SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى Htsus العلم سرو alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و نو عداد الله alجhed - alذerroة alaveyة (كحd أقصى) alجhad - زyner (NOM) (VZ) Mقaomة (كحd أقصى) (ZZT)
1N5391BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5391Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-204al ، do-41 عزيز do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5391bulk 8541.10.0000 500 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 50 1.1 V @ 1.5 a 5 µA @ 50 V -65 دكر مويزي ~ 175 دكر مسيه 1.5A 15pf @ 4v ، 1mhz
BR810 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR810 1.2200
RFQ
ECAD 400 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) منلال أب 4 Merbab ، BR-10 عزيز BR-10 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) chozol إlى chalmabocaT 2439-BR810 8541.10.0000 200 1 V @ 4 a 10 µA @ 1000 V 8 أ مرسل واحد 1 كylo -فolt
1N5936BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5936BT/R. 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -65 دكر مويزي ~ 175 دري مويزي (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1.5 و do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5936BT/RTR 8541.10.0000 5000 1 µA @ 22.8 V 30 فOlt 26 أوم
1N4736ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736abulk 0.1800
RFQ
ECAD 13 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4736abulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 Ma 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5 يا أوم
FR155T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR155T/R. 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز منلال أب do-204al ، do-41 عزيز do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-FR155T/RTR 8541.10.0000 5000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 600 v 1.4 V @ 1.5 a 250 ns 5 µA @ 600 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 1.5A 25pf @ 4v ، 1mhz
HER303T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER303T/R. 0.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز منلال أب do-201dad ، mحory عزيز do-201dad تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-HER303T/RTR 8541.10.0000 1،250 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 200 من 1.1 V @ 3 أ 50 ns 10 µA @ 200 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 3A 50pf @ 4v ، 1MHz
HER105BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER105BULK 0.2400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-204al ، do-41 عزيز do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-HER105BULK 8541.10.0000 500 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 400 v 1.1 V @ 1 أ 50 ns 5 µA @ 400 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 1A 50pf @ 4v ، 1MHz
1N4733AG EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4733AG 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4733ag 8541.10.0000 1000 1.2 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 5.1 v 7 أوم
1N5233BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5233BT/R. 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5233BT/RTR 8541.10.0000 10000 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 3.5 V 6 الها 7 أوم
BA158BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BA158BULK 0.2100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-204al ، do-41 عزيز do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-BA158BULK 8541.10.0000 500 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 600 v 1.3 V @ 1 a 150 ns 5 µA @ 600 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 1A 20pf @ 4v ، 1mhz
GN2MT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. GN2MT/R. 0.1100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز أبل السفلي DO-214AC ، SMA عزيز SMA (DO-214AC) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-GN2MT/RTR 8541.10.0000 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 1000 v 1 V @ 2 a 5 µA @ 1000 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 2A 75pf @ 4v ، 1mhz
1N5353BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5353BBULK 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ -65 دكر مويوي ~ 200 دكر مسي (TJ) منلال أب DO-204AC ، do-15 ، Mmحory 5 ث do-15 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5353bbulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 أ 1 µA @ 12.2 V 16 v 2.5 أوم
1N5931ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5931abulk 0.2100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 10 ٪ -65 دكر مويزي ~ 175 دري مويزي (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1.5 و do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5931abulk 8541.10.0000 500 1 µA @ 13.7 V 18 ف 12 أوم
SN13 EIC SEMICONDUCTOR INC. SN13 0.0420
RFQ
ECAD 50 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز أبل السفلي DO-214AC ، SMA عزيز SMA (DO-214AC) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-SN13TR 8541.10.0000 10000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 1300 v 1 V @ 1 a 2 µs 2 µA @ 1300 V -65 دكر مويزي ~ 175 دكر مسيه 1A 30pf @ 4v ، 1mhz
SN1K EIC SEMICONDUCTOR INC. SN1K 0.0382
RFQ
ECAD 45 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز أبل السفلي DO-214AC ، SMA عزيز SMA (DO-214AC) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-SN1KTR 8541.10.0000 5000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 800 v 1 V @ 1 a 2 µs 2 µA @ 800 V -65 دكر مويزي ~ 175 دكر مسيه 1A 30pf @ 4v ، 1mhz
RBV1004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1004 1.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) منلال أب 4-SIP ، RBV-25 عزيز RBV-25 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) chozol إlى chalmabocaT 2439-RBV1004 8541.10.0000 100 1 V @ 5 a 10 µA @ 400 V 10 أ مرسل واحد 400 v
HER103BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER103BULK 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-204al ، do-41 عزيز do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-HER103BULK 8541.10.0000 500 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 200 من 1.1 V @ 1 أ 50 ns 5 µA @ 200 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 1A 50pf @ 4v ، 1MHz
1N5399T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5399T/R. 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز منلال أب do-204al ، do-41 عزيز do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5399T/RTR 8541.10.0000 5000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 1000 v 1.1 V @ 1.5 a 5 µA @ 1000 V -65 دكر مويزي ~ 175 دكر مسيه 1.5A 15pf @ 4v ، 1mhz
HER301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER301BULK 0.2400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-201dad ، mحory عزيز do-201dad تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-HER301BULK 8541.10.0000 500 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 50 1.1 V @ 3 أ 50 ns 10 µA @ 50 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 3A 50pf @ 4v ، 1MHz
1N4743T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743T/R. 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 10 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N4743T/RTR 8541.10.0000 5000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 9.9 V 13 ف 10 أوم
1N4740ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4740abulk 0.1800
RFQ
ECAD 21 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4740abulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 Ma 10 µA @ 7.6 V 10 v 7 أوم
BR5010 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5010 4.9000
RFQ
ECAD 600 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) أبل الله 4 Merbab ، BR-50 عزيز BR-50 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-BR5010 8541.10.0000 50 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 1000 V 50 أ مرسل واحد 1 كylo -فolt
1N5930BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5930BT/ص 0.1300
RFQ
ECAD 40 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -65 دكر مويزي ~ 175 دري مويزي (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1.5 و do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5930BT/RTR 8541.10.0000 5000 1 µA @ 12.2 V 16 v 10 أوم
FR106T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR106T/R. 0.0400
RFQ
ECAD 35 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز منلال أب do-204al ، do-41 عزيز do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-FR106T/RTR 8541.10.0000 5000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 800 v 1.3 V @ 1 a 500 نانو آناي 5 µA @ 800 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 1A 50pf @ 4v ، 1MHz
RBV606 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV606 1.1000
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) منلال أب 4-SIP ، RBV-25 عزيز RBV-25 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) chozol إlى chalmabocaT 2439-RBV606 8541.10.0000 100 1 V @ 3 a 10 µA @ 600 V 6 أ مرسل واحد 600 v
BYD13JBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD13JBULK 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-204al ، do-41 العصر do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-byd13jbulk 8541.10.0000 500 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 600 v 1.05 v @ 1 a 1 µA @ 600 V 175 درض مويوي 1.4A -
FR301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR301BULK 0.2100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-201dad ، mحory عزيز do-201dad تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-FR301BULK 8541.10.0000 500 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 50 1.3 V @ 3 أ 150 ns 10 µA @ 50 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 3A 60pf @ 4v ، 1mhz
1N4741ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741abulk 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4741abulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 8.4 V 11 فولت 8 أوم
1N4758AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4758AT/R. 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4758at/rtr 8541.10.0000 5000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 42.6 V 56 110 أوم
1N5817BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5817BULK 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-204al ، do-41 شotكy do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5817bulk 8541.10.0000 500 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 20 v 450 mV @ 1 a 1 مللي -65 دكر مويزي ~ 125 دكر مسيه 1A 110pf @ 4v ، 1mhz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون