SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات نو عدادهل Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم عازد سرو نوو فين حalة alaztbaar مثل شنزا الله الله (VDSS) altyaar - althemrarar chalصerف (maudroف) @ 25 Derجة mئoyة ج hed alقiadة (أقصى RDS على ، min rds on) rds ulى (max) @ id ، vgs VGS (TH) (MAX) @ ID شحnة tylboabة (qg) (alحd alأقصى) @ vgs VGS (alحd alأقصى) suzة alإdخal (ciss) (max) @ vds يمي في الجن Tbadiad السال Tكoyn tlصmam alثnaئy alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) العالي - mtostط tصحyح (io) (لولي د) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و نود IGBT الهادي - انهايار باكى (كحd أقصى) Current - Collector (IC) (Max) العجلي - جaamu alnebض (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE ، IC تيبديل العداد Thmة tylboabة TD (ON/OFF) @ 25 DRجة MEئOYة نو عداد الله alجhed - alذerroة alaveyة (كحd أقصى) Current - Collector Cutoff (Max) نو عرفانستور tشbau vce (max) @ ib ، ic ربى آر العازم (HFE) (دقيقة) @ IC ، الرفرفد - الانتهال الموم - قaudة (R1) الموم - قaudة با (R2) رحمم الظهر (db typ @ f) نسوب السعع حahalة nesbة السفكر S @ VR ، و
RN1101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV ، L3XHF (CT 0.3400
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-723 RN1101 150 مميتاوت Vesm تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 8000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 500µA ، 5MA 30 @ 10MA ، 5V 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SA1428-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O ، T2Claf (أي -
RFQ
ECAD 6034 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب SC-71 2SA1428 900 myiجaoat MSTM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 50 2 أ 1µA (ICBO) PNP 500MV @ 50MA ، 1A 70 @ 500MA ، 2V 100 myiجa hertز
2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2097 (TE16L1 ، NQ) 0.8000
RFQ
ECAD 8947 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 2SA2097 1 ث PW-Mold تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2000 50 5 أ 100na (ICBO) PNP 270mv @ 53ma ، 1.6a 200 @ 500MA ، 2V -
2SC4793,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 ، WNLF (J. -
RFQ
ECAD 2420 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة 2SC4793 2 ث TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 أ 1µA (ICBO) NPN 1.5v @ 50ma ، 500ma 100 @ 100ma ، 5V 100 myiجa hertز
2SA1225-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1225-Y (S) -
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 2SA1225 1 ث PW-Mold - 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0075 200 160 v 1.5 أ 1µA (ICBO) PNP 1.5v @ 50ma ، 500ma 120 @ 100MA ، 5V 100 myiجa hertز
1SS250(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS250 (TE85L ، F) 0.0964
RFQ
ECAD 9531 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال ليس لتلتومت الحديدي أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 1SS250 عزيز SC-59 - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 200 من 1.2 V @ 100 Ma 60 ns 1 µA @ 200 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 100mA 3pf @ 0v ، 1MHz
CLH07(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH07 (TE16R ، S) -
RFQ
ECAD 2938 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله أبل السفلي L-Flat ™ CLH07 عزيز L-Flat ™ (4x5.5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 1 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 400 v 1.8 V @ 5 a 35 NS 10 µA @ 400 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 5A -
RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961 (TE85L ، F) 0.4600
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN1961 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 30 @ 10MA ، 5V 250 مميا هيرتز 4.7kohms 4.7kohms
CRS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS05 (TE85L ، Q ، M) 0.1326
RFQ
ECAD 9706 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRS05 شotكy S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 450 mV @ 1 a 200 µA @ 30 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 1A -
1SV270TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV270TPH3F 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 1SV270 USC تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 8.7pf @ 4v ، 1mhz عجب 10 v 2 C1/C4 -
1SS193S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 1SS193S ، LF (د -
RFQ
ECAD 7822 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 1SS193 عزيز S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) 1SS193SLF (د ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 80 v 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 100mA 3pf @ 0v ، 1MHz
2SC2229-O(T6SHP1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (T6SHP1FM -
RFQ
ECAD 4278 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2229 800 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) 2SC2229OT6SHP1FM ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 مللي 100na (ICBO) NPN 500MV @ 1MA ، 10MA 70 @ 10MA ، 5V 120 مميا هيرتز
1SS184,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS184 ، LF 0.2400
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 1SS184 عزيز S-Mini تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 1 زoج alكazod 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
2SA949-Y(T6ONK1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6onk1 ، FM -
RFQ
ECAD 8591 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SA949 800 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 مللي 100na (ICBO) PNP 800MV @ 1MA ، 10A 70 @ 10MA ، 5V 120 مميا هيرتز
SSM3K7002BF,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BF ، LF -
RFQ
ECAD 3538 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-Mosiv الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 SSM3K7002 مسيت (عقيد الماعدة) SC-59 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة ن 60 200MA (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 2.1ohm @ 500ma ، 10 فolt - ± 20 ف وتلت 17 PF @ 25 V - 200 myiجaoat (TA)
TK10Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10Q60W ، S1VQ 3.0600
RFQ
ECAD 75 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosiv أnabob نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب to-251-3 Leals lals ، ipak TK10Q60 مسيت (عقيد الماعدة) نا با تومويل Rohs3 mtoaفق لا ear99 8541.29.0095 75 قnaة ن 600 v 9.7A (TA) 10 فolt 430mohm @ 4.9a ، 10 فolt 3.7V @ 500µA 20 NC @ 10 V ± 30V 700 PF @ 300 V - 80W (TC)
2SC2655-Y(T6ND2,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6nd2 ، AF -
RFQ
ECAD 3741 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2655 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 50 2 أ 1µA (ICBO) NPN 500MV @ 50MA ، 1A 70 @ 500MA ، 2V 100 myiجa hertز
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE ، LM -
RFQ
ECAD 2051 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 SSM6P35 مسيت (عقيد الماعدة) 150 مميتاوت ES6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 2 P-channel (mزdoج) 20V 100mA 8ohm @ 50ma ، 4V 1V @ 1MA - 12.2pf @ 3v -
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 1272 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. π-mosvi الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي SC-101 ، SOT-883 SSM3J15 مسيت (عقيد الماعدة) CST3 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 10000 قnaة P. 30 فOlt 100ma (TA) 2.5V ، 4V 12OHM @ 10MA ، 4V - ± 20 ف وتلت 9.1 PF @ 3 V - 100 myiجaoat (TA)
TK65S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04K3L (T6L1 ، NQ -
RFQ
ECAD 5095 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-Mosiv الهاريه والال عى الله 175 درض موجي (TJ) أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 TK65S04 مسيت (عقيد الماعدة) DPAK+ تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2000 قnaة ن 40 65A (TA) 6V ، 10V 4.5mohm @ 32.5a ، 10 فolt 3V @ 1MA 63 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 2800 PF @ 10 V - 88W (TC)
TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R003NL ، LQ 0.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosviii-h الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-powervdfn TPH6R003 مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 30 فOlt 38A (TC) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 6mohm @ 19a ، 10 فolt 2.3V @ 200µA 17 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 1400 PF @ 15 V - 1.6W (TA) ، 34W (TC)
RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2507 (TE85L ، F) 0.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 RN2507 300 myiجaoat SMV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) (bauث mقtrn) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 10kohms 47Kohms
2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-GR ، LF 0.3000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 2SA1163 150 مميتاوت S-Mini تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 120 v 100 مللي 100na (ICBO) PNP 300MV @ 1MA ، 10MA 200 @ 2MA ، 6V 100 myiجa hertز
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5088-O (TE85L ، F) -
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-82A ، SOT-343 2SC5088 100 myiجaoat USQ - 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 18 د 12 فولت 80mA NPN 80 @ 20ma ، 10 فolt 7 جyجa hertز 1DB @ 500MHz
RN2601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601 (TE85L ، F) 0.4500
RFQ
ECAD 253 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-74 ، SOT-457 RN2601 300 myiجaoat SM6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 30 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 4.7kohms 4.7kohms
TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R005PL ، L1Q 2.0000
RFQ
ECAD 6103 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-Mosix-H الهاريه والال نوز 175 درض موجي (TJ) أبل السفلي 8-powervdfn TPH1R005 مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 5000 قnaة ن 45 v 150A (TC) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 1.04mohm @ 50a ، 10 فolt 2.4V @ 1MA 99 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 9600 PF @ 22.5 V - 960MW (TA) ، 170W (TC)
CUS551V30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS551V30 ، H3F 0.2700
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 CUS551 شotكy USC تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 470 mV @ 500 Ma 100 µA @ 20 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 500MA -
GT20N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT20N135SRA ، S1E 3.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز 175 درض موجي (TJ) منلال أب TO-247-3 عزيز 312 دبليو TO-247 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 30 300V ، 40a ، 39ohm ، 15 ف Wolt - 1350 v 40 أ 80 أ 2.4V @ 15V ، 40a -، 700µJ (قbalة) 185 NC -
1SS302TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS302TE85LF -
RFQ
ECAD 9514 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 1SS302 عزيز SC-70 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 1 atصal سالسلا 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15F ، LF 0.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 SSM3J15 مسيت (عقيد الماعدة) S-Mini تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة P. 30 فOlt 100ma (TA) 2.5V ، 4V 12OHM @ 10MA ، 4V 1.7V @ 100µA ± 20 ف وتلت 9.1 PF @ 3 V - 200 myiجaoat (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون