SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات نو عدادهل Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم عازد سرو نوو فين حalة alaztbaar شنزا الله الهادر (VDSS) altyaar - althemrarar chalصerف (maudroف) @ 25 Derجة mئoyة ج hed alقiadة (أقصى RDS على ، min rds on) rds ulى (max) @ id ، vgs VGS (TH) (MAX) @ ID شحnة tylboabة (qg) (alحd alأقصى) @ vgs VGS (alحd alأقصى) suzة alإdخal (ciss) (max) @ vds يمي في الجن Tbadiad السال alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و نود IGBT الهادي - انهايار باكى (كحd أقصى) Current - Collector (IC) (Max) العجلي - جaamu alnebض (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE ، IC تيبديل العداد TD (ON/OFF) @ 25 DRجة MEئOYة Current - Collector Cutoff (Max) alجhad - زyner (NOM) (VZ) Mقaomة (كحd أقصى) (ZZT) نو عرفانستور tشbau vce (max) @ ib ، ic ربى آر العازم (HFE) (دقيقة) @ IC ، الرفرفد - الانتهال الموم - قaudة (R1) الموم - قaudة با (R2)
CRS13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS13 (TE85L ، Q ، M) 0.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRS13 شotكy S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 60 550 mV @ 1 a 50 µA @ 60 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 1A 40pf @ 10v ، 1mhz
TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK099V65Z ، LQ 5.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosvi الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 4-vsfn lloحة mكشoفة TK099V65 مسيت (عقيد الماعدة) 5-DFN (8x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2500 قnaة ن 650 v 30A (TA) 10 فolt 99mohm @ 15a ، 10 فolt 4v @ 1.27ma 47 NC @ 10 V ± 30V 2780 PF @ 300 V - 230W (TC)
RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404 ، LXHF 0.0645
RFQ
ECAD 7148 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN2404 200 myiجaoat S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50 100 مللي 500NA PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiغaiheartز 47 kohms 47 kohms
RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908 ، LF (CT 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN1908 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50V 100mA 500NA 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 مميا هيرتز 22kohms 47Kohms
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU ، LXHF 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 ، u-mosvi الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 3-SMD ، خyoط شقة مسيت (عقيد الماعدة) UFM تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة P. 20 v 3.2A (TA) 1.5 ف Wolt ، 4.5 فolt 93mohm @ 1.5a ، 4.5 فolt 1V @ 1MA 4.7 NC @ 4.5 V +6V ، -8v 290 PF @ 10 V - 500 myiجaoat (TA)
2SA1943-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O (S1 ، F 2.9200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 3pl 150 و إlى 3p (ل) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 25 230 v 15 أ 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800MA ، 8A 80 @ 1A ، 5V 30 مميا هيرتز
TTC5460B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC5460B ، S (ق -
RFQ
ECAD 9144 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. * أnabob نوز TTC5460 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 250
1SS187,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS187 ، LF 0.2200
RFQ
ECAD 4171 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 1SS187 عزيز S-Mini - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 80 v 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 100mA 4pf @ 0v ، 1mhz
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H (T2L1 ، VM -
RFQ
ECAD 3369 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosvi-h الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-powervdfn TPCA8045 مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 5000 قnaة ن 40 46A (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 3.6mohm @ 23a ، 10 فolt 2.3V @ 1MA 90 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 7540 PF @ 10 V - 1.6W (TA) ، 45W (TC)
SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N357R ، LF 0.4100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 6-SMD ، خyoط شقة SSM6N357 مسيت (عقيد الماعدة) 1.5W (TA) 6-TSOP-F تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 2 N-channel (mزdoج) 60V 650ma (TA) 1.8ohm @ 150ma ، 5 فolt 2V @ 1MA 1.5nc @ 5v 60pf @ 12v -
HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1a01fe-gr ، lxhf 0.4500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 HN1A01 100 myiجaitat ES6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 50V 150MA 100na (ICBO) 2 PNP (mزdoج) 300mv @ 10ma ، 100ma 200 @ 2MA ، 6V 80MHz
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry91 (TE85L ، Q ، M) -
RFQ
ECAD 2201 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله ± 10 ٪ -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي أبل السفلي SOD-123F Cry91 700 myiجaoat S-flat (1.6x3.5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 5.5 V 9.1 ضd 30 أom
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU (TE85L ، F) -
RFQ
ECAD 5864 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosiii الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 6-SMD (5 خyoط) SSM5H12 مسيت (عقيد الماعدة) UFV تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة ن 30 فOlt 1.9A (TA) 1.8V ، 4V 133mohm @ 1a ، 4V 1V @ 1MA 1.9 NC @ 4 V ± 12V 123 PF @ 15 V دد شotكy (عازو) 500 myiجaoat (TA)
RN2413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413 ، LXHF 0.0645
RFQ
ECAD 6865 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN2413 200 myiجaoat S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50 100 مللي 100na (ICBO) PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 200 myiغaiheartز 47 kohms
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB ، LXHQ 2.7700
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 ، U-MOSIX-H الهاريه والال نوز 175 درض مويوي أبل السفلي 5-powersfn مسيت (عقيد الماعدة) S-TOGL ™ - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 1500 قnaة ن 40 200A (TA) 6V ، 10V 0.66mohm @ 100a ، 10 فolt 3V @ 1MA 128 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 11380 PF @ 10 V - 375W (TC)
CUHS20S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S30 ، H3F 0.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 2-SMD CUHS20 شotكy US2H تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 410 mV @ 2 a 500 µA @ 30 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 2A 390PF @ 0V ، 1MHz
TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK125V65Z ، LQ 4.9000
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosvi الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 4-vsfn lloحة mكشoفة TK125V65 مسيت (عقيد الماعدة) 4-DFN-EP (8x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 3 (168 سعع) ear99 8541.29.0095 2500 قnaة ن 650 v 24A (TA) 10 فolt 125mohm @ 12a ، 10 فolt 4v @ 1.02ma 40 NC @ 10 V ± 30V 2250 PF @ 300 V - 190W (TC)
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B ، S4X (S -
RFQ
ECAD 3496 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. * أnabob نوز TTD1415 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H ، S1Q 2.7600
RFQ
ECAD 395 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز منلال أب TO-220-2 كذA (سايليان آرفود) شotكy TO-220-2L - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 264 TRS8E65H ، S1Q ear99 8541.10.0080 50 لا يازد واتت ضرداود> 500mA (IO) 650 v 1.35 v @ 8 a 0 ns 90 µA @ 650 V 175 درض مويوي 8A 520pf @ 1v ، 1MHz
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW030Z120C ، S1F 30.4100
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز 175 درض مويوي منلال أب TO-247-4 كذA (Tranزstoor tقaطud كrebiad المسلول) TO-247-4L (X) - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 30 قnaة ن 1200 v 60A (TC) 18V 41mohm @ 30a ، 18V 5V @ 13MA 82 NC @ 18 V +25V ، -10V 2925 PF @ 800 V - 249W (TC)
RN1405,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1405 ، LXHF 0.3400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN1405 200 myiجaoat S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 myiغaiheartز 2.2 kohms 47 kohms
HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1a01fu-y ، lf 0.2700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 HN1A01 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 150MA 100na (ICBO) 2 PNP (mزdoج) 300mv @ 10ma ، 100ma 120 @ 2MA ، 6V 80MHz
TPCA8028-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8028-H (TE12LQM -
RFQ
ECAD 9696 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-Mosiv-H شrive قطup (CT) عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-powervdfn TPCA8028 مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 30 فOlt 50a (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 2.8mohm @ 25a ، 10 فolt 2.3V @ 1MA 88 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 7800 PF @ 10 V - 1.6W (TA) ، 45W (TC)
GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT40WR21 ، ف 11.0200
RFQ
ECAD 7358 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - صyniة نوز 175 درض موجي (TJ) منلال أب إlى 3P-3 ، SC-65-3 عزيز 375 ث إlى 3p (N) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 100 - - 1350 v 40 أ 80 أ 5.9V @ 15V ، 40a - -
2SC2712-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y ، LXHF 0.3400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز - أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 200 myiجaoat S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50 150 مللي 100na (ICBO) NPN 250mv @ 10ma ، 100ma 120 @ 2MA ، 6V 80MHz
TPHR6503PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1 ، LQ 2.2000
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-Mosix-H الهاريه والال نوز 175 درض مويوي أبل السفلي 8-powertdfn مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5.75) - 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 5000 قnaة ن 30 فOlt 150A (TC) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 0.65mohm @ 50a ، 10 فolt 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 10000 PF @ 15 V - 960MW (TA) ، 210W (TC)
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000 (TE16L1 ، NQ) -
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 2SC6000 20 و PW-Mold - 264-2SC6000 (TE16L1NQ) TR ear99 8541.29.0095 2000 50 7 أ 100na (ICBO) NPN 180mv @ 83ma ، 2.5a 250 @ 2.5A ، 2V -
TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D (STA4 ، Q ، M) 2.4000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. موسفي حجm -pier نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TK8A65 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220SIS تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 650 v 8A (TA) 10 فolt 840mohm @ 4a ، 10 فolt 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 30V 1350 PF @ 25 V - 45W (TC)
TK7A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W5 ، S5VX 1.6400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosiv أnabob نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TK7A60 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220SIS تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 600 v 7A (TA) 10 فolt 650mohm @ 3.5a ، 10 فolt 4.5v @ 350µA 16 NC @ 10 V ± 30V 490 PF @ 300 V - 30W (TC)
TPCA8011-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8011-H (TE12LQM -
RFQ
ECAD 5101 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosiii-h الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-powervdfn TPCA8011 مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 20 v 40A (TA) 2.5v ، 4.5 فolt 3.5mohm @ 20a ، 4.5 فolt 1.3V @ 200µA 32 NC @ 5 V ± 12V 2900 PF @ 10 V - 1.6W (TA) ، 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون