SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ucl ح -almntج درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم عازد سرو نوو فين مثل شنزا الله الهادر (VDSS) altyaar - althemrarar chalصerف (maudroف) @ 25 Derجة mئoyة ج hed alقiadة (أقصى RDS على ، min rds on) rds ulى (max) @ id ، vgs VGS (TH) (MAX) @ ID شحnة tylboabة (qg) (alحd alأقصى) @ vgs VGS (alحd alأقصى) suzة alإdخal (ciss) (max) @ vds يمي في الجن Tbadiad السال Tكoyn tlصmam alثnaئy alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) العالي - mtostط tصحyح (io) (لولي د) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - السعواك @ VR ، و الهادي - انهايار باكى (كحd أقصى) Current - Collector (IC) (Max) نو عداد الله alجhed - alذerroة alaveyة (كحd أقصى) alجhad - anneyaar (V (BR) GSS) hltiarear - altصrayف (idss) @ vds (vgs = 0) alجhad - قطu (vgs Off) @ id Current - Collector Cutoff (Max) نو عرفانستور tشbau vce (max) @ ib ، ic ربى آر العازم (HFE) (دقيقة) @ IC ، الرفرفد - الانتهال الموم - قaudة (R1) الموم - قaudة با (R2) رحمم الظهر (db typ @ f) altnزaف hlحaily (mauster) - كحd أقصى نسوب السعع حahalة nesbة السفكر S @ VR ، و
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F ، LF 0.4100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-mosvi الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 SSM3J325 مسيت (عقيد الماعدة) S-Mini تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة P. 20 v 2A (TA) 1.5 ف Wolt ، 4.5 فolt 150mohm @ 1a ، 4.5 فolt - 4.6 NC @ 4.5 V ± 8v 270 PF @ 10 V - 600 myiجaoat (TA)
RN2402S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage RN2402S ، LF (د -
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN2402 200 myiجaoat S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) RN2402SLF (د ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 50 @ 10MA ، 5V 200 myiغaiheartز 10 kohms 10 kohms
SSM3K341TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU ، LF 0.4400
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. u-mosviii-h الهاريه والال نوز 175 درض مويوي أبل السفلي 3-SMD ، alrصaص chysطح SSM3K341 مسيت (عقيد الماعدة) UFM تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 60 6A (TA) 4V ، 10V 36mohm @ 4a ، 10 فolt 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 550 PF @ 10 V - 1.8W (TA)
RN1962TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1962TE85LF -
RFQ
ECAD 5519 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN1962 500 myiجaoat US6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 50 @ 10MA ، 5V 250 مميا هيرتز 10kohms 10kohms
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV ، L3F 0.1700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-723 RN1104 150 مميتاوت Vesm تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 8000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 500µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 47 kohms 47 kohms
RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2113MFV ، L3F 0.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-723 RN2113 150 مميتاوت Vesm تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 8000 50 100 مللي 100na (ICBO) PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 500µA ، 5MA 120 @ 1MA ، 5V 47 kohms
2SC2235-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (t6canofm -
RFQ
ECAD 1780 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2235 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) 2SC2235YT6CANOFM ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 مللي 100na (ICBO) NPN 1V @ 50MA ، 500MA 80 @ 100ma ، 5 فolt 120 مميا هيرتز
RN4904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904 ، LXHF (CT 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. المسار ، AEC-Q101 الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN4904 200 myiجaoat US6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 500NA 1 NPN ، 1 PNP - mtحyز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiجa hrtز ، 250 myiجa hertز 47Kohms 47Kohms
2SA965-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y ، T6F (J. -
RFQ
ECAD 5034 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SA965 900 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 مللي 100na (ICBO) PNP 1V @ 50MA ، 500MA 80 @ 100ma ، 5 فolt 120 مميا هيرتز
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J (TE85L ، F) 0.6100
RFQ
ECAD 6062 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي SC-74A ، SOT-753 HN4B102 750 Myiجaoat SMV تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 30V 1.8A ، 2A 100na (ICBO) NPN ، PNP 140mv @ 20ma ، 600ma / 200mv @ 20ma ، 600ma 200 @ 200MA ، 2V -
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X ، S1F 4.6600
RFQ
ECAD 4357 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosiv-h أnabob نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-247-3 TK25N60 مسيت (عقيد الماعدة) TO-247 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 30 قnaة ن 600 v 25A (TA) 10 فolt 125mohm @ 7.5a ، 10 فolt 3.5v @ 1.2ma 40 NC @ 10 V ± 30V 2400 PF @ 300 V - 180W (TC)
1SS301,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301 ، LF 0.2100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 1SS301 عزيز SC-70 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 1 زoج alكazod 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
RN2965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965 (TE85L ، F) 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 RN2965 200 myiجaoat US6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 pnp - mtحiز mysbقًa (mزdoج) 300MV @ 250µA ، 5MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز 2.2kohms 47Kohms
TPN11006PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006PL ، LQ 0.6400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. U-Mosix-H الهاريه والال نوز 175 درض مويوي أبل السفلي 8-powervdfn TPN11006 مسيت (عقيد الماعدة) 8-Tson Advance (3.1x3.1) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 60 26A (TC) 4.5 ف Wolt ، 10 فolt 11.4mohm @ 13a ، 10 فolt 2.5V @ 200µA 17 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 1625 PF @ 30 V - 610MW (TA) ، 61W (TC)
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H (TE12LQM) -
RFQ
ECAD 5858 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 8-Voice (0.173 "، ، ، 4.40 ملم) TPC8031 مسيت (عقيد الماعدة) 8-sop (5.5x6.0) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 قnaة ن 30 فOlt 11A (TA) 13.3mohm @ 5.5a ، 10 فolt 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V 2150 PF @ 10 V - -
2SB1495,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495 ، S (أي -
RFQ
ECAD 9035 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب TO-220-3 حزmة كamlة 2SB1495 2 ث TO-220NIS تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 1 100 فolt 3 أ 10µA (ICBO) PNP 1.5v @ 1.5ma ، 1.5a 2000 @ 2A ، 2V -
1SV277TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV277TPH3F 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 1SV277 USC تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 2.35pf @ 4v ، 1mhz عجب 10 v 2.3 C1/C4 -
MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P (TE12L ، F) 0.9900
RFQ
ECAD 66 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-243AA MT3S113 1.6W PW-MINI تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0075 1000 10.5db 5.3v 100mA NPN 200 @ 30MA ، 5V 7.7 جyجa Zertز 1.45db @ 1ghz
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O (TE6 ، F ، M) -
RFQ
ECAD 6177 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاري ومر (السل) عى الله 150 درو موجي (TJ) منلال أب إlى 226-3 ، إlى 92-3 2SC2705 800 myiجaoat إlى 92mod تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 150 v 50 مللي 100na (ICBO) NPN 1V @ 1MA ، 10MA 80 @ 10MA ، 5V 200 myiجa errtز
RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301 ، LF 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 RN1301 100 myiجaoat SC-70 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 30 @ 10MA ، 5V 250 myiغaiheartز 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN1444ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1444ATE85LF -
RFQ
ECAD 7205 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN1444 200 myiجaoat S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 20 v 300 مللي 100na (ICBO) NPN - mtحiز mysbقًa 100mv @ 3ma ، 30ma 200 @ 4MA ، 2V 30 myiغaiheartز 2.2 kohms
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342 (TE16L1 ، NQ) -
RFQ
ECAD 3368 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-252-3 ، DPAK (2 LEADS + TAB) ، SC-63 2SK3342 مسيت (عقيد الماعدة) PW-Mold تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 2000 قnaة ن 250 v 4.5A (TA) 10 فolt 1ohm @ 2.5a ، 10 فolt 3.5V @ 1MA 10 NC @ 10 V ± 20 ف وتلت 440 PF @ 10 V - 20W (TC)
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401 ، LF 0.2200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 RN2401 200 myiجaoat S-Mini تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA PNP - mtحyز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 30 @ 10MA ، 5V 200 myiغaiheartز 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y (TE85L ، F) 0.4900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 2SK208 100 myiجaoat S-Mini تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 3000 قnaة ن 8.2pf @ 10v 50 1.2 Ma @ 10 V 400 mV @ 100 na 6.5 م
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-Y (TPL3) -
RFQ
ECAD 7438 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي SC-101 ، SOT-883 2SC6026 100 myiجaoat CST3 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0095 10000 50 100 مللي 100na (ICBO) NPN 250mv @ 10ma ، 100ma 120 @ 2MA ، 6V 60 مميا هيرتز
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103 ، LF (CT 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-75 ، SOT-416 RN1103 100 myiجaoat SSM تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 50 100 مللي 500NA NPN - mtحiز mysbقًa 300MV @ 250µA ، 5MA 70 @ 10MA ، 5V 250 myiغaiheartز 22 kohms 22 kohms
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n55nu ، lf 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 6-wdfn lloحة mكشoفة SSM6N55 مسيت (عقيد الماعدة) 1W 6 مميرين (2x2) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.29.0095 3000 2 N-channel (mزdoج) 30V 4A 46mohm @ 4a ، 10 فolt 2.5V @ 100µA 2.5nc @ 4.5v 280pf @ 15v بوهب ماستوى
1SV239TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV239TPH3F 0.4300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 1SV239 USC تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 2pf @ 10v ، 1mhz عجب 15 2.4 C2/C10 -
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113 (TE85L ، F) 0.7000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 MT3S113 800 myiجaoat S-Mini تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.21.0075 3000 11.8db 5.3v 100mA NPN 200 @ 30MA ، 5V 12.5 جyجa hertز 1.45db @ 1ghz
TK12Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W ، S1VQ 2.0600
RFQ
ECAD 75 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. dtmosiv أnabob نوز 150 درو موجي (TJ) منلال أب to-251-3 Leals lals ، ipak TK12Q60 مسيت (عقيد الماعدة) نا با تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) TK12Q60WS1VQ ear99 8541.29.0095 75 قnaة ن 600 v 11.5A (TA) 10 فolt 340mohm @ 5.8a ، 10 فolt 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 100W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون