طلب عرض الأسعار
بوم
اتصل بنا

هاتف: +86-0755-83501315

بريد إلكتروني:sales@sic-components.com

الترانزستورات(3)

رقم المنتج	التسعير (بالدولار الأمريكي)	كمية	المتاحة	MFR	مسلسل	طَرد	حالة المنتج	درجة حرارة التشغيل	نوع التركيب	الحزمة / القضية	تكنولوجيا	حزمة جهاز المورد	ورقة بيانات البيانات	حالة بنفايات	مستوى الرطوبة (MSL)	أسماء أخرى	ECCN	هتسسوس	الحزمة القياسية	النوع فيت	استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	التيار المتردد - التصريف (المعرف) عند 25 درجة مئوية	جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	Rds On (Max) @ Id، Vgs	Vgs(ال) (ماكس) @ المعرفي	رسوم بيانية (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	في جي إس (الحد الأقصى)	الاستثمار (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	الغرض FET	تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
IV1Q12050T4	38.5000	طلب عرض الأسعار	4491	اختراع	-	أنبوب	نشيط	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (تي جي)	من خلال هول	TO-247-4	SiCFET (كربيد السيليكون)	TO-247-4	تحميل	متوافق مع ROHS3	1 (غير محدود)	4084-IV1Q12050T4	إير99	8541.29.0095	30	قناة ن	1200 فولت	58أ (ح)	20 فولت	65 مللي أوم @ 20 أمبير ، 20 فولت	3.2 فولت @ 6 مللي أمبير	120 نانو سي @ 20 فولت	+20 فولت، -5 فولت	2750 بيكو فاراد عند 800 فولت	-	344 واط (ح)
IV1Q12050T3	37.4900	طلب عرض الأسعار	3	اختراع	-	أنبوب	نشيط	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (تي جي)	من خلال هول	TO-247-3	SiCFET (كربيد السيليكون)	TO-247-3	تحميل	متوافق مع ROHS3	1 (غير محدود)	4084-IV1Q12050T3	إير99	8541.29.0095	30	قناة ن	1200 فولت	58أ (ح)	20 فولت	65 مللي أوم @ 20 أمبير ، 20 فولت	3.2 فولت @ 6 مللي أمبير	120 نانو سي @ 20 فولت	+20 فولت، -5 فولت	2770 بيكو فاراد عند 800 فولت	-	327 واط (ح)
IV1Q12160T4	18.7400	طلب عرض الأسعار	106	اختراع	-	أنبوب	نشيط	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (تي جي)	من خلال هول	TO-247-4	SiCFET (كربيد السيليكون)	TO-247-4	تحميل	متوافق مع ROHS3	1 (غير محدود)	4084-IV1Q12160T4	إير99		30	قناة ن	1200 فولت	20 أمبير (ح)	20 فولت	195 مللي أوم عند 10 أمبير، 20 فولت	2.9 فولت @ 1.9 مللي أمبير	43 نانو سي @ 20 فولت	+20 فولت، -5 فولت	885 بيكو فاراد @ 800 فولت	-	138 واط (ح)