SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم سرو Tكoyn tlصmam alثnaئy alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) العالي - mtostط tصحyح (io) (لولي د) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و نو عداد الله alجhed - alذerroة alaveyة (كحd أقصى) alجhad - زyner (NOM) (VZ) Mقaomة (كحd أقصى) (ZZT) نسوب السعع حahalة nesbة السفكر S @ VR ، و
HN2S01FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2S01FUTE85LF 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363 HN2S01 شotكy US6 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 3 Mystقlة 10 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
TRS24N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65FB ، S1Q 7.6500
RFQ
ECAD 105 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز منلال أب TO-247-3 TRS24N65 كذA (سايليان آرفود) شotكy TO-247 - 1 (غyer mحdod) 264 TRS24N65FBS1Q ear99 8541.10.0080 30 لا يازد واتت ضرداود> 500mA (IO) 1 زoج alكazod 650 v 12A (DC) 1.6 V @ 12 a 0 ns 60 µA @ 650 V 175 درض مويوي
TRS8E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C ، S1Q -
RFQ
ECAD 9767 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob عى الله منلال أب TO-220-2 TRS8E65 كذA (سايليان آرفود) شotكy TO-220-2L - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 50 لا يازد واتت ضرداود> 500mA (IO) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 90 µA @ 650 V 175 درض مويزي (كح ad أقصى) 8A 44pf @ 650v ، 1MHz
CMS17(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS17 (TE12L ، Q ، M) 0.4600
RFQ
ECAD 3814 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-128 CMS17 شotكy M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 480 mV @ 2 a 100 µA @ 30 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 2A 90PF @ 10V ، 1MHz
TBAS16,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAS16 ، LM 0.2100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-23-3 يؤدي شقة TBAS16 عزيز SOT-23-3 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 80 v - 215MA -
CRG03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG03 (TE85L ، Q ، M) -
RFQ
ECAD 5772 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SOD-123F CRG03 عزيز S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) CRG03 (TE85L ، S) ear99 8541.10.0080 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 400 v 1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 1A -
1SS362TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362TE85LF 0.3000
RFQ
ECAD 78 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-75 ، SOT-416 1SS362 عزيز SSM تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 1 atصal سالسلا 80 v 80mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
1SS190TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS190TE85LF 0.3500
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 1SS190 عزيز SC-59-3 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 80 v 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 100mA 4pf @ 0v ، 1mhz
1SS398TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS398TE85LF 0.5000
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 1SS398 عزيز S-Mini تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 1 atصal سالسلا 400 v 100mA 1.3 V @ 100 Ma 500 نانو آناي 100 NA @ 400 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B (TE85L ، QM 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRS10I40 شotكy S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 40 450 mV @ 1 a 100 µA @ 40 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 1A 62PF @ 10V ، 1MHz
1SS393SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS393SU ، LF 0.4000
RFQ
ECAD 180 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 1SS393 شotكy SC-70 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 1 زoج alكazod 40 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
CRH02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH02 (TE85L ، Q ، M) 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRH02 عزيز S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 200 من 950 mV @ 500 Ma 35 NS 10 µA @ 200 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 500MA -
1SS382TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS382TE85LF 0.4900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-82 1SS382 عزيز تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 2 ماستل 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
CRS09(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09 (TE85L) -
RFQ
ECAD 9473 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - شrive قطup (CT) عى الله أبل السفلي SOD-123F CRS09 شotكy S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 460 mV @ 1.5 a 50 µA @ 30 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 1.5A -
CTS05S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S40 ، L3F 0.3400
RFQ
ECAD 62 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-882 CTS05S40 شotكy CST2 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 10000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 40 350 mV @ 100 Ma 30 µA @ 10 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 500MA 42PF @ 0V ، 1MHz
CLH06(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH06 (TE16R ، S) -
RFQ
ECAD 7267 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله أبل السفلي L-Flat ™ CLH06 عزيز L-Flat ™ (4x5.5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 1 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 300 v 35 NS - 5A -
1SS184S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 1SS184S ، LF (د -
RFQ
ECAD 3056 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 1SS184 عزيز S-Mini تومويل 1 (غyer mحdod) 1SS184SLF (د ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 1 زoج alكazod 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
CRZ33(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ33 (TE85L ، Q ، M) -
RFQ
ECAD 7181 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله ± 10 ٪ -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي أبل السفلي SOD-123F CRZ33 700 myiجaoat S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 26.4 V 33 ضd 30 أom
CMS03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS03 (TE12L ، Q ، M) 0.6600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-128 CMS03 شotكy M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 450 mV @ 3 a 500 µA @ 30 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 3A -
1SS193,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS193 ، LF 0.2200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 1SS193 عزيز S-Mini تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 80 v 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 100mA 3pf @ 0v ، 1MHz
1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325 ، H3F 0.3800
RFQ
ECAD 7628 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-79 ، SOD-523 1SV325 فرو تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.30.0080 4000 12pf @ 4v ، 1mhz عجب 10 v 4.3 C1/C4 -
HN2S03FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FE (TE85L ، F) -
RFQ
ECAD 8154 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SOT-563 ، SOT-666 HN2S03 شotكy ES6 تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 4000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 3 Mystقlة 20 v 50MA 550 mV @ 50 Ma 500 NA @ 20 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
1SS416,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416 ، L3M 0.2700
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-923 1SS416 شotكy SOD-923 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 10000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 30 فOlt 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 100mA 15pf @ 0v ، 1mhz
TRS16N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB ، S1F (S -
RFQ
ECAD 5763 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز منلال أب TO-247-3 TRS16N65 كذA (سايليان آرفود) شotكy TO-247 - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) TRS16N65FBS1F (s ear99 8541.10.0080 30 لا يازد واتت ضرداود> 500mA (IO) 1 زoج alكazod 650 v 8A (DC) 1.7 V @ 8 a 0 ns 90 µA @ 650 V 175 درض مويزي (كح ad أقصى)
CUS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS15S40 ، H3F 0.3900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 CUS15S40 شotكy USC تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 40 450 mV @ 1 a 200 µA @ 40 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 1.5A 170pf @ 0v ، 1mhz
CLH03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH03 (TE16R ، S) -
RFQ
ECAD 2444 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله أبل السفلي L-Flat ™ CLH03 عزيز L-Flat ™ (4x5.5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 1 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 400 v 35 NS - 3A -
CRS15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS15 (TE85L ، Q ، M) 0.1462
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRS15 شotكy S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 520 mV @ 3 a 50 µA @ 30 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 3A 90PF @ 10V ، 1MHz
CUS10S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S40 ، H3F 0.3500
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 CUS10S40 شotكy USC تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 40 400 mV @ 500 Ma 150 µA @ 40 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 1A 120pf @ 0v ، 1mhz
CTS521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS521 ، L3F 0.2000
RFQ
ECAD 191 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-882 CTS521 شotكy CST2 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 10000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 500 mV @ 200 Ma 30 µA @ 30 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 200MA 25pf @ 0v ، 1mhz
1SS397TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS397TE85LF 0.4100
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-70 ، SOT-323 1SS397 عزيز SC-70 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 400 v 1.3 V @ 100 Ma 500 نانو آناي 1 µA @ 400 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 100mA 5pf @ 0v ، 1mhz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون