9mohm @ 50a ، 10 فolt 2.5V @ 1MA 96 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 6320 PF @ 50 V - 230W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق