SIC
close
حار رحمم التسرى (USD) حمي ECAD الله الحمي الظهر (كجm) MFR ملسول ug ug ح -almntج تسام درجة خاررة آلتهيل نو عداد حزmة / حalة رحمم الحتات Tكnoloجya السلم - ماجس حزmة جhaز chalmodd و chinat حalة rohs ماستوز ح ساساي الهاوب (MSL) أmaء أخrى ECCN Htsus العلم سرو Tكoyn tlصmam alثnaئy alجhad - DC عى (VR) (كحD أقصى) العالي - mtostط tصحyح (io) (لولي د) alجhed - إlى alأmam ( واتسترفاد عداد (تري) altyaar - تسسرب عجة @ VR درا خاررة الضح - العالي - mtoSط tصحiح (io) السعواك @ VR ، و نو عداد الله alجhed - alذerroة alaveyة (كحd أقصى) alجhad - زyner (NOM) (VZ) Mقaomة (كحd أقصى) (ZZT) نسوب السعع حahalة nesbة السفكر S @ VR ، و
1SS319(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS319 (TE85L ، F) 0.4000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-61AA 1SS319 شotكy SC-61B تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 2 ماستل 40 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS316 ، H3F 0.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 BAS316 عزيز USC تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 100 فolt 1.25 V @ 150 Ma 3 ns 200 NA @ 80 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 250MA 0.35pf @ 0v ، 1mhz
CLH05,LMBJQ(O Toshiba Semiconductor and Storage CLH05 ، LMBJQ (S -
RFQ
ECAD 5120 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله أبل السفلي L-Flat ™ CLH05 عزيز L-Flat ™ (4x5.5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 1 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 200 من 980 mV @ 5 a 35 NS 10 µA @ 200 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 5A -
CMZ18(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ18 (TE12L ، Q ، M) 0.5400
RFQ
ECAD 1725 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز ± 10 ٪ -40 دكر مويزي ~ 150 دري مويه (TJ) أبل السفلي SOD-128 CMZ18 2 ث M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0050 3000 1.2 V @ 200 Ma 10 µA @ 13 V 18 ف 30 أom
HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T ​​(TE85L) -
RFQ
ECAD 3763 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي 4-SMD ، خyoط شقة HN2S03 شotكy TESQ - 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 4000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 2 ماستل 20 v 50MA 550 mV @ 50 Ma 500 NA @ 20 V 125 درو موجي (كح ad أقصى)
CMG03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG03 (TE12L ، Q ، M) -
RFQ
ECAD 2511 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SOD-128 CMG03 عزيز M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) CMG03 (TE12LQM) ear99 8541.10.0080 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 600 v 1.1 V @ 2 a 10 µA @ 600 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 2A -
TRS10E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65F ، S1Q 4.5900
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - أnabob نوز منلال أب TO-220-2 TRS10E65 كذA (سايليان آرفود) شotكy TO-220-2L تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 50 لا يازد واتت ضرداود> 500mA (IO) 650 v 1.6 V @ 10 a 0 ns 50 µA @ 650 V 175 درض مويزي (كح ad أقصى) 10A 36pf @ 650v ، 1MHz
CMG06A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG06A ، LQ (م -
RFQ
ECAD 9033 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - صnadoق نوز أبل السفلي SOD-128 عزيز M-flat (2.4x3.8) تومويل ear99 8541.10.0080 1 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 600 v 1.1 V @ 1 أ 5 µA @ 600 V 150 درض موجي 1A -
CRG01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG01 (TE85L ، Q ، M) -
RFQ
ECAD 9551 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SOD-123F CRG01 عزيز S-flat (1.6x3.5) - Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 100 فolt 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 100 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 700MA -
CRS14(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS14 (TE85L ، Q ، M) 0.1462
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRS14 شotكy S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 490 mV @ 2 a 50 µA @ 30 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 2A 90PF @ 10V ، 1MHz
CLH05(T6L,NKOD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05 (T6L ، NKOD ، S) -
RFQ
ECAD 1913 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله أبل السفلي L-Flat ™ CLH05 عزيز L-Flat ™ (4x5.5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 1 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 200 من 980 mV @ 5 a 35 NS 10 µA @ 200 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 5A -
TBAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAV70 ، LM 0.2100
RFQ
ECAD 280 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-23-3 يؤدي شقة TBAV70 عزيز SOT-23-3 تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 1 زoج alكazod 80 v 215MA -
CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30 ، L3F 0.3800
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 2-SMD CCS15S30 شotكy CST2C تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 10000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 20 v 400 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 1.5A 200pf @ 0v ، 1mhz
CMS02(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS02 (TE12L) -
RFQ
ECAD 6247 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - شrive قطup (CT) عى الله أبل السفلي SOD-128 CMS02 شotكy M-flat (2.4x3.8) تومويل Rohs غyer amtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 400 mV @ 3 a 500 µA @ 30 V -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة 3A -
1SS362FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362FV ، L3F 0.2000
RFQ
ECAD 140 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOT-723 1SS362 عزيز Vesm تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 8000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 1 atصal سالسلا 80 v 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 NA @ 80 V 150 درض موجي (كحd أقصى)
CUHS20F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F30 ، H3F 0.3600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 2-SMD CUHS20 شotكy US2H تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 470 mV @ 2 a 60 µA @ 30 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 2A 380PF @ 0V ، 1MHz
JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S10FS (TPL3) 0.4100
RFQ
ECAD 398 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 150 درو موجي (TJ) أبل السفلي 2-SMD JDV2S10 FSC تومويل Rohs mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 10000 3.4pf @ 2.5v ، 1mhz عجب 10 v 2.55 C0.5/C2.5 -
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A (TE85L ، QM -
RFQ
ECAD 1671 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 CUS10I40 شotكy chalyaath tlmtحdة (1.25x2.5) تومويل Rohs mtoaفق CUS10I40A (TE85LQM ear99 8541.10.0080 4000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 40 490 mV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 1A 35pf @ 10v ، 1MHz
CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A (TE85L ، QM 0.4700
RFQ
ECAD 3740 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRS10I40 عزيز S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 عداداد الدين> 500ns ،> 200mA (IO) 40 490 mV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 1A 35pf @ 10v ، 1MHz
CRS30I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS30I30A (TE85L ، QM 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRS30I30 شotكy S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 490 mV @ 3 a 100 µA @ 30 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 3A 82PF @ 10V ، 1MHz
CUHS20S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S30 ، H3F 0.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 2-SMD CUHS20 شotكy US2H تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 410 mV @ 2 a 500 µA @ 30 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 2A 390PF @ 0V ، 1MHz
CLH07(TE16L,NMB,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH07 (TE16L ، NMB ، Q) -
RFQ
ECAD 5501 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - حجm -pier عى الله أبل السفلي L-Flat ™ CLH07 عزيز L-Flat ™ (4x5.5) تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 1 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 400 v 1.8 V @ 5 a 35 NS 10 µA @ 400 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 5A -
1SV281(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV281 (TPH3 ، F) 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز 125 درض موجي (TJ) أبل السفلي SC-79 ، SOD-523 1SV281 فرو تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 4000 8.7pf @ 4v ، 1mhz عجب 10 v 2 C1/C4 -
CES388,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES388 ، L3F 0.2000
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-79 ، SOD-523 CES388 شotكy فرو تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 8000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 40 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 100mA 25pf @ 0v ، 1mhz
U1GWJ49(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage U1GWJ49 (TE12L ، F) -
RFQ
ECAD 1338 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي TO-243AA U1GWJ49 شotكy PW-MINI تومويل 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 1000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 40 550 mV @ 1 a 500 µA @ 40 V -40 Derجة Mmئoyة ~ 125 Derجة mئoyة 1A -
CRS20I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30A (TE85L ، QM 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-123F CRS20I30 شotكy S-flat (1.6x3.5) تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0080 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 490 mV @ 2 a 60 µA @ 30 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 2A 50pf @ 10v ، 1mhz
CUS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS04 (TE85L ، Q ، M) -
RFQ
ECAD 2743 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال عى الله أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 CUS04 شotكy chalyaath tlmtحdة (1.25x2.5) تومويل Rohs mtoaفق CUS04 (TE85LQM) ear99 8541.10.0080 4000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 60 580 mV @ 700 Ma 100 µA @ 60 V -40 دكر مويزي ~ 150 دري موتوي 700MA 38PF @ 10V ، 1MHz
CTS05F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05F40 ، L3F 0.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SOD-882 CTS05F40 شotكy CST2 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 10000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 40 810 mV @ 500 Ma 15 µA @ 40 V 150 درض موجي (كحd أقصى) 500MA 28pf @ 0v ، 1mhz
DSF01S30SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SL ، L3F 0.3500
RFQ
ECAD 62 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي 2-SMD DSF01S30 شotكy SL2 تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 10000 إشaarة صغyerة = <200ma (io) 30 فOlt 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 100mA 9.02PF @ 2V ، 1MHz
CUS05S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S30 ، H3F 0.3100
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Toshiba أشbaah adlmoصlat و. - الهاريه والال نوز أبل السفلي SC-76 ، SOD-323 CUS05S30 شotكy USC تومويل Rohs3 mtoaفق 1 (غyer mحdod) ear99 8541.10.0070 3000 العانتاكش السعري = <500ns ،> 200ma (IO) 30 فOlt 340 mV @ 100 Ma 150 µA @ 10 V 125 درو موجي (كح ad أقصى) 500MA 55pf @ 0v ، 1mhz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    متوسط ​​حجم RFQ اليومي

  • Standard Product Unit

    30،000،000

    وحدة المنتج القياسية

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    المصنعين في جميع أنحاء العالم

  • In-stock Warehouse

    15000 م2

    مستودع في المخزون