SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم سرو نوو فين مثل شنزا الله الهادر (VDSS) altyaar - chlصrف chtstmer ج hed alقiadة (أقصى RDS على ، min rds on) rds ulى (max) @ id ، vgs VGS (TH) (MAX) @ ID شحnة tylboabة (qg) (alحd alأقصى) @ vgs VGS (alحd alأقصى) suzة alإdخal (ciss) (max) @ vds يمي في الجن Tbadiad السال Tكoyn tlصmam alثnaئy alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) العالي - mtostط tصحyح (io) (لولي د) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و الهادي - انهايار باكى (كحd أقصى) Current - Collector (IC) (Max) Current - Collector Cutoff (Max) نو عرفانستور tشbau vce (max) @ ib ، ic ربى آر العازم (HFE) (دقيقة) @ IC ، الرفرفد - الانتهال الموم - قaudة (R1) الموم - قaudة با (R2) رحمم الظهر (db typ @ f)
RN4990(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4990 (T5L ، F ، T) -
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN4990 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100µA (ICBO) 1 NPN ، 1 PNP - mtحyز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 250 Myiجa Hertز ، 200 Myiجa Hertز 4.7kohms -
2SC5065-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5065-O (TE85L ، F) -
RFQ
ECAD 8403 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 2SC5065 100 myiجaoat SC-70 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 - 12 فولت 30mA NPN 80 @ 10MA ، 5V 7 جyجa hertز 1DB @ 500MHz
RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108 (T5L ، F ، T) 0.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-75 ، SOT-416 RN2108 100 myiجaoat SSM تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiغaiheartز 22 kohms 47 kohms
RN1902T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902T5LFT -
RFQ
ECAD 4506 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN1902 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 50 @ 10MA ، 5V 250 مميا هيرتز 10kohms 10kohms
2SC2383-Y(T6DNS,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-Y (T6DNS ، FM -
RFQ
ECAD 8306 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2383 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 160 v 1 أ 1µA (ICBO) NPN 1.5v @ 50ma ، 500ma 60 @ 200MA ، 5V 100 myiجa hertز
RN2511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2511 (TE85L ، F) 0.0865
RFQ
ECAD 5376 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 RN2511 300 myiجaoat SMV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) (bauث mقtrn) 300MV @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 200 myiجa errtز 10kohms -
TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5 ، LVQ 3.0900
RFQ
ECAD 133 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosiv الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 4-vsfn lloحة mكشoفة TK20V60 مسيت (عقيد الماعدة) 4-DFN-EP (8x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2500 قnaة ن 600 v 20A (TA) 10 فolt 190mohm @ 10a ، 10 فolt 4.5v @ 1ma 55 NC @ 10 V ± 30V 1800 PF @ 300 V - 156W (TC)
RN1402S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402S ، LF -
RFQ
ECAD 4581 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN1402 200 myiجaoat S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 50 @ 10MA ، 5V 250 myiغaiheartز 10 kohms 10 kohms
TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X ، LQ 2.5193
RFQ
ECAD 9782 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosiv-h الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 4-vsfn lloحة mكشoفة TK25V60 مسيت (عقيد الماعدة) 4-DFN-EP (8x8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) TK25V60XLQ ear99 8541.29.0095 2500 قnaة ن 600 v 25A (TA) 10 فolt 135mohm @ 7.5a ، 10 فolt 3.5v @ 1.2ma 40 NC @ 10 V ± 30V 2400 PF @ 300 V - 180W (TC)
TPH2R306NH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH1 ، LQ 1.5700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosviii-h الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 8-powertdfn مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5.75) - 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 5000 قnaة ن 60 136A (TC) 6.5V ، 10V 2.3mohm @ 50a ، 10 فolt 4V @ 1MA 72 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 6100 PF @ 30 V - 800MW (TA) ، 170W (TC)
RN2131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2131MFV ، L3F 0.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-723 RN2131 150 مميتاوت Vesm تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 8000 50 100 مللي 100na (ICBO) PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 500µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 100 kohms
1SS181,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS181 ، LF 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 1SS181 عزيز S-Mini - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 1 ، 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
RN2606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2606 (TE85L ، F) 0.4800
RFQ
ECAD 910 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-74 ، SOT-457 RN2606 300 myiجaoat SM6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 4.7kohms 47Kohms
2SA965-Y,T6KOJPF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y ، T6Kojpf (J. -
RFQ
ECAD 5039 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SA965 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 مللي 100na (ICBO) PNP 1V @ 50MA ، 500MA 80 @ 100ma ، 5 فolt 120 مميا هيرتز
2SC2229-Y(MIT1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (MIT1 ، F ، M. -
RFQ
ECAD 1503 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2229 800 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 مللي 100na (ICBO) NPN 500MV @ 1MA ، 10MA 70 @ 10MA ، 5V 120 مميا هيرتز
RN2110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2110 ، LF (CT 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-75 ، SOT-416 RN2110 100 myiجaoat SSM تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 100na (ICBO) PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 200 myiغaiheartز 4.7 Kohms
2SC5201(T6MURATAFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 (T6MURATAFM -
RFQ
ECAD 5065 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC5201 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) 2SC5201T6MURATAFM ear99 8541.21.0095 1 600 v 50 مللي 1µA (ICBO) NPN 1v @ 500ma ، 20ma 100 @ 20MA ، 5V -
2SA1837(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 (LBSAN ، F ، M) -
RFQ
ECAD 2923 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة 2SA1837 2 ث TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 أ 1µA (ICBO) PNP 1.5v @ 50ma ، 500ma 100 @ 100ma ، 5V 70MHz
RN2107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 2801 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SC-101 ، SOT-883 RN2107 50 مميتاوت CST3 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 10000 20 v 50 مللي 500NA PNP - mtحyز mysbقًa 150mv @ 250µA ، 5MA 120 @ 10MA ، 5V 10 kohms 47 kohms
RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306 ، LF 0.1900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 RN1306 100 myiجaoat SC-70 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 myiغaiheartز 4.7 Kohms 47 kohms
RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1308 ، LF 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 RN1308 100 myiجaoat SC-70 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 myiغaiheartز 22 kohms 47 kohms
2SA1873-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-Y (TE85L ، F) 0.3500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي 5-TSSOP ، SC-70-5 ، SOT-353 2SA1873 200 myiجaoat USV تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 150MA 100na (ICBO) 2 pnp (mزdoج) زoج mtطabق 300mv @ 10ma ، 100ma 120 @ 2MA ، 6V 80MHz
TK39N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W ، S1VF 5.5100
RFQ
ECAD 7989 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosiv أnabob نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-247-3 TK39N60 مسيت (عقيد الماعدة) TO-247 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 30 قnaة ن 600 v 38.8A (TA) 10 فolt 65mohm @ 19.4a ، 10 فolt 3.7V @ 1.9MA 110 NC @ 10 V ± 30V 4100 PF @ 300 V - 270W (TC)
RN1412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412TE85LF 0.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN1412 200 myiجaoat S-Mini تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 100na (ICBO) NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 250 myiغaiheartز 22 kohms
1SS361FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361FV ، L3F 0.2000
RFQ
ECAD 6067 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-723 1SS361 عزيز Vesm تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 8000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 1 زoج alكazod 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 150 درض موجي (كحd أقصى)
TTC008(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC008 (س) 0.8400
RFQ
ECAD 6705 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب to-251-3 خyoط قصyerة ، ipak ، to-251aa TTC008 1.1 و PW-MOLD2 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) TTC008Q ear99 8541.29.0095 200 285 v 1.5 أ 10µA (ICBO) NPN 1v @ 62.5ma ، 500ma 80 @ 1MA ، 5V -
SSM3K72CFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CFS ، LF 0.2000
RFQ
ECAD 133 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosvii-h الهاريه والال نوز -55 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) أبل السفلي SC-75 ، SOT-416 SSM3K72 مسيت (عقيد الماعدة) SSM تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة ن 60 170MA (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 3.9OHM @ 100MA ، 10 فOlt 2.1V @ 250µA 0.35 NC @ 4.5 V ± 20 ف وتلت 17 PF @ 10 V - 150 myiجaoat (ta)
2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (t6cano ، f ، M. -
RFQ
ECAD 2604 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SK2962 إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
2SA1931(NOMARK,A,Q Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 (Nomark ، A ، Q. -
RFQ
ECAD 9650 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة 2SA1931 2 ث TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0075 1 50 5 أ 1µA (ICBO) PNP 400MV @ 200MA ، 2A 100 @ 1A ، 1V 60 مميا هيرتز
CMF03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF03 (TE12L ، Q ، M) 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-128 CMF03 عزيز M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 900 v 2.5 V @ 500 Ma 100 ns 50 µA @ 900 V -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة 500MA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون