SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) chozol إlى alحalة أmaء أخrى ECCN Htsus العلم سرو alnatج alحaily - الهادي - الهاونتار alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و نو عداد الله alجhed - alذerroة alaveyة (كحd أقصى) alجhad - زyner (NOM) (VZ) Mقaomة (كحd أقصى) (ZZT) العجلي -
RBV2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2504 1.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) منلال أب 4-SIP ، RBV-25 عزيز RBV-25 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) chozol إlى chalmabocaT 2439-RBV2504 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 أ 10 µA @ 400 V 25 أ مرسل واحد 400 v
RBV2502D EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2502D 1.7400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) منلال أب 4-SIP ، RBV-25 عزيز RBV-25 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) chozol إlى chalmabocaT 2439-RBV2502D 8541.10.0000 100 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 200 V 25 أ مرسل واحد 200 من
1N4741AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741AT/R. 0.0600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4741at/rtr 8541.10.0000 5000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 8.4 V 11 فولت 8 أوم
1N4937T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4937T/R. 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز منلال أب do-204al ، do-41 1N4937 عزيز do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N4937T/RTR 8541.10.0000 5000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 600 v 1.2 V @ 1 أ 150 ns 5 µA @ 600 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 1A 15pf @ 4v ، 1mhz
1N4749A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749A 0.1800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N4749A 8541.10.0000 1000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 18.2 V 24 فolt 25 أوم
1N5244BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5244BT/R. 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5244BT/RTR 8541.10.0000 10000 1.1 V @ 200 Ma 100 Na @ 10 V 14 v 15 أوم
1N751ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N751abulk 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n751abulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 Ma 1 µA @ 1 V 5.1 v 17 أوم
HER306BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her306bulk 0.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-201dad ، mحory عزيز do-201dad تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-HER306BULK 8541.10.0000 500 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 600 v 1.7 V @ 3 أ 75 ns 10 µA @ 600 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 3A 50pf @ 4v ، 1MHz
FR106BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR106BULK 0.2100
RFQ
ECAD 37 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-204al ، do-41 عزيز do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-FR106Bulk 8541.10.0000 500 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 800 v 1.3 V @ 1 a 500 نانو آناي 5 µA @ 800 V -65 دكر مويزي ~ 150 دري مويه 1A 50pf @ 4v ، 1MHz
1N4734AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4734AT/R. 0.0650
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4734at/rtr 8541.10.0000 5000 1.2 V @ 200 Ma 10 µA @ 2 V 5.6 v 5 أوم
1N5245BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5245BT/R. 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5245BT/RTR 8541.10.0000 10000 1.1 V @ 200 Ma 100 NA @ 11 V 15 16 أوم
1N5242BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5242BT/R. 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5242BT/RTR 8541.10.0000 10000 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 9.1 V 12 فولت 30 أom
BYD13GBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD13GBULK 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-204al ، do-41 العصر do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-byd13gbulk 8541.10.0000 500 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 400 v 1.05 v @ 1 a 1 µA @ 400 V 175 درض مويوي 1.4A -
Z1180-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Z1180-T/R. 0.0800
RFQ
ECAD 30 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 10 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) chozol إlى chalmabocaT 2439-Z1180-T/RTR 8541.10.0000 10000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 136.8 V 180 v 1200 أوم
1N4748AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4748AT/R. 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N4748AT/RTR 8541.10.0000 5000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 16.7 V 22 23
1N5339B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5339B 0.2600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -65 دكر مويوي ~ 200 دكر مسي (TJ) منلال أب DO-204AC ، do-15 ، Mmحory 5 ث do-15 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5339BTR ear99 8541.10.0050 3000 1.2 V @ 1 أ 1 µA @ 2 V 5.6 v 1 أوم
ESJA04-03A EIC SEMICONDUCTOR INC. ESJA04-03A 0.6500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب مويري عزيز M1a تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-ESJA04-03A 8541.10.0000 300 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 3000 v 12 V @ 10 Ma 80 ns 2 µA @ 3000 V 120 درو مويزي (كحd أقصى) 1ma -
1N5239BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5239BT/R. 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5239BT/RTR 8541.10.0000 10000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 7 V 9.1 ضd 10 أوم
1N5243BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5243bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5243bbulk 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 Ma 500 NA @ 9.9 V 13 ف 13 أوم
DR206T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. DR206T/R. 0.0600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز منلال أب DO-204AC ، do-15 ، Mmحory عزيز do-15 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-DR206T/RTR 8541.10.0000 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 600 v 1 V @ 2 a 5 µA @ 600 V -65 دكر مويزي ~ 175 دكر مسيه 2A 75pf @ 4v ، 1mhz
1N5341B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5341B 0.4360
RFQ
ECAD 24 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -65 دكر مويوي ~ 200 دكر مسي (TJ) منلال أب DO-204AC ، do-15 ، Mmحory 5 ث do-15 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5341BTR 8541.10.0000 3000 1.2 V @ 1 أ 1 µA @ 3 V 6.2 v 1 أوم
1N5360B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360B 0.1150
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - صnadoق نوز ± 5 ٪ -65 دكر مويوي ~ 200 دكر مسي (TJ) منلال أب DO-204AC ، do-15 ، Mmحory 5 ث do-15 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5360b 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 أ 500 NA @ 19 V 25 v 4 أوم
1N4735ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4735abulk 0.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4735abulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 Ma 10 µA @ 3 V 6.2 v 2 أوم
1N5247BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5247BT/R. 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ 175 درض موجي (TJ) منلال أب do-204ah ، do-35 500 myiجaoat do-35 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5247BT/RTR 8541.10.0000 10000 1.1 V @ 200 Ma 100 NA @ 13 V 17 فولت 19 أوم
1N4745A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4745A 0.5750
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4745atr 8541.10.0000 4000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 12.2 V 16 v 16 أوم
1N4740A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4740A 0.1050
RFQ
ECAD 21 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - صnadoق نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 - Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4740a 8541.10.0000 1000 1.2 V @ 200 Ma 10 µA @ 7.6 V 10 v 7 أوم
1N5358A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5358A 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز ± 10 ٪ -65 دكر مويوي ~ 200 دكر مسي (TJ) منلال أب DO-204AC ، do-15 ، Mmحory 5 ث do-15 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n5358a 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 أ 500 NA @ 15.8 V 22 3.5 يا أوم
D32PBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. D32pbulk 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز -40 دكر مويوي ~ 100 دري مويوي (TJ) do-204al ، do-41 do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-D32Pbulk 8541.10.0000 500 2 أ 27 ~ 37V 100 µA
1N4755AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4755AT/R. 0.0600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - الهاريه والال نوز ± 5 ٪ -55 دكر مويزي ~ 175 دري مويه (TJ) منلال أب do-204al ، do-41 1 ث do-41 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1n4755at/rtr 8541.10.0000 5000 1.2 V @ 200 Ma 5 µA @ 32.7 V 43 ضd 70 أوم
1N5406BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5406BULK 0.1800
RFQ
ECAD 26 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - شnطة نوز منلال أب do-201dad ، mحory عزيز do-201dad تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) 2439-1N5406Bulk 8541.10.0000 500 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 600 v 950 mV @ 3 a 5 µA @ 600 V -65 دكر مويزي ~ 175 دكر مسيه 3A 28pf @ 4v ، 1mhz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون