SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم سرو alnatج alحaily - الهادي - الهاونتار alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و نو عداد الله alجhed - alذerroة alaveyة (كحd أقصى) alجhad - زyner (NOM) (VZ) Mقaomة (كحd أقصى) (ZZT) العجلي -
1N4728AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4728AT/R. 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) chozol إlى chalmabocaT 2439-1N4728AT/RTR 5000 1.2 V @ 200 Ma 100 µA @ 1 V 3.3 ضd 10 أوم
1N5223BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5223BT/R. 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5223BT/RTR 8541.10.0000 10000 1.1 V @ 200 Ma 75 µA @ 1 V 2.7 v 30 أom
1N5351A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5351A 0.1330
RFQ
ECAD 6 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 10 ٪ -65 دكر مويوي ~ 200 دكر مسي (TJ) منلال أب DO-204AC ، do-15 ، Mmحory 5 ث do-15 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5351atr 8541.10.0000 3000 1.2 V @ 1 أ 1 µA @ 10.1 V 14 v 2.5 أوم
HER301T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER301T/R. 0.1500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز منلال أب do-201dad ، mحory عزيز do-201dad تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-HER301T/RTR 8541.10.0000 1،250 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 50 1.1 V @ 3 أ 50 ns 10 µA @ 50 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 3A 50pf @ 4v ، 1MHz
SB390 EIC SEMICONDUCTOR INC. SB390 0.1338
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز منلال أب do-201dad ، mحory شotكy do-201dad تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-SB390TR 8541.10.0000 1000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 90 v 790 mV @ 3 a 500 µA @ 500 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 3A -
10HCB EIC SEMICONDUCTOR INC. 10HCB 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-10HCBTR 8541.10.0000 5000
1N4746ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4746abulk 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4746abulk 8541.10.0000 1000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 13.7 V 18 ف 20 أom
1N4732AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732AT/R. 0.0600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4732at/rtr 8541.10.0000 5000 1.2 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 4.7 ضd 8 أوم
1N4758ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4758abulk 0.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4758abulk 8541.10.0000 1000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 42.6 V 56 110 أوم
FR304T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR304T/R. 0.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز منلال أب do-201dad ، mحory عزيز do-201dad تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-FR304T/RTR 8541.10.0000 1،250 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 400 v 1.3 V @ 3 أ 150 ns 10 µA @ 400 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 3A 60pf @ 4v ، 1mhz
1N5358BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5358BBULK 0.3800
RFQ
ECAD 500 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ -65 دكر مويوي ~ 200 دكر مسي (TJ) منلال أب DO-204AC ، do-15 ، Mmحory 5 ث do-15 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5358bbulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 أ 500 NA @ 16.7 V 22 3.5 يا أوم
1N5245BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5245bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5245bbulk 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 Ma 100 NA @ 11 V 15 16 أوم
1N755AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N755AT/R. 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n755at/rtr 8541.10.0000 10000 1.2 V @ 200 Ma 100 na @ 1 v 7.5 v 6 أوم
D32BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. D32Bulk 0.2500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز -40 دكر مويوي ~ 100 دري مويوي (TJ) مويري M1a تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-D32Bulk 8541.10.0000 500 2 أ 27 ~ 37V 100 µA
1N4757AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4757AT/R. 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4757at/rtr 8541.10.0000 5000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 38.8 V 51 v 95 يا أوم
1N4747ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4747abulk 0.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4747abulk 8541.10.0000 1000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 15.2 V 20 v 22
1N5256BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5256BT/R. 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5256BT/RTR 8541.10.0000 10000 1.1 V @ 200 Ma 100 NA @ 23 V 30 فOlt 49 يا أوم
1N5395BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5395Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-204al ، do-41 عزيز do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5395bulk 8541.10.0000 500 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 400 v 1.1 V @ 1.5 a 5 µA @ 400 V -65 دكر مويزي ~ 175 دكر مسيه 1.5A 15pf @ 4v ، 1mhz
1N746ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N746abulk 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n746abulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 3.3 ضd 28 أوم
10A07H EIC SEMICONDUCTOR INC. 10A07H 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز منلال أب D-6 ، mحory عزيز D6 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-10A07HTR ear99 8541.10.0080 800 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 1000 v 1 V @ 10 a 10 µA @ 1000 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 10A 80pf @ 4v ، 1mhz
1N4733BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4733BULK 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 10 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4733bulk 8541.10.0000 1000 1.2 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 5.1 v 7 أوم
KBL400 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL400 1.0000
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز -50 دكر مويزي ~ 150 دري مويوي (TJ) منلال أب 4-sip ، kbl عزيز KBL تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-KBL400 8541.10.0000 100 1.1 V @ 4 أ 10 µA @ 50 V 4 أ مرسل واحد 50
1N5338B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5338B 0.2600
RFQ
ECAD 12 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -65 دكر مويوي ~ 200 دكر مسي (TJ) منلال أب DO-204AC ، do-15 ، Mmحory 5 ث do-15 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5338BTR ear99 8541.10.0050 3000 1.2 V @ 1 أ 1 µA @ 1 V 5.1 v 1.5 يا أوم
BR1010 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1010 1.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) منلال أب 4 Merbab ، BR-10 عزيز BR-10 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) chozol إlى chalmabocaT 2439-BR1010 8541.10.0000 200 1.1 V @ 5 a 10 µA @ 1000 V 10 أ مرسل واحد 1 كylo -فolt
FR306BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR306BULK 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-201dad ، mحory عزيز do-201dad تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-FR306BULK 8541.10.0000 500 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 800 v 1.3 V @ 3 أ 500 نانو آناي 10 µA @ 800 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 3A 60pf @ 4v ، 1mhz
1N5927BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5927BT/R. 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -65 دكر مويزي ~ 175 دري مويزي (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1.5 و do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5927BT/RTR 8541.10.0000 5000 1 µA @ 9.1 V 12 فولت 6.5 يا أوم
1N914T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N914T/R. 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز منلال أب do-204ah ، do-35 عزيز do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N914T/RTR 8541.10.0000 10000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 75 v 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 دكر مويزي ~ 175 دكر مسيه 75MA 4pf @ 0v ، 1mhz
1N5236BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5236BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5236bbulk 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6 V 7.5 v 6 أوم
3EZ330D5T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 3EZ330D5T/R. 0.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 3 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-3EZ330D5T/RTR 8541.10.0000 5000 2 V @ 200 Ma 1 µA @ 251 V 330 v 2200 أوم
RBV2506 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2506 2.0600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) منلال أب 4-SIP ، RBV-25 عزيز RBV-25 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) chozol إlى chalmabocaT 2439-RBV2506 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 أ 10 µA @ 600 V 25 أ مرسل واحد 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون