SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم عازد سرو نوو فين شنزا الله الهادر (VDSS) altyaar - althemrarar chalصerف (maudroف) @ 25 Derجة mئoyة ج hed alقiadة (أقصى RDS على ، min rds on) rds ulى (max) @ id ، vgs VGS (TH) (MAX) @ ID شحnة tylboabة (qg) (alحd alأقصى) @ vgs VGS (alحd alأقصى) suzة alإdخal (ciss) (max) @ vds يمي في الجن Tbadiad السال Tكoyn tlصmam alثnaئy alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) العالي - mtostط tصحyح (io) (لولي د) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و الهادي - انهايار باكى (كحd أقصى) Current - Collector (IC) (Max) Current - Collector Cutoff (Max) alجhad - زyner (NOM) (VZ) Mقaomة (كحd أقصى) (ZZT) نو عرفانستور tشbau vce (max) @ ib ، ic ربى آر العازم (HFE) (دقيقة) @ IC ، الرفرفد - الانتهال الموم - قaudة (R1) الموم - قaudة با (R2)
RN2130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2130MFV ، L3F 0.2000
RFQ
ECAD 1257 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-723 RN2130 150 مميتاوت Vesm تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 8000 50 100 مللي 100na (ICBO) PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 500µA ، 5MA 100 @ 10MA ، 5V 100 kohms 100 kohms
SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU ، LF 0.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 6-SMD ، خyoط شقة SSM6K406 مسيت (عقيد الماعدة) UF6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة ن 30 فOlt 4.4A (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 25mohm @ 2a ، 10 فolt 2.5V @ 1MA 12.4 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 490 PF @ 15 V - 500 myiجaoat (TA)
CMS10I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS10I40A (TE12L ، QM 0.5800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-128 CMS10 شotكy M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 40 450 mV @ 1 a 100 µA @ 40 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 1A 62PF @ 10V ، 1MHz
1SS387,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387 ، L3F 0.2300
RFQ
ECAD 107 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-79 ، SOD-523 1SS387 عزيز فرو تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 8000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 80 v 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 100mA 0.5pf @ 0v ، 1mhz
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n62tu ، lf 0.4200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 6-SMD ، خyoط شقة SSM6N62 مسيت (عقيد الماعدة) 500 myiجaoat (TA) UF6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 2 N-channel (mزdoج) 20V 800MA (TA) 85mohm @ 800ma ، 4.5 فolt 1V @ 1MA 2nc @ 4.5v 177pf @ 10v بواربة ماستو ،
TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L ، LXHQ 1.3200
RFQ
ECAD 2353 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosviii-h الهاريه والال نوز 175 درض مويوي أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 TK33S10 مسيت (عقيد الماعدة) DPAK+ تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2000 قnaة ن 100 فolt 33A (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 9.7mohm @ 16.5a ، 10 ف Wolt 2.5V @ 500µA 33 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 2250 PF @ 10 V - 125W (TC)
TK55D10J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1 (S) -
RFQ
ECAD 9064 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 TK55D10 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220 (W) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 100 فolt 55A (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 10.5mohm @ 27a ، 10 فolt 2.3V @ 1MA 110 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 5700 PF @ 10 V - 140W (TC)
TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L ، LXHQ 0.9600
RFQ
ECAD 3131 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosviii-h الهاريه والال نوز 175 درض مويوي أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 TK15S04 مسيت (عقيد الماعدة) DPAK+ تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2000 قnaة ن 40 15A (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 17.8mohm @ 7.5a ، 10 فolt 2.5V @ 100µA 10 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 610 PF @ 10 V - 46W (TC)
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF -
RFQ
ECAD 5685 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN1441 200 myiجaoat S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 20 v 300 مللي 100na (ICBO) NPN - mtحiز mysbقًa 100mv @ 3ma ، 30ma 200 @ 4MA ، 2V 30 myiغaiheartز 5.6 kohms
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE ، L3F 0.3700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 SSM6N16 مسيت (عقيد الماعدة) 150 myiجaoat (ta) ES6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 8000 2 N-channel (mزdoج) 20V 100ma (TA) 3OHM @ 10MA ، 4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3v -
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n16fute85lf 0.5000
RFQ
ECAD 600 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 SSM6N16 مسيت (عقيد الماعدة) 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 2 N-channel (mزdoج) 20V 100mA 3OHM @ 10MA ، 4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3v -
CRZ10(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ10 (TE85L ، S) -
RFQ
ECAD 1889 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله ± 10 ٪ -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي أبل السفلي SOD-123F CRZ10 700 myiجaoat S-flat (1.6x3.5) تومويل 1 (غyer mحdod) CRZ10TR-NDR ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 6 V 10 v 30 أom
TRS24N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65FB ، S1F (S -
RFQ
ECAD 9125 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز منلال أب TO-247-3 TRS24N65 كذA (سايليان آرفود) شotكy TO-247 - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) TRS24N65FBS1F (s ear99 8541.10.0080 30 لا يازد واتت ضرداود> 500mA (IO) 1 زoج alكazod 650 v 12A (DC) 1.7 V @ 12 a 0 ns 90 µA @ 650 V 175 درض مويزي (كح ad أقصى)
RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE (TE85L ، F) 0.4000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-553 RN1707 100 myiجaoat ESV تومويل 1 (غyer mحdod) 264-RN1707JE (TE85LF) TR ear99 8541.21.0075 4000 50V 100mA 500NA 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) (mقrnbauث) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 250 مميا هيرتز 10kohms 47Kohms
SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFU ، LF 0.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-mosvii الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 SSM6P35 مسيت (عقيد الماعدة) 285 Myiجaoat (TA) US6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 2 P-channel (mزdoج) 20V 250MA (TA) 1.4ohm @ 150ma ، 4.5 فolt 1V @ 100µA - 42pf @ 10v بواربة ماستو ،
2SC2482(T6TOJS,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2482 (T6TOJS ، F ، M. -
RFQ
ECAD 3501 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2482 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 1 300 v 100 مللي 1µA (ICBO) NPN 1V @ 1MA ، 10MA 30 @ 20ma ، 10 فolt 50 مميا هيرتز
TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK190A65Z ، S4X 3.0000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosvi أnabob نوز 150 درض موجي منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة TK190A65 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220SIS تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 650 v 15A (TA) 10 فolt 190mohm @ 7.5a ، 10 فolt 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ± 30V 1370 PF @ 300 V - 40W (TC)
CMG06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG06 (TE12L ، Q ، M) -
RFQ
ECAD 6508 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SOD-128 CMG06 عزيز M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) CMG06 (TE12LQM) ear99 8541.10.0080 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 600 v 1.1 V @ 1 أ 10 µA @ 600 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 1A -
2SA1244-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-Y (T6L1 ، NQ) 0.9600
RFQ
ECAD 8236 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 1 ث PW-Mold تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2000 50 5 أ 1µA (ICBO) PNP 400MV @ 150MA ، 3A 70 @ 1A ، 1V 60 مميا هيرتز
CES521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES521 ، L3F 0.1800
RFQ
ECAD 64 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-79 ، SOD-523 CES521 شotكy فرو تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 8000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 30 فOlt 500 mV @ 200 Ma 30 µA @ 30 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 200MA 26pf @ 0v ، 1mhz
RN4901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901 ، LF (CT 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN4901 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 500NA 1 NPN ، 1 PNP - mtحyز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 30 @ 10MA ، 5V 250 Myiجa Hertز ، 200 Myiجa Hertز 4.7kohms 4.7kohms
SSM6J825R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J825R ، LF 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درض موجي أبل السفلي 6-SMD ، خyoط شقة SSM6J825 مسيت (عقيد الماعدة) 6-TSOP-F تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة P. 30 فOlt 4A (TA) 4V ، 10V 45mohm @ 4a ، 10 فolt 2V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 V +10V ، -20V 492 PF @ 10 V - 1.5W (TA)
RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964 (TE85L ، F) 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN2964 100 myiجaoat US6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 47Kohms 47Kohms
1SS306TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS306TE85LF 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-61AA 1SS306 عزيز SC-61B تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 2 ماستل 200 من 100mA 1.2 V @ 100 Ma 60 ns 1 µA @ 200 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE ، LF (CT 0.2400
RFQ
ECAD 350 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 RN4901 100 myiجaoat ES6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 4000 50V 100mA 500NA 1 NPN ، 1 PNP - mtحyز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 30 @ 10MA ، 5V 200 myiجa hrtز ، 250 myiجa hertز 4.7kohms 4.7kohms
SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FU ، LF 0.3000
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. π-mosvi الهاريه والال نوز -55 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 SSM3K16 مسيت (عقيد الماعدة) USM تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة ن 20 v 100ma (TA) 1.5V ، 4V 3OHM @ 10MA ، 4V 1.1V @ 100µA ± 10V 9.3 PF @ 3 V - 150 myiجaoat (ta)
TK40E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10K3 ، S1X (S -
RFQ
ECAD 9070 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-Mosiv أnabob عى الله - منلال أب TO-220-3 TK40E10 مسيت (عقيد الماعدة) TO-220-3 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 50 قnaة ن 100 فolt 40A (TA) 15mohm @ 20a ، 10 فolt 4V @ 1MA 84 NC @ 10 V 4000 PF @ 10 V - -
SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU ، LF 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-mosvi الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 6-SMD ، خyoط شقة SSM6J414 مسيت (عقيد الماعدة) UF6 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة P. 20 v 6A (TA) 1.5 ف Wolt ، 4.5 فolt 22.5mohm @ 6a ، 4.5 فolt 1V @ 1MA 23.1 NC @ 4.5 V ± 8v 1650 PF @ 10 V - 1W (TA)
TTC1949-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-Y ، LF 0.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 TTC1949 200 myiجaoat S-Mini تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 500 مللي 100na (ICBO) NPN 400MV @ 50MA ، 500MA 120 @ 100MA ، 1V 100 myiجa hertز
TPCA8026(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8026 (TE12L ، Q ، M. 1.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-Mosiv الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-powervdfn TPCA8026 مسيت (عقيد الماعدة) Tقadm 8 سود (5x5) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 30 فOlt 45A (TA) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 2.2mohm @ 23a ، 10 فolt 2.5V @ 1MA 113 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 4200 PF @ 10 V - 1.6W (TA) ، 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون