SIC
close

Mntجat أشbahh chlmoصlat

حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام الهادي - Tصniف درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات نو عدادهل طارار Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم عازد سرو نوو فين الإغنيوي (أmebier) حalة alaztbaar العالي - العلم - الها مثل شنزا الله الله (VDSS) altyaar - althemrarar chalصerف (maudroف) @ 25 Derجة mئoyة ج hed alقiadة (أقصى RDS على ، min rds on) rds ulى (max) @ id ، vgs VGS (TH) (MAX) @ ID شحnة tylboabة (qg) (alحd alأقصى) @ vgs VGS (alحd alأقصى) suzة alإdخal (ciss) (max) @ vds يمي في الجن Tbadiad السال رحمم الجوهز Tكoyn tlصmam alثnaئy alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) العالي - mtostط tصحyح (io) (لولي د) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و نود IGBT الهادي - انهايار باكى (كحd أقصى) Current - Collector (IC) (Max) العجلي - جaamu alnebض (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE ، IC تيبديل العداد TD (ON/OFF) @ 25 DRجة MEئOYة الهادي - Current - Collector Cutoff (Max) alجhad - زyner (NOM) (VZ) Mقaomة (كحd أقصى) (ZZT) نو عرفانستور tشbau vce (max) @ ib ، ic ربى آر العازم (HFE) (دقيقة) @ IC ، الرفرفد - الانتهال الموم - قaudة (R1) الموم - قaudة با (R2)
CMS15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS15 (TE12L ، Q ، M) 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-128 CMS15 شotكy M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 60 580 mV @ 3 a 300 µA @ 60 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 3A 102pf @ 10v ، 1MHz
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1967FE (TE85L ، F) -
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 RN1967 100 myiجaoat ES6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 مميا هيرتز 10kohms 47Kohms
CRZ18(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18 (TE85L ، S) -
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله ± 10 ٪ -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي أبل السفلي SOD-123F CRZ18 700 myiجaoat S-flat (1.6x3.5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 13 V 18 ف 30 أom
RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963 (TE85L ، F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN1963 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 70 @ 10MA ، 5V 250 مميا هيرتز 22kohms 22kohms
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage Hn1b04fu-y (t5l ، f ، t. -
RFQ
 ECAD 1894 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 HN1B04 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50V 150MA 100na (ICBO) NPN ، PNP 250mv @ 10ma ، 100ma 120 @ 2MA ، 6V 150 مميا هيرتز
CMC02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMC02 (TE12L ، Q ، M) -
RFQ
 ECAD 9346 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SOD-128 CMC02 عزيز M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) CMC02 (TE12LQM) ear99 8541.10.0080 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 400 v 1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 1A -
TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X ، S1X 5.6700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosiv-h أnabob نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 TK31E60 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 600 v 30.8A (TA) 10 فolt 88mohm @ 9.4a ، 10 فolt 3.5v @ 1.5ma 65 NC @ 10 V ± 30V 3000 PF @ 300 V - 230W (TC)
TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W ، RVQ 1.0490
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosiv الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 TK12P60 مسيت (عقيد الماعدة) DPAK تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2000 قnaة ن 600 v 11.5A (TA) 10 فolt 340mohm @ 5.8a ، 10 فolt 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 100W (TC)
2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1298-Y ، LF 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 2SA1298 200 myiجaoat S-Mini تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 25 v 800 مللي 100na (ICBO) PNP 400MV @ 20MA ، 500MA 160 @ 100MA ، 1V 120 مميا هيرتز
TRS12N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65D ، S1F -
RFQ
 ECAD 6487 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob عى الله منلال أب TO-247-3 TRS12N شotكy TO-247 - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 30 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 1 زoج alكazod 650 v 6A (DC) 1.7 V @ 6 a 90 µA @ 650 V 175 درض مويزي (كح ad أقصى)
CUHS20S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S40 ، H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 2-SMD CUHS20 شotكy US2H تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 40 470 mV @ 2 a 300 µA @ 40 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 2A 290PF @ 0V ، 1MHz
RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2903FE (TE85L ، F) 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 RN2903 100 myiجaoat ES6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 70 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 22kohms 22kohms
TK4R1A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R1A10PL ، S4X 2.0400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز 175 درض مويوي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TK4R1A10 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220SIS تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 100 فolt 80A (TC) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 4.1mohm @ 40a ، 10 فolt 2.5V @ 1MA 104 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 6320 PF @ 50 V - 54W (TC)
RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P (TE12L ، F) 1.2713
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 20 v أبل السفلي TO-243AA RFM01U7 520 مميا هيرتز مسيت PW-MINI تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 1000 قnaة ن 1A 100 مللي 1.2W 10.8db - 7.2 v
2SK2917(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2917 (و) -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 3P-3 ، SC-65-3 2SK2917 مسيت (عقيد الماعدة) إlى 3p (n) ho تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 500 v 18A (TA) 10 فolt 270mohm @ 10a ، 10 فolt 4V @ 1MA 80 NC @ 10 V ± 30V 3720 PF @ 10 V - 90W (TC)
GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22 (STA1 ، E ، S) 4.7900
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز 175 درض موجي (TJ) منلال أب إlى 3P-3 ، SC-65-3 عزيز 230 و إlى 3p (N) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 264-GT50JR22 (Sta1es) ear99 8541.29.0095 25 - - 600 v 50 أ 100 أ 2.2V @ 15V ، 50a - -
TPCA8036-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8036-H (TE12L ، ف -
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosvi-h الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-powervdfn TPCA8036 مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 30 فOlt 38A (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 4.2mohm @ 19a ، 10 فolt 2.3V @ 500µA 50 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 4600 PF @ 10 V - 1.6W (TA) ، 45W (TC)
1SS322(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS322 (TE85L ، F) 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 1SS322 شotكy USM تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 40 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 100mA 18pf @ 0v ، 1mhz
2SA1930(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 (Onk ، Q ، M) -
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة 2SA1930 2 ث TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 أ 5µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA ، 1A 100 @ 100ma ، 5V 200 myiجa errtز
2SA965-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O ، F (J. -
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SA965 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 مللي 100na (ICBO) PNP 1V @ 50MA ، 500MA 80 @ 100ma ، 5 فolt 120 مميا هيرتز
RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FETE85LF -
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 RN1911 100 myiجaoat ES6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 4000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 250 مميا هيرتز 10kohms -
HN1D01F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01F (TE85L ، F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3088 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-74 ، SOT-457 HN1D01 عزيز SM6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 2 ، 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85LF 0.4400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 2SC4213 100 myiجaoat SC-70 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 20 v 300 مللي 100na (ICBO) NPN 100mv @ 3ma ، 30a 350 @ 4MA ، 2V 30 مميا هيرتز
CRZ11(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ11 (TE85L ، S) -
RFQ
 ECAD 6761 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله ± 10 ٪ -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي أبل السفلي SOD-123F CRZ11 700 myiجaoat S-flat (1.6x3.5) تومويل 1 (غyer mحdod) CRZ11TR-NDR ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 7 V 11 فولت 30 أom
TK155A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK155A65Z ، S4X 3.1400
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosvi أnabob نوز 150 درض موجي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TK155A65 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220SIS تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 650 v 18A (TA) 10 فolt 155mohm @ 9a ، 10 فolt 4V @ 730µA 29 NC @ 10 V ± 30V 1635 PF @ 300 V - 40W (TC)
CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30C (TE85L ، QM 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRS10I30 شotكy S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 360 mV @ 1 a 100 µA @ 30 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 1A 82PF @ 10V ، 1MHz
CMS04(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS04 (TE12L) -
RFQ
 ECAD 1186 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - شrive قطup (CT) عى الله أبل السفلي SOD-128 CMS04 شotكy M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 370 mV @ 5 a 8 مللي أmebire @ 30 ف وتلت -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة 5A -
CMH01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH01 (TE12L ، Q ، M) 0.7300
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-128 CMH01 عزيز M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 200 من 980 mV @ 3 a 100 ns 10 µA @ 200 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 3A -
2SB1457(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (T6CNO ، A ، F) -
RFQ
 ECAD 2426 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SB1457 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 1 100 فolt 2 أ 10µA (ICBO) PNP 1.5V @ 1MA ، 1A 2000 @ 1A ، 2V 50 مميا هيرتز
1SS361,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361 ، LJ (CT 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-75 ، SOT-416 1SS361 عزيز SSM تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 1 زoج alكazod 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون

قائمة RFQ (0 عناصر)
قائمة العربة (0 عناصر)
Wishlistقائمة الأمنيات (0 عناصر)
SIC
AD9208BPPZ-3000

196-LFBGA لوحة مكشوفة

الكمية: 1

قارن القائمة (0 عناصر)
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق